德赢Vwin官网
网报道（文/梁浩斌）碳化硅衬底作为碳化硅产业的上游核心材料，在下游器件需求高速增长下，近年来衬底厂商加速推进8英寸衬底的量产进度，去年业界龙头Wolfspeed已经启动了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:00
2280 
聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:2964 衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
预计该项目投资总额3.5亿元人民币，将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:01216 。 GEN20-Q MBE 系统是专为量子器件生长而设计的多腔室系统，将用于超导体和半导体材料的外延生长，具有优异的晶体和超导特性。这种工艺能力将进一步提高关键器件的特性，并实现从研究开发到大批量生产的规模化
2024-02-26 12:14:2563 只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
随着科技的飞速发展，超材料和超表面作为新兴研究领域，吸引了广泛关注。它们通过人工设计的结构，能够在特定条件下表现出特殊的物理性质，为光电子领域带来革命性的变革。COMSOL Multiphysics
2024-02-20 09:20:23
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬底与外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应用场景。
2024-01-17 09:38:29309 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线，覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。
2024-01-12 11:37:03863 
本文将解答千兆多模光模块SFP-GE-SX的一些常见问题。SFP-GE-SX具有高速、灵活和高性价比等特点，适用于多种不同的应用场景。
2024-01-08 13:37:11129 探索SiC外延层的掺杂浓度控制与缺陷控制，揭示其在高性能半导体器件中的关键作用。
2024-01-08 09:35:41630 
在功率和光子学应用强劲扩张的推动下，到2029年，全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展，射频探索新的市场机会。
2024-01-05 15:51:06353 
近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23523 碲锌镉（CZT）单晶材料作为碲镉汞（MCT）红外焦平面探测器的首选衬底材料，其表面质量的优劣将直接影响碲镉汞薄膜材料的晶体质量以及成品率，故生产出外延级别的碲锌镉衬底表面是极其重要的。
2024-01-02 13:51:18157 
AlN单晶衬底以其优异的性能和潜在的应用前景引起了人们的广泛研究兴趣. 物理气相输运（PVT）是最适合AIN衬底制备的方法。
2023-12-28 09:20:22316 
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305 
当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:15510 碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
据悉，研究人员使用金属有机气相外延技术在覆盖有微图案SiO2掩模的石墨烯层上生长GaN微盘。然后将微盘加工成Micro LED，并成功转移到可弯曲基板上。这项研究表明，可通过石墨烯上生长出高质量LED，并将其集成到灵活的Micro LED设备中。
2023-12-13 16:55:39487 
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。期间在“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，Nitride
2023-12-09 14:47:15567 
GaN性能优异，在光电子、微电子器件应用广泛，发展潜力巨大；进一步发展，需提升材料质量，制备高质量氮化镓同质衬底。
2023-12-09 10:24:57716 晶盛机电公司决定从2017年开始，碳化硅生长设备及技术研发（r&d）开始，通过研究开发组的技术攻坚，2018年，公司成功开发了6英寸生长碳化硅决定，2020年长征及加工研发试验生产线建立。”
2023-12-06 14:08:17379 ，结合分子束外延技术，在InAs衬底上生长带间级联激光器材料，制备的窄脊器件室温激射波长接近4.6μm和5.2μm。
2023-12-06 10:18:00255 
清软微视是清华大学知识产权转化的高新技术企业，专注于化合物半导体视觉领域量检测软件与装备研发。其自主研发的针对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的衬底和外延无损检测装备Omega系列产品，
2023-12-05 14:54:38767 
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878 
通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。
2023-11-23 15:14:40232 
