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半导体硅片行业报告，国产替代进程加速

第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被称为宽禁带半导体材料。

2024-01-23 标签：半导体材料 SiC 氮化镓半导体制造碳化硅 975

瑞萨宣布收购Transphorm，双方已达成最终协议

此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。

2024-01-19 标签：瑞萨 GaN Transphorm 323

碳化硅IDM巨头实现突破，年产能24万片！

业内周知，功率SiC IDM 仍是其主流商业模式，而6英寸是龙头厂商的主流SiC晶圆尺寸。在供不用求的刺激下，行业内已有多家公司基于这一成熟平台有多种产能扩张计划。

2024-01-19 标签：MOSFET 功率器件 IDM 碳化硅功率芯片 1330

IGBT搭乘新能源快车打开增长空间天花板

功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场规模最大，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较大功率、大电压的产品，IGBT属于功率器件的一类产品。

2024-01-17 标签：集成电路二极管 IGBT 晶体管功率器件 430

GaN巨头NexGen Power Systems破产：垂直...

NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。

2024-01-17 标签：逆变器驱动系统氮化镓 GaN 707

国内主要碳化硅衬底厂商产能现状

国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。

2024-01-12 标签：功率器件半导体材料碳化硅 3108

三安与朗明纳斯达成美洲独家销售协议，加速宽禁带半导体市场拓展

据了解，三安半导体与朗明纳斯均为三安光电集团的子公司，2013年，三安光电收购了朗明纳斯100%股权。

2024-01-12 标签：SiC GaN 功率半导体三安宽禁带半导体 531

揭秘DFN3820A二极管封装技术的创新

早期，二极管封装重点是为了满足基本的功能性和稳定性。SMB(DO-214AA ) 和 SMC(DO-214AB) 封装形式，作为行业的早期标准，为电子产品提供了可靠和经济的解决方案。

2024-01-09 标签：二极管电子元器件 Vishay 肖特基整流器 459

爱仕特1700V碳化硅功率模块已实现量产

基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。

2024-01-04 标签：SiC 功率模块碳化硅 800

宽禁带半导体技术的前沿发展有哪些

逆变器是将直流电转换为交流电的电源电路。在应用设备中，为了实现节能，对小型、轻量、高效的逆变器的需求不断增加。为了实现逆变器的高速运行，已经提出使用宽带隙半导体和结合n沟道和p沟道晶体管的互补功率逆变器。

2024-01-03 标签：MOSFET 逆变器 SiC 功率半导体宽禁带半导体 846

日本团队开发出一种“常关”钻石 MOSFET

MOSFET是一种MOS结构的场效应晶体管(FET)，具有高速、低导通电阻、高击穿电压的特点，特别适合作为电机驱动的开关元件，高速开关大电流等已经完成。

2023-12-29 标签：MOSFET 晶体管场效应晶体管金刚石 421

碳化硅器件领域，中外的现况如何？

导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。

2023-12-27 标签：IGBT 场效应晶体管功率器件 SiC 碳化硅 441

半导体分立器件行业发展趋势分析

近年来，全球半导体分立器件行业市场规模呈现波动变化。根据数据显示，2021年全球半导体分立器件行业市场规模为303.37亿美元，同比增长27.4%，2022年进一步同比增长12.1%，为339.93亿美元。

2023-12-25 标签：MOSFET IGBT 功率器件工业控制半导体分立器件 1052

碳化硅是新能源汽车800V高压快充标配？

根据 Yole 数据，2021 年 SiC 市场份额前五厂家均为欧美日企业，合计占据 93%的市场份额，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球 40% 的市场份额。

2023-12-22 标签：新能源汽车 IGBT SiC 碳化硅 800V平台 728

全球大厂带节奏，日本功率半导体市场承受压力

近日，日本电子元器件领域的两家重要企业罗姆半导体和东芝，联合发布声明，计划进行一项巨额投资。

2023-12-21 标签：SiC GaN 存储芯片功率半导体功率芯片 277

数字IC与模拟IC的架构差异

如今的芯片大多数都同时具有数字模块和模拟模块，因此芯片到底归属为哪类产品是没有绝对标准的，通常会根据芯片的核心功能来区分。在数模混合芯片的实际工作中，数字IC与模拟IC工程师也是遵照各自的流程分别开展工作。

2023-12-20 标签：模拟IC cpu 微处理器模拟芯片数字芯片 777

特斯拉为何对碳化硅忽冷忽热？

第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料，锗做的晶体管曾经也是流行的老大，但由于速度较慢、不耐热等缺点，在八十年代初就被硅基管给取代了，一直到现今，90％以上的芯片都是以硅为基底，晶圆也基本都是硅片（就是沙子）。

2023-12-20 标签：晶体管特斯拉半导体器件碳化硅 234

纳微半导体GeneSiC起源与SiC的未来

GeneSiC 在满足汽车行业需求的经验还包括开发快速充电站解决方案，这对 EV 的快速普及至关重要。以 SK Signet 最近设计的额定 350kW 快速充电桩为例，它可以将 277VAC 的市电变换为200~950VDC 精准控制的电压，适用于 400V 和 800V 电压平台的 EV。

2023-12-13 标签：二极管晶体管 SiC 电机绕组纳微半导体 1163

碳化硅晶片制备技术与国际产业布局

碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。

2023-12-12 标签：单晶片碳化硅 763

一种具有新信号处理行为的光控二极管研究发布

据麦姆斯咨询报道，近日，中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管，相关研究成果在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。

2023-12-12 标签：集成电路二极管光电探测器光学成像光电芯片 240

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