想用IS62WV51216扩充SRAM，使用了正点原子的mymalloc内存管理，但是内存初始化后一段时间就mymalloc分配地址失败，发现是内存状态表全部不为0，换了一块IS62WV5121还是一样，有大佬知道可能是什么原因不
2024-03-18 06:10:11
存储芯片是一种用于存储数据的集成电路芯片，也被称为存储器芯片。
2024-02-29 09:09:22
393 ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ram）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:51517 
我想使用 DAP 协议对 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 进行编程。
是否有任何记录了 DAP 协议详细信息的相关文档？ 如何通过 DAP 协议访问内部存储器？
提前谢谢了！
2024-01-23 07:51:15
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存储器），又称为SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）；另一种是Non-volatile RAM（非易失性存储器），又称
2024-01-12 17:27:15513 描述：AT32F403A引脚比较紧张，XMC（类似于STM32 FSMC）只支持复用模式，就是A0-A15和D0-D15都用一个引脚，如果要用，只能用锁存器将地址锁存，实现地址线和数据线的分离，目前
2024-01-04 10:46:19
人工智能芯片通常使用 SRAM 存储器作为缓冲器（buffers），其可靠性和速度有助于实现高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
DRAM芯片全称是动态随机存储器，是一种随机存储器（RAM），与CPU直接交换数据，可随时读写且速度快，断电后存储数据丢失，是易失性存储器，也就是俗称的“内存”。
2023-12-26 12:25:561003 
从存储芯片的市场表现来看，两大类别DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存存储器）目前的价格较今年谷底都出现了上涨。
2023-12-19 15:19:32136 SRAM (Static Random Access Memory)是一种高速、随机访问的存储器，它以其快速的读写操作和不需要刷新的特点而受到广泛使用。本文将详细介绍SRAM的读写电路设计
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。
2023-12-06 11:15:31635 如果按照资料里的：0x1419 0x0000 准备从存储器位置0x19读取数据。
0x2000 0x0100 准备从控制寄存器读取数据。SDO输出16位字，其中最后10位包含存储器位置0x19的内容
2023-12-06 06:04:03
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17732 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
电表作为一个计量用电量的仪器，电表的精度不但与检测芯片的精度有关，而且与其存储方式有关，如果检测到的电量数据不能随机写入存储器或写入存储器过程出错电表的精度就会大大降低。 在智能电表数据
2023-11-21 09:59:20
20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。 半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的数量是任何人工智能处理解决方案的关键要素，它的数量在很大程度上取决于您是在谈论数据中心还是设备，或者是训练还是推理。但我想不出有哪些应用程序在处理元件旁边没有至少大量的 SRAM，用于运行人工智能训练或推理。
2023-11-12 10:05:05452 单片机的存储器主要有几个物理存储空间
2023-11-01 06:22:38
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
ROM存储和RAM存储在物理结构上有什么区别，如何才能实现只读存储和随机存储？
2023-10-30 07:09:38
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34816 存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
相同点？
感觉6116数据的存取很简单呀？设置成“写入”状态，在地址端0001-0101依次输入数据0001，0010，0011，0100，0101后，把存储器设置成“读出”状态就可以看到输出端
2023-10-07 08:39:25
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
，引脚描述，器件的机械及电气参数，请参考STM8S增强型及基本型数据手册。■ 关于内部FLASH存储器的编程，擦除和保护，请参考STM8S Flash编程手册(PM0051) 和STM8 SWIM
2023-09-25 07:33:11
如何检测24c存储器容量
2023-09-25 06:48:32
存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的单芯片微控制器，集成了ARM®Cortex®-M0+内核
具有高达48 MHz的主频率、高速嵌入式存储器（高达20 KB的FLASH和
至3K字节
2023-09-14 08:16:19
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的单芯片微控制器，集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 20K 字节 FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的单芯片微控制器，集成了主频高达 64MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至
2023-09-14 07:19:09
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的单芯片微控制器，集成了ARM®Cortex®-M0+内核
主频率高达64MHz，高速嵌入式存储器（高达64K字节的FLASH和高达
8K字节
2023-09-14 07:03:34
)都是独立和软件可配置的 每个通道都有3个事件标志位DMA半传输DMA传输完成和DMA传输出错 支持存储器->存储器外设->存储器存储器->外设和外设-&
2023-09-13 08:06:16
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
单精度数据处理指令和所有数据类型。
它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和增强了应用程序安全性的存储器保护单元(MPU)。
这些器件嵌入了高速存储器(128K字节的闪存和32K字节的SRAM
2023-09-13 06:03:29
存储器是计算机中的重要组成部分，用于存储程序、数据和控制信息等。根据存储信息的介质和访问方式的不同，存储器可以分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和硬盘存储器等几类。本文将介绍存储器的工作原理、分类及结构。
2023-09-09 16:18:272105 库的慢-慢工艺点对块进行合成，以200 MHz的目标速度确认时序特性。
接口存储器端口上的信号符合RAM编译器为TSMC CL013G工艺技术生产的单端口同步存储器组件所要求的时序要求
2023-08-21 06:55:33
技术，每种技术都具有不同的特性和高级功能。双数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 已成为主系统存储器最主流的存储器技术，因为它使用电容器作为存储元件来实现高密度和简单架构、低延迟和高性能、无限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