半导体器件为什么要有衬底及外延层之分呢？外延层的存在有何意义？ 半导体器件往往由衬底和外延层组成，这两个部分在制造过程中起着重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意义。 首先，衬底是半导体
2023-11-22 17:21:281509 半导体的外延片和晶圆的区别？ 半导体的外延片和晶圆都是用于制造集成电路的基础材料，它们之间有一些区别和联系。在下面的文章中，我将详细解释这两者之间的差异和相关信息。 首先，让我们来了解一下
2023-11-22 17:21:252332 背景 András Deák博士的研究重点是了解分子如何相互作用并附着在纳米颗粒表面背后的物理学。许多应用依赖于以预定方式附着在纳米颗粒表面的引入分子。然而，如果纳米颗粒已经有分子附着在其表面，则不
2023-11-15 10:33:52174 
我的设计中使用了 ADA4530 这款芯片，用于科学研究，目前已经进行到了验证阶段。
其用户指南（UG865）中提到要使用高纯度的异丙醇溶剂在超声波水浴机中清洁。
我准备购买一款市面上常见的普通
2023-11-13 13:03:48
HVPE主要是利用生长过程中的化学反应，如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的制备，具有生长温度高、源炉通气量大、生长速率大的特点，一般用来制备厚膜以及自支撑衬底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081212 
科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40722 SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317 
FPC电镀的前处理 柔性印制板FPC经过涂覆盖层工艺后露出的铜导体表面可能会有胶黏剂或油墨污染，也还会有因高温工艺产生的氧化、变色，要想获得附着力良好的紧密镀层必须把导体表面的污染和氧化层去除，使导体表面清洁。
2023-10-12 15:18:24342 SOI是Silicon-On-Insulator的缩写。直译为在绝缘层上的硅。实际的结构是，硅片上有一层超薄的绝缘层，如SiO2。在绝缘层上又有一层薄薄的硅层，这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。而在传统的硅制程中，芯片直接在硅衬底上形成，没有使用绝缘体层。
2023-10-10 18:14:031123 
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06525 
此外，研磨技术的缺点还有统一性不高，多片加工时对外延片的厚度的组合比较苛刻，并且加工效率较低。如果将研磨后的外延片再进行CMP处理，则需要较长的时间才能去除掉损伤层。并且由于衬底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的减薄要求也不同，整体加工效率较低。
2023-09-27 16:35:43430 
由SiC 粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。
2023-09-26 16:12:371063 
碲镉汞材料具有截止波长在红外波段内可调节、光学吸收系数高、量子效率高等特点，是重要的红外探测器应用材料之一。近年来分子束外延生长碲镉汞技术的快速发展，使用分子束外延制备高性能、多色红外焦平面
2023-09-26 09:18:14283 
，另一方面需要控制材料表面的缺陷密度，减少由缺陷导致的碲镉汞外延片可用面积损失。研究人员已经对碲镉汞薄膜的表面缺陷进行了大量研究。液相外延碲镉汞材料表面出现的贯穿型缺陷深度超过10 μm，与碲镉汞材料的厚度相近，可达碲锌镉衬底界面
2023-09-10 08:58:20368 
导电型衬底Wolfspeed一家独大，绝缘型衬底天岳先进入围前三。2020年全球导电型SiC衬底依旧被Wolfspeed、II-VI、罗姆垄断，CR3高达90%，其中Wolfspeed市占率高达62
2023-09-07 16:26:321577 
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。
2023-09-01 14:07:44737 CVD因具有可控、高质量生长石墨烯的优点而引起国内外关注，据报道石墨烯薄膜可在多个衬底上生长，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工艺生长单层石墨烯，可实现晶粒可调、降低石墨烯固有强度、降低碳原料分解的能量屏障，一定条件下，CVD工艺能带来可扩展、经济、可重复且易于使用的优点。
2023-09-01 11:12:53338 
半导体激光器外延材料生长技术是半导体激光器研制的核心。高质量的外延材料生长工艺，极低的表面缺陷密度和体内缺陷密度是实现高峰值功率输出的前提和保证。另外杂质在半导体材料中也起着重要的作用
2023-08-29 16:40:20473 
近日，日本化工企业旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生产出了首款4英寸氮化铝（AlN）衬底，展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性，以满足各类应用的生产需求。
2023-08-29 14:37:29847 氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、高频率和高温应用。
使用氮化镓衬底可以在上面生长
2023-08-22 15:17:312376 重建物体的三维模型。这种测量方式具有非接触性、高精度、高速度等优点，非常适合用于金属等材料的表面测量。
