瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:28
1650 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称 IR） 推出 IRGR4045DPbF 和 IRGS4045DPbF，以此拓展绝缘栅双极型晶体管 （IGBT） 系列。全新 600V 超高速沟道
2012-10-17 09:27:03919 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出IR4311M 和IR4312M，以扩充PowIRaudio™ 集成式功率模块系列。
2013-01-14 11:38:242117 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 （UPS） 应用进行了优化。
2013-06-14 15:22:001278 与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念（如图1 所示），但与600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能
2011-11-16 08:54:111023 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
/小型及通用变频器等电机驱动应用的单相高压IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驱动器可以10V 至20V的栅极驱动电源电压提供可选的依赖或
2008-11-13 20:40:15
MIC5190的典型应用：超高速，大电流有源滤波器/ LDO控制器。 MIC5190提供超高速，可满足微处理器内核，ASIC和其他高速器件的快速负载需求
2020-03-19 10:12:51
我们需要测试的目的是一个超高速设备回环。添加剂成分的需求应尽可能低。我们应该选择哪个设备，FX3，CX3？或者有其他超高速设备可以用于我们的目的吗？ 以上来自于百度翻译 以下为原文We need
2018-10-08 10:15:23
超高速10万转电机（1对极）控制方式讨论
2021-08-27 08:22:31
LT1222的典型应用是低噪声，超高速运算放大器，具有卓越的直流性能
2020-06-05 06:05:07
在超高速数据采集方面，FPGA（现场可编程门阵列）有着单片机和DSP所无法比拟的优势。FPGA时钟频率高，内部时延小，目前器件的最高工作频率可达300MHz；硬件资源丰富，单片集成的可用门数达1000万门；全部控制逻辑由硬件资源完成，速度快，效率高；组成形式灵活，可以集成外围控制、译码和接口电路。
2019-08-02 06:51:33
MAX14978 超高速USB模拟开关
2019-05-27 10:03:33
`NXP的LPC4370是开发虚拟示波器，手持示波器，虚拟逻辑分析仪的最佳选择。带有80mbps的超高速ADC。`
2015-08-06 22:36:54
`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65，原装，库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
低噪声的超高速放大器LMH6629资料下载内容包括：LMH6629引脚功能LMH6629典型应用电路
2021-03-30 08:02:28
45 MHz单电源自适应触发器使用LT1394，超高速，单电源比较器。输出比较器的阈值随输入幅度的变化而变化，保持数据完整性超过> 85：1输入幅度范围
2020-04-10 10:35:36
MIC23201的典型应用：具有超高速控制的2MHz PWM 2A降压稳压器。 MIC23201是一款高效率2MHz，2A同步降压稳压器，具有超高速控制功能。超高速控制提供超快速瞬态响应，非常适合
2020-08-10 09:40:04
LT1221的典型应用是具有卓越DC性能的超高速运算放大器。 LT1221的噪声增益稳定在4或更高
2020-06-04 13:28:26
求大佬分享一款不错的基于FPGA超高速雷达住处实时采集存储系统
2021-04-15 06:56:25
基于FPGA的超高速FFT硬件实现介绍了频域抽取基二快速傅里叶运算的基本原理；讨论了基于FPGA达4 096点的大点数超高速FFT硬件系统设计与实现方法，当多组大点数进行FFT运算时，利用FPGA
2009-06-14 00:19:55
本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。
2021-04-12 06:55:55
与普通的ADC相比，超高速的ADC有哪些性能？超高速ADC的主要应用领域是什么？如何去挑选一个超高速的ADC？
2021-06-22 06:19:40
单电源9V超高速比较器，有推荐的朋友吗？
2020-06-18 22:46:24
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
MS2502是瑞盟科技推出的一款低功率、超高速视频数模转换器。MS2502以从DC至20MHz的采样速率将 数字信号转换成模拟信号。由于高速工作，MS2502适合于数字电视、电脑视频处理及雷达信号
2021-11-01 12:05:54
1、引言数字射频存储器（DRFM）具有对射频和微波信号的存储及再现能力，已发展成为现代电子战系统和仪器测试系统的重要组成部分。作为DRFM 的核心部分，超高速ADC，DAC 的性能直接决定了它处理
2019-07-09 06:57:23
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
组式超高速多功能贴片机由那几部分构成？
2021-04-25 08:38:33
请问超高速SerDes在芯片设计中的挑战是什么？
2021-06-17 08:49:37
咨询超高速比较的是否有差分输入，LVDS输出的？关于差分输入的如何实现过零比较。
2018-08-07 08:13:23
编辑人：LL ASEMI-SFP2006超高速开关二极管的工作原理是什么
2018-11-02 11:09:07
可以提供更大的热预算。 另外，沟道宽度的减小降低了短路电流的水平，这种效应反之亦然 [5]。总之，650V IGBT4 可以抵抗更高的短路能量，从而使器件能够耐受更长的短路脉冲时间而不会损坏。图5中所
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图2. 反向恢复行为新一代CoolMOS™ 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
咨询热线***-同步微信，高价回收KV-7500系列基恩士KEYENCE超高速CPU可编程主机模块，，东莞回收500万像素相机的控制器 基恩士XG-X2500，虎门回收基恩士KEYENCE高速相机
2020-11-09 09:52:50
从高速微控制器系列向超高速闪存微控制器的升级
Porting Applications from the High-Speed Micro Family to Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers
