碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，目前国际上已经量产碳化硅（SiC）器件的厂商有ROHM、Infineon和Cree
2018-12-13 11:26:11
9157 全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor) 发布了非常适合功率转换系统的碳化硅(SiC)技术解决方案，进而拓展了公司在创新型高性能功率晶
2012-11-22 14:04:541021 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061242 高性能电容器的领导者）开展合作，以提供紧凑且优化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR
2022-06-23 10:23:58570 
碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 
设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有祼片外形尺寸小、导热和热管理性能优异、开关损耗
2023-10-12 16:18:561871 
在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中，一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驱逆变器。
2024-03-13 09:44:55551 
来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
CRD-060DD12P，用于单端反激式转换器设计的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代传统的双开关反激式转换器，用于三相应用的高压输入辅助电源。演示板不是专为产品而设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-30 07:42:31
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
更新换代，SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆
2023-02-27 14:28:47
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到
2021-03-25 14:09:37
1.碳化硅（SiC）基高压半导体开关芯片（光触发型），半导体材料为SiC；★2.开关芯片阴阳极耐压VAK大于7500V，VKA大于1000V；★3.开关芯片室温漏电流小于1μA；4.芯片阴极电极
2022-09-28 17:10:27
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
`电子元器件碳化硅（Sic） MOSFETSCT50N1201200V65AHiP247-3深圳市英特洲电子科技有限公司，专业供应碳化硅功率管（SIC/MOS/DIODES全系列）ST、ROMH.需要和了解更多的产品信息，请关注英特洲电子，QQ584140894原厂优势货源！！`
2017-08-05 10:58:20
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
在太阳能光伏（PV）和能量存储应用中，存在功率密度增加以及始终存在的提高效率需求的趋势。该问题的解决方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出现。 ADuM4135栅极驱动器是单通道器件，在25 V工作电压（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌电流驱动能力
2020-05-27 17:08:24
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
蓝宝石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204932 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:178360 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。
2018-06-21 16:08:423772 SiCMOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计，用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统 推动高能效创新的安森美半导体，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业
2019-04-06 17:31:001707 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产，并打入多个应用市场。日前，在英飞凌科技举办的媒体见面会上，该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216460 碳化硅（SiC）功率半导体市场产值到2024年将达到19.3亿美元
2019-08-15 18:14:0310202 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574129 美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科锐正在推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）的产业转型。为了满足日益增长的对于Cree开创性Wolfspeed技术的需求
2020-09-02 14:35:242455 Cree方面表示，“我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅SiC产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性的、高效节能的变革！”
2021-02-05 15:34:564139 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261413 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2021-12-17 17:23:252461 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:293382 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:193412 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面
2022-04-07 14:46:595906 
碳化硅正被用于多种电力应用。ROHM 与意法半导体之间的协议将增加其在行业中的广泛采用。 汽车和工业市场都在加速采用SiC 材料的能源解决方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圆的过程比制造硅晶圆要复杂
2022-07-28 17:05:011904 
碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业，碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 甲碳化硅（SiC） JFET是一结基于常导通晶体管类型，它提供了最低的导通电阻R DS（ON）的每单位面积和是一个强大的设备。与传统 MOSFET 器件相比，JFET 不太容易发生故障，并且适合
2022-08-05 10:31:17716 
以下是有关用于电源应用的碳化硅 (SiC) 的 10 个事实，包括 SiC 如何实现比硅更好的热管理。
2022-08-17 17:11:011543 
2022-11-28 08:20:560 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
2022-12-01 10:23:191014 的探索，碳化硅逐渐走向历史舞台。特别是进入21世纪以后，人类全方面了解碳化硅的优点和特性，使其成为大功率半导体器件的首要选择。 如今，在“碳中和”的大命题下，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业大放光彩。从性能方面来
2022-12-01 12:10:02367 一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:358946 百年的探索，碳化硅逐渐走向历史舞台。特别是进入21世纪以后，人类全方面了解碳化硅的优点和特性，使其成为大功率半导体器件的首要选择。 如今，在“碳中和”的大命题下，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业大放光彩。从性能方