光学3D表面轮廓仪可以测量金属的形状、表面缺陷、几何尺寸等多个方面：
1、形状测量。光学3D表面
2023-08-21 13:41:46
第三代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势，从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看，第三代半导体均比硅材料优秀，因此，第3代半导体的引入可以很好地解决现如今硅材料的不足，改善器件的散热、导通损耗、高温、高频等特性，被誉为光电子和微电子等产业新的发动机。
2023-08-18 09:37:14428 氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。
2023-08-17 14:24:16412 
制造业的全面智能化发展对工业产品的质量检测提出了新的要求。本文总结了机器学习方法在表面缺陷检测中的研究现状，表面缺陷检测是工业产品质量检测的关键部分。首先，根据表面特征的用途，从纹理特征、颜色特征
2023-08-17 11:23:29529 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341001 
自动清洁离子风机是一种能够自动清洁空气中的离子，并同时进行空气净化的设备。它采用先进的离子生成技术，可以释放负离子并吸附空气中的污染物，如细菌、病毒、灰尘、花粉等，将它们沉积在设备表面。当设备侦测
2023-08-11 09:32:30237 
GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
在光伏发电系统中，光伏组件表面积聚灰尘、异物，会很大程度上影响光电转换效率。为此，设计了一种光伏组件智能清洁机器人，包括对其硬件系统和清洁方案的设计，能够实现对光伏组件的自动清扫。同时，针对智能清洁
2023-08-08 14:27:251651 
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。
2023-08-05 10:31:47913 
SiC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数和热膨胀系数，有着优良的热导率，是GaN基的理想衬底材料。SiC衬底加工技术已然成为器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接影响外延薄膜的质量以及器件的性能。
2023-08-04 15:09:30420 
SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。 主流制造衬底的方式首先以物理气相升华法，在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体。
2023-08-04 11:32:13398 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-03 11:21:03286 
金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质外延单晶金刚石的发展进行了阐述。
2023-07-12 15:22:23843 
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统, 实现小规模试验中 2-4 英寸硅片等半导体衬底表面的清洁, 确保样品表面清洁无污染, 满足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制备.
2023-07-07 14:55:44439 
7月3日，中国商务部、海关总署发布公告，表示对镓、锗相关物项实施出口管制，其中包含金属镓、氮化镓（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等，出口商如果想开始或继续出口，将需要向中国商务部申请许可证，并需要报告海外买家及其申请的详细信息。该规定自2023年8月1日起正式实施。
2023-07-05 10:16:46550 该公告规定了涉及金属镓、氮化镓、氧化镓、磷化镓、砷化镓、铟镓砷、硒化镓、锑化镓，以及金属锗、区熔锗锭、磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗、四氯化锗等相关物项的出口许可要求。
2023-07-04 17:21:35935 
计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨
2023-06-26 15:46:04310 
碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节，衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56733 
广义而言，半导体基板即为晶圆。我们可以直接在晶圆表面堆叠晶体管，即半导体电路的基本元件，也可以构建新的一层，将其作为基板并在上面形成器件。特别是用于通信、军事和光学元件等特殊用途的晶体管，或是高性能
2023-06-26 10:05:29417 
SiC薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是生长用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551652 
HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长出GaN晶体。