发出警报声。 本文主要介绍国产铁电存储器PB85RS2MC用于医疗生命监护仪的存储方案中。对于这些应用，铁电存储器与EEPROM相比可以更频繁地写入，设备可以
2023-08-16 10:30:26
想用IS62WV51216扩充SRAM，使用了正点原子的mymalloc内存管理，但是内存初始化后一段时间就mymalloc分配地址失败，发现是内存状态表全部不为0，换了一块IS62WV5121还是一样，有大佬知道可能是什么原因不
2023-08-07 08:28:34
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的动态存储器控制器（DMC）和静态存储器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一种符合高级微控制器总线体系结构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备。它由ARM有限公司开发、测试和许可。
AHB MC利用了新开发的静态存储器控制器（SMC）。AHB MC有一个
2023-08-02 07:14:25
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032204 本次操作的SRAM的型号是IS62WV51216，是高速，8M位静态SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技术，按照512K个字（16）位进行组织存储单元。
2023-07-22 14:58:561092 
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
可编程控制器的存储器由只读存储器ROM、随机存储器RAM和可电擦写的存储器EEPROM三大部分构成，主要用于存放系统程序、用户程序及工作数据。
2023-07-11 14:26:421719 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 存储器是用来进行数据存储的（指令也是一种数据），按使用类型可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机访问存储器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最为常见的一种形式。
2023-06-27 16:45:30458 
静态随机存储器(SRAM: Static Random Access Memory) 和动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图16. RA6M3存储器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供带
2023-06-21 12:15:03421 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
随机存取存储器(SRAM)，而系统存储器(4KB)除可作启动加载程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用户程序和数据区，达到64+4KB的最大空间使用。片上还集成1个OTG控制器(设备模式支持
2023-06-08 16:10:08
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
随机存储器可以随时从任何一个指定地址中读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中
2023-06-05 15:49:47785 
************************************************* *************************************
* 详细说明：
* 这个例子的目的是展示如何保存数据在 SRAM 存储器中通过
2023-06-05 09:47:48
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）静态随机存储器
2023-06-01 09:18:00
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55313 存储器是集成电路领域的通用器件，其市场用量巨大，从类型上分为 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
铁电存储器硬件接线图传统的数据存储器，读写速度较慢，存储单元反复擦写后容易损坏，无法满足机舱油气浓度数据存储的要求，故此，国产铁电存储器可快速读写，擦写次数可达1E6 次读/写操作*1，是本方案最理想的选择。
2023-05-18 12:39:21137 
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0内核，带有存储器保护单元。最高支持48MHz系统时钟频率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
通过quad SPI接口选择FLASH存储器与RT1172一起使用时，应该将其设置为Buffer Read模式还是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存储器( Flash存储器和 SRAM的容量分别高达 1M
2023-04-20 18:11:37
单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存储器( Flash存储器和 SRAM的容量分别高达 1M
2023-04-19 21:13:57
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462542 51单片机外扩数据存储器最大的容量是多少？可以达到50MB吗？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553817 
数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构
2023-04-07 16:42:42
产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
恩智浦半导体宣布推出新款芯片UCODE 9xm，兼具灵活的大容量存储器及先进的读/写性能。UCODE 9xm旨在提高整个系统的可靠性和准确性，使客户能够利用更小的标签天线，对更小的物体进行单独标记
2023-04-07 13:31:15850 推出新款芯片 UCODE 9xm ，兼具灵活的大容量存储器及先进的读/写性能。UCODE 9xm旨在提高整个系统的可靠性和准确性，使客户能够利用更小的标签天线，对更小的物体进行单独标记，并将其集成到智能制造过程、供应链管理和追踪应用中。用户可以凭借该产品灵活地标记多
2023-04-07 08:15:02519 这两个存储器，从而提高性能并允许在同一个周期访问程序和数据。存储器映射中包含片上RAM、外设I/O寄存器、程序ROM、数据闪存和外部存储器区域。 图13. RA2A1存储器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存储器，同步指存储器的工作需要参考时钟。
2023-04-04 17:11:323330 
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
外部存储器引发的性能损失。-4 组8通道增强型 PWM 控制器，其中 2 组高分辨率PWM调制精度高达100ps，提升了系统控制精度，并可实现单芯片控制多轴电机或者单芯片实现复杂拓扑的数字电源。-2 个
2023-04-03 14:32:24
存储器按存储介质特性来说，可以分为两类，一类就是易失性存储器，一类是非易失性存储器。从计算机角度上看，易失性存储器可以理解为内存，而非易性存储器可以理解为硬盘。
2023-03-30 14:22:431551 
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