2008-07-27 23:26:30835
从高速微控制器系列向超高速闪存微控制器的升级
摘要：多种原
2008-08-13 13:29:32628 超高速雷达数字信号处理技术
综述了超高速雷达数字信号处理技术的应用背景、研究内容、关键技术及解决方法.采用超高速数字信号处理技术实现
2009-10-21 15:43:361651 
超高速充电电池
超高速充电电池 “十
2009-11-28 17:25:44664 思科推出新一代超高速路由器
3月10日消息，据国外媒体报道，思科星期二推出了超高速互联网硬件并且许诺说这种产品将通过以惊人的速度传送海量数据提高美国的竞
2010-03-10 09:02:38585 艾科瑞德推出超高速数据采集处理平台DSPEED-ADC_S4000
北京艾科瑞德科技日前宣布，其采用业界顶级超高速10bit 2GSPS ADC的数据采集处理
2010-03-27 10:33:31659 
Maxim推出双通道与四通道超高速DisplayPort无源开关
Maxim推出具有独立AUX和HPD控制的双通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 无源开关。器件
2010-04-09 12:19:21600 
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开
2010-09-20 08:59:091077 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管
2011-09-07 17:59:471386 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热
2011-09-28 09:08:05916 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布扩充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出专为下一代服务器、消费者及通信系统优化的 40A IR3553。
2011-12-06 16:06:311102 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3551以扩充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特别适合下一代服务器、台式电脑、显卡及通信系统应用。
2012-02-17 09:37:09987 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日扩充600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，这些经过优化的新器件尤为适合不间断电源 （UPS）、太阳能、感应加热、工业电机和焊接应用。
2013-02-19 10:58:47995 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。
2014-03-10 09:50:221531 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，并提供多种封装选择。
2014-05-14 13:58:421271 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗，旨在为焊接应用做出优化。
2014-08-19 16:31:532356 2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 超高速采样技术及其在远程超宽带雷达信号处理中的应用研究
2016-12-28 10:16:43
12 意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止（TFS）技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:533363 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 
AD9901：超高速鉴相器/鉴频器数据表
2021-04-19 09:36:2214 AD9768：超高速IC D/A转换器数据表
2021-05-08 18:55:090 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:264582 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 
ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25724 
超高速接口的 ESD 保护-PUSB3F96
2023-02-20 18:53:200 超高速接口的 ESD 保护-PHDMI2F4
2023-02-20 18:54:460 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3AB4
2023-02-20 19:32:550 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3FR6
2023-02-21 18:37:480 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3TB6
2023-02-21 19:11:550 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3FR4
2023-02-21 19:17:250 超高速接口的 ESD 保护-PHDMI2FR4
2023-02-21 19:31:320 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3FA0
2023-02-23 18:58:080 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3F99
2023-02-23 19:02:230 超高速接口的 ESD 保护-PUSB3F97
2023-02-27 19:09:081 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器，产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40559 
如何检测复杂的超高速调制光信号？ 1. 背景介绍 随着通信技术的不断发展，越来越多的通信系统采用了超高速调制光信号传输数据。超高速调制光信号的传输速度非常快，可以达到每秒数十亿次甚至数百亿次。然而
2023-10-30 11:01:09212 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源，提供SGTP75V65SDS1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19564
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