2023-06-11 11:11:32276 由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 研究机构TECHCET日前预测，尽管全球经济普遍放缓，但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。
2023-06-08 10:12:34436 
随着半导体科技的发展，在固态微电子器件制造中，人们对清洁基底表面越来越重视。湿法清洗一般使用无机酸、碱和氧化剂，以达到去除光阻剂、颗粒、轻有机物、金属污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，随着硅电路和器件结构规模的不断减小，英思特仍在专注于探索有效可靠的清洁方法以实现更好的清洁晶圆表面。
2023-06-05 17:18:50437 
一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底，外延层上制造各类功率器件； 另一种是通过生长氮化镓异质外延，下游应用于5G通讯、国防等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造氮化镓射频器件。
2023-06-03 10:28:35924 
第三代半导体设备 第三代半导体设备主要为SiC、GaN材料生长、外延所需的特种设备，如SiC PVT单晶生长炉、CVD外延设备以及GaN HVPE单晶生长炉、MOCVD外延设备等。
2023-06-03 09:57:01787 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092826 
在新能源行业中应用起来。表面清洁度检测仪是一种常用于检测各种材料表面污染及清洗效果的仪器。它可以测量并分析物体表面的粒径、形状、颜色和表面势能等数据，从而确定其表面的清
2023-05-30 10:54:17336 
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。
2023-05-25 10:13:09679 
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。
2023-05-19 09:06:462464 
从保障外延片品质入手，提升Micro LED生产效率，降低生产成本外，应用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的关键。传统的LED行业普遍在4英寸，而Micro LED的生产工艺会扩大到6乃至8英寸，更大的衬底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 
集成设备制造的缩小图案要求湿化学加工的表面清洁度和表面光滑度，特别是对于常见的清洁技术RCA清洁（SC-1和SC-2）。本文讨论了表面制备参数的特性和影响。
2023-05-06 14:25:04407 
由于成本优化工艺是光伏行业的主要目标，简单的、具有内联能力的清洁可以替代成本和时间密集型的湿化学清洁方法，如来自微电子应用的RCA清洁。
2023-05-06 11:06:40501 
SIC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数和热膨胀系数以及优良的热导率，是GaN基的理想衬底材料，如LED,LD。因此，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接会影响外延
2023-05-05 07:15:001154 
一、设备的清洁 1、操作前需要细致检查设备的表面，如果发现有任何污垢，就要及时清洁，以免影响设备的正常操作。 2、清洁设备的时候，可以用净水把表面的污垢浸泡一下，再用软布擦拭，这样可以有效的清洁设备
2023-04-26 15:18:05411 
SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。
2023-04-25 10:44:081396 
污染物的问题正日益突出。尽管传统表面贴装技术（SMT）很好地利用了低残留和免清洗的焊接工艺，在具有高可靠性的产品中，产品的结构致密化和部件的小型化装配使得越来越难以达到合适的清洁等级，同时由于清洁问题导致
2023-04-21 16:03:02
实验名称：高压放大器交变电场作用下骨表面温升的实验研究实验目的：骨的微观结构十分复杂,到目前为止对骨的力电性质尚未完全了解﹐这是利用电信号影响骨生长的研究进展相对缓慢的主要原因。要解决此问题,唯有从
2023-04-10 10:35:40
近期，黄祖芳研究员和王静研究员研究团队通过将机器学习和直接表面增强拉曼光谱（SERS）检测技术相结合，开发了一种可检测早期肺癌与良性肺部疾病患者的全局DNA甲基化信息的方法。
2023-04-04 10:29:231142 碳化硅衬底产品通过外延和核心器件企业，制成的终端产品应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电力电子等核心系统。
2023-03-29 14:55:20555 读数中获得良好的解剖学细节。近红外光谱技术(nIRS)与功能磁共振成像(fMRI)类似，它监测含氧血液的流动，以此来估计神经元的活动。一个主要的区别在于，近红外光谱仪只能用于测量大脑表面附近的活动，而不能
2023-03-29 11:06:08
我正在研究 IMX8MP evk，我想实现篡改保护，当篡改发生时，ZMK 将被清除。在我看来SNVS是工作在power-always-on域，所以我们需要放置一个cell battery。 我的问题是当电池没电时，ZMK 会被清洗吗？我有没有办法在不清洁 ZMK 的情况下更换新电池？
2023-03-24 08:27:35
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论