德赢Vwin官网
App
由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内FLASH存储器中保存非易失性数据的应用方式来达到使用要求。对一些普通的应用场合，这种使用方式可以满足要求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来vwin
EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。
1.1 写方法
外置EEPROM和采用Flash 模拟EEPROM的最大不同之处在于写的方法。
EEPROM：对EEPROM 的写操作不需要额外的操作，只需要提供电源供给;但是一旦启动写操作流程后，写操作不能够被打断。所以需要外接电容器等措施来保证在芯片掉电时能够维持供电，保证完成数据操作。
Flash 模拟EEPROM：当芯片上电后，写操作可以被电源掉电和芯片复位打断。和EEPROM 相比，需要应用设计者增加相关的处理来应对可能存在的异常。
1.2 擦写时间
EEPROM和采用Flash 模拟EEPROM在擦除时间上存在很大的差异。
与Flash 不同，EEPROM 在进行写操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要几个毫秒时间进行擦除操作，所以如果在进行擦除操作的过程中出现电源掉电的情况，需要软件做相关的保护处理。为了设计一个健壮的Flash 存储器的管理软件，需要深入的了解和掌握Flash 存储器的擦除过程特性。
1.3 写访问时间
由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同，所以写访问时间也不相同。Flash 具有更短的写访问时间，所以更适用于对存储速度有要求的场合。
FLASH擦写寿命流程
- FlaSh(146586)
- EEPROM(79985)
- Flash存储器(25487)
相关推荐
stm32F0在hal库时钟初始化这里把HSI关掉了，为什么还可以擦写Flash？
stm32F0 Flash擦写操作时 HSI 必须是开启的， 但看 stmF030 hal库1.11.3stm32f0xx_hal_rcc.c 文件里 HAL_RCC_OscConfig 函数
2024-03-14 08:11:24
STM32H750通过spi向stm32发送同步帧，无法收到从机应答是怎么回事？
只有一个扇区，对扇区擦写时，内部flash用于IAP的自定义Bootloader也会被擦写掉。
产品中没有外接的QSPI或其他存储介质，因此自己写BootLoader不太现实。
2024-03-07 06:45:54
AIROC蓝牙模块的使用寿命是多少？
我们计划在我们的项目中使用英飞凌的蓝牙模块之一。
AIROC 蓝牙模块的使用寿命是多少（寿命终止）？ 我们正在寻找一款支持经典蓝牙配置文件或支持双模式（经典和 BLE）的模块。
我们正在寻找一款理想情况下可以获得5年技术支持的蓝牙模块。 3年也是一个不错的术语。
2024-03-01 13:57:03
CW32L052 FLASH存储器
CW32L052内部集成了64KB嵌入式FLASH供用户使用，可用来存储应用程序和用户数据。芯片支持对 FLASH 存储器的读、擦除和写操作，支持擦写保护和读保护。芯片内置 FLASH 编程所需的高压 BOOST 电路，无须额外提供编程电压。
2024-02-28 17:43:59
382
382
PSOC4 EEPROM写操作需要多长时间？为了增加EEPROM擦写次数，组件需要如何配置？
PSOC4 EEPROM 写操作需要多长时间，为了增加EEPROM擦写次数，写操作是在一开辟的空间内滚动操作吗，组件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
TC397对Pflash进行擦写会进入trap的原因？
TC397对Pflash进行擦写，会进入trap，大家遇见过这类问题吗？交流下经验，目前我使用的github上的flash_program的代码，这份代码我单独新建工程测试是正常的，但和我
2024-02-05 08:20:11
使用ILLD库里面的FLASH_demo对PFLASH进行擦写，数据没有被写入到FLASH中是为什么？
使用ILLD库里面的FLASH_demo对PFLASH进行擦写(不做代码修改)，发现PSPR上运行成功了，FLASH驱动也运行了，但是数据没有被写入到FLASH中
2024-02-02 06:48:09
CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片，比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储，TF卡替代方案