2022-12-15 19:00:06377 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 
SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。
2023-01-30 16:09:37537 以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。
2023-02-04 14:25:251014 【 2023 年 02 月 09 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体
2023-02-09 17:51:29535 
中国规模较小的碳化硅（SiC）供应链参与者将发现2023年是其相对艰难的一年。
2023-02-13 12:48:291143 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:448 引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。 我们从前一段时间的报道了解
2023-02-20 15:56:442 2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块
2023-02-20 15:45:011 SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm，长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中
心及难点。SiC纳米线在全球产量不高，一般为实验室水平生产（每次产量约几十微克）。
2023-02-21 09:24:050 碳化硅（SiC）纤维束丝是一种高性能、高温材料，具有优异的力学性能和高温稳定性，在航空航天、能源、化工等领域有广泛的应用前景。为了更好地研究SiC纤维束丝的力学性能，需要进行拉伸测试，以获取其拉伸性能参数，如弹性模量、屈服强度和断裂强度等。
2023-04-20 10:41:50840 
所有类型的电动汽车（EV）的高功率、高电压要求，包括电动公交车和其他电子交通电源系统，需要更高的碳化硅（SiC）技术来取代旧的硅FET和IGBT。安全高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现，许多非汽车或非车辆应用将受益。
2023-05-06 09:38:501694 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
2023-05-25 10:39:07281 点击蓝字 关注我们 纬湃科技正在锁定价值 19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产能 纬湃科技通过向安森美提供 2.5亿美元（2.3亿欧元）的产能投资 ，获得这一关键的半导体技术，以实现
2023-06-02 19:55:01348 
「碳化硅」（SiC）和「氮化镓」（GaN）。宽能隙半导体中的「能隙」（EnergyGap），以白话方式说明，便是代表着（一个单位能量的差距），意思就是让一个半导体「从绝
2022-11-21 16:07:511526 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-21 16:18:243392 
电动汽车（EV）电池系统从400V到800V的转变使碳化硅（SiC）半导体在牵引逆变器、车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中脱颖而出。
2023-07-25 09:50:15418 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08471 点击蓝字 关注我们 碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用。 图 1：SiC 晶圆图片 有些人
2023-08-14 19:10:01400 
瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
碳化硅(SiC)是一种新兴的新型宽禁带(WBG)材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用。图1：SiC晶圆图片有些人认为，氮化镓(GaN
2023-08-18 08:33:05733 
在新能源汽车终端市场中，随着SiC材料价格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增长，来自于车载充电、驱动逆变和DC-DC转换。
2023-08-27 09:47:39792 
硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点，即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。
2023-09-07 16:13:00661 
碳化硅(SiC)器件在电动汽车(EV)和太阳能光伏(PV)应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较
2023-09-26 17:59:09535 
Nexperia与KYOCERA AVX Components(萨尔茨堡)合作，为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块。新型功率器件专为工业电源、电动汽车充电端子和车载充电器等应用而设
2023-10-13 16:43:311013 安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长，安森美美计划在未来三年内雇用
2023-10-26 17:26:58746 中国– 意法半导体发布了ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、DC/DC直流变压器、油液
2023-10-30 16:03:10262 Nexperia与京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块
2023-11-02 09:27:26292 意法半导体(STMicroelectronics)发布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块，采用方便的32引脚双列直插式模制通孔封装，适用于汽车应用。针对车载充电器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25:52473 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163 
基于碳化硅 (SiC)的25 kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格
2023-11-27 16:15:55331 
前段时间，奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron（，最近，奥迪又有1款碳化硅车型公布，同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 随着科技的不断进步，电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而，随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展，传统的硅基功率器件已经逐渐暴露出其局限性。此时，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的电力电子器件，以其独特的优势逐渐受到人们的关注。
2023-12-06 09:53:18381 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
众所周知，硅（Si）材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼，构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今，碳化硅（SiC）材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料，它可以实现更高
2023-12-21 10:55:02182 “）的碳化硅(SiC)晶圆厂，继获得ISO9001质量管理体系与ITAF16949汽车行业质量管理认证之后，再获2项国际标准认证，表明公司的管理体系在持续完善，体现了公司对环境保护、员工健康安全保护的责任与承诺，并将助力公司健康、持续发展。 未来，瞻芯电子将持续改
2023-12-25 10:14:13269 
SiC材料具有优异的高温稳定性、耐腐蚀性、热导性能和机械强度等优势，因此受到广泛关注和应用。
2023-12-26 10:13:44462 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31337 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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