。
另外，物联网产品越来越小，对元器件尺寸要求更高。为应对这些问题，SD NAND出现了。它采用SLC NAND Flash，具备长寿命和稳定性，擦写次数可达10万次。内置Flash控制器和Firmware
2024-01-24 18:30:00
stm32f103 flash模拟eeprom
Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可擦写的非易失性存储器，可以在不使用外部电压的情况下对其进行擦除和编程。它不同于Flash存储器的主要特点是可
2024-01-09 11:21:36372
372ADP1046AEEPROM利用单片机通过i2c对其电压输出寄存器进行频繁擦写会不会影响其寿命？
1.利用单片机通过i2c对其电压输出寄存器进行频繁擦写会不会影响其寿命？
2.其内部的电压、电流等采样的寄存器是如何实时擦写的？会不会影响其寿命？
3.问题1和问题2有什么不同？
请指教，谢谢！
2024-01-08 08:18:32
OTP语音芯片与可重复擦写（Flash型）语音芯片：特性比较与应用差异
在嵌入式语音应用中，OTP（一次性可编程）语音芯片与可重复擦写（Flash型）语音芯片是两种常见的存储解决方案，它们在特性和应用上存在明显差异。本文将深入比较这两类语音芯片的区别，以帮助读者更好地理
2023-12-14 10:13:30167
167
什么是可重复擦写（Flash型）语音芯片？
什么是可重复擦写（Flash型）语音芯片？可重复擦写（Flash型）语音芯片是一种嵌入式语音存储解决方案，采用了Flash存储技术，使得语音内容能够被多次擦写、更新，为各种嵌入式系统提供了灵活的语音
2023-12-14 10:08:54185
185
前置过滤器的使用寿命有多长？
前置过滤器的使用寿命有多长？ 前置过滤器的使用寿命有多长，这是一个相对而言的概念，因为它的使用寿命取决于多个因素。下面将详细介绍前置过滤器的使用寿命以及影响因素。 一、什么是前置过滤器？ 前置过滤器
2023-12-11 11:38:01409
409eeprom和flash的区别的作用
在计算机和电子设备中广泛使用。EEPROM和Flash Memory有很多共同之处，比如它们都属于非易失性存储器，可以在断电后保留数据。然而，它们也有一些关键的区别，包括擦除方式、写入速度、使用寿命
2023-12-07 16:10:20516
516
Flash的健康状态监测在工业应用上的优势
米客方德的SmartFunction主要功能是动态监测和反馈Flash状态信息，如总写入数据量、坏块数、使用寿命、正常/异常掉电次数等，便于用户修正Bug，对系统做OTA升级和后
2023-11-14 08:13:05129
129
Flash的健康状态监测在工业应用上的优势
MK-米客方德的Smart Function主要功能是动态监测和反馈Flash状态信息，如总写入数据量、坏块数、使用寿命、正常/异常掉电次数等，便于用户修正Bug，对系统做OTA升级和后续产品迭代。
2023-11-13 16:21:57155
155
Nand Flash接口定义解析 基于AMD FPGA的Nand Flash接口读写实现
Nand Flash因其具有容量大、成本低、寿命长的特点，被广泛的用作数据存储的解决方案。然而NandFlash的读写控制较为复杂，Nand Flash的接口控制器大多是基于PC机或ARM处理器为架构进行开发的，存在操作不方便的问题。
2023-11-10 09:40:482684
2684
FLASH语音芯片和MP3音乐芯片的不同之处
Flash语音芯片可重复擦写，内置存储空间大，可定制个性化功能；而MP3音乐芯片音质佳，更新语音内容简单，具有独特的晶振器，USB直接虚拟flash成U盘，更新语音方便快捷。
2023-11-02 15:32:39288
288写flash芯片时为什么需要先擦除？
数量的页（Page）组成，每页又可以分成若干个扇区（Sector），扇区是Flash芯片的操作基本单位，通常为512字节或1K字节大小，而整个Flash芯片的容量则可以达到数个GB以上。Flash芯片的特点是擦写次数是有限的，每个扇区只能擦写数千次甚至更少次，而写入次数则几乎是无
2023-10-29 17:24:372315
2315为什么Nor Flash可以实现XIP，而Nand flash就不行呢？
移动部件，它们的寿命更长。 NOR Flash和NAND Flash都是Flash存储器的类型，但它们的应用非常不同。 NOR Flash可以实现XIP，而NAND Flash却行不通。下面我们将详细
2023-10-29 16:32:58646
646如何提高FLASH使用寿命以实现EEPROM的功能呢 ?
stm32的FLASH擦除是按整页或者整扇区擦除的，不同芯片的页或者扇区(下边统称为页)的大小是不一样的，有1K，16K，64K，128K等大小。
2023-10-23 17:44:08652
652
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24:03
NAND FLASH与NOR FLASH的技术对比
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471
471
XM1008/XM1009数据手册
芯片特点：1. 二进制兼容 HEX替换，不修改软件替换2. M0内核Coremark 跑分和ST一致，内核不会变慢（真正做到性能替换）3. ADC精度 （国内领先）4. ESD可以到8KV，SRAM带奇偶校验可靠性指标（国内领先）5. flash 擦写保证2万次，寿命到100年
2023-09-21 06:31:32
HK32MCU应用笔记（十七）| HK32F103xC/D/E-flash擦写应用及注意事项
HK32MCU应用笔记（十七）| HK32F103xC/D/E-flash擦写应用及注意事项
2023-09-18 10:58:31626
626
NAND Flash和NOR Flash的差别
存储器，NOR 与NAND 存储逻辑的差异导致二者的应用场景有很大不同。NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命，因此适合用来存储代码；NAND 的优势在于单位比特成本，花同样的钱可以获得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905
1905
FLASH器件特性 FLASH操作的电路原理详解
Flash 分为 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮栅场效应管(FloatingGate FET) 作为基本存储单元来存储数据的，浮栅场效应管共有4个端电极，分别
2023-09-09 14:27:383595
3595
语音芯片的型号有哪些？为什么强烈推荐使用flash型可擦写的
语音芯片的型号有哪些？为什么强烈推荐使用flash型可擦写的芯片。这里我们简单描述一下如下常见类容：
1、他们都有什么特点？以及发展的历程简介
2、常见的语音芯片有哪些？
3、为什么推荐使用flash型可以重复擦写的
2023-08-14 11:05:24397
397
Lauterbach的debug工具可以支持GD32VF103的Flash擦写吗？
如题，Lauterbach的debug工具可以支持GD32VF103的Flash擦写吗？
或者说，大家能否推荐一款比较成熟的debug工具，IDE也行。
2023-08-12 08:28:56
SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
pSLC模式后，仅保存1bit数据。
二、各NAND FLASH的特点
MLC常用制程为15nm，擦写次数约为3000次，改为pSLC模式后约为2万次。
三、pSLC的优缺点
pSLC具有以下优点
2023-08-11 10:48:34
STM32F030C8T6的flash memory的擦写次数是多少
你好，我查了很多datasheet，关于STM32F030C8T6的flash memory的擦写次数，但是就没有找到这个问题的答案，请帮忙解答一下
2023-08-07 08:49:39
国产车规级SPI NOR Flash替代芯片
SPI NOR Flash可存储配置和校准数据，满足车载应用对参数存储的各种需求，具有高可靠性；低失效率；擦写次数最高可达400万次以上；温度适应能力强；数据可存储100年等特点。可以覆盖从消费级，到工业级，直至汽车级的所有应用，产品在可靠性，功耗，温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。
2023-07-07 16:58:17332
332161手写板擦写自动控制芯片规格书
161手写板合封芯片是一款通用的手写板擦写自动控制芯片。它采用3V纽扣电池或者两节或者三节普通干电池供电，自带升压电路，并每次自动产生正负脉冲的高压擦写脉冲，以达到一次性对手写板进行擦写的目的
2023-07-03 15:28:56
0
0Renesas Flash Programmer ご使用の前ニ / Renesas Flash Programmer 使用前准备
Renesas Flash Programmer ご使用の前ニ / Renesas Flash Programmer 使用前准备
2023-06-30 19:56:590
0NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点介绍
非易失性存储元件有很多种，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前两者已经基本被淘汰了，因此我仅关注后两者
2023-06-29 09:06:051887
1887
关于N76E003 FLASH擦写次数的疑问求解
N76E003 FLASH 擦写次数几项不太清楚，还请指教
1，FLASHE当EEPROM用时，我在第一次用的时候已经擦除整页了，后续如果我想改变一页中的个别字节时，是否需要在将一整页擦除在重写
2023-06-25 10:24:18
用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万？
flash擦写次数有限，用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万。
2023-06-14 07:11:59
xSPI NOR Flash的“x”代表什么？
Flash闪存是一种存储器,主要用于一般性程序存储，以及电脑与其他数字产品间交换传输数据。根据内部存储结构不同,Flash主要有两种，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468
468深入i.MXRT1050系列ROM中串行NOR Flash启动初始化流程
我们知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外设引脚上，有时串行NOR Flash启动也叫FlexSPI NOR启动。
2023-06-02 17:43:28928
928
芯存者SD NAND FLASH
替代普通TF卡/SD卡，尺寸6x8mm毫米，内置SLC晶圆擦写寿命10万次，通过1万次随机掉电测试耐高低温，支持工业级温度-40°~+85°，机贴手贴都非常方便，速
2023-05-28 15:46:27
单板硬件设计：存储器（ NAND FLASH)
，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
flash:
flash属于广义的EEPROM
2023-05-19 15:59:37
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。 FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于
2023-05-04 13:56:111160
1160
LPO的使用寿命是多少？
我们正在使用 S32K 系列，我们正在使用内部时钟 (LPO) 之一来同步 LIN 收发器。我们需要定义每个产品的寿命，其中一个依赖项需要 S32K144 中 LPO 的频率与寿命。如果对低功率振荡器的老化因素（使用 15 年）进行了任何分析，您能否分享一下？谢谢。
2023-04-06 08:58:51
工商网监
评论