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单晶和多晶金刚石衬底上单晶积分光学和机械元件的研究结果

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单晶
jf_75936199发布于 2023-06-01 00:16:50

基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展

近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。
2023-05-25 10:13:09679

基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET最新进展

近期,美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)器件。与相比之下,单晶
2023-05-25 09:51:23599

金刚石光学真空窗片

金刚石光学真空窗片高质量的金刚石晶圆应用作为光学窗口是理想的,主要为红外,远红外和太赫兹范围。这些金刚石晶片由高功率微波等离子体辅助化学气相沉积(CVD)生长的高纯多晶金刚石组成。 
2023-05-24 11:26:37

下一代高频高功率电子器件——金刚石半导体

金刚石是一种“终极材料”,在硬度、声速、热导率、杨氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能;其他性能包括从紫外线到红外线的宽波长光谱的透射率、热稳定性和化学稳定性以及可控的电阻和导电性。这些特性使金刚石可用于各种应用,如散热器、加工工具、光学元件、音频元件和半导体。
2023-05-23 12:41:381291

SiC碳化硅单晶的生长原理

碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。
2023-05-18 09:54:341934

半导体工艺设备之单晶炉工艺流程

单晶炉,全自动直拉单晶生长炉,是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
2023-05-16 09:48:515631

科学家发现金刚石缺陷可以确保数据传输和测量温度

色心之所以得名,是因为它们的光学特性。虽然金刚石本身对可见光是透明的,但色心是其中的斑点,具有技术吸引力的能力,可以吸收光并在相当窄的光谱带(即具有非常特定的颜色(波长))中有效地重新发射光。重要的是,色心可以有效地发射单光子。这种窄带单光子发射有几个潜在的应用。
2023-04-24 09:27:57495

面向余热回收的金刚石纳米流体重力热管强化传热研究

器中的热量越多,被回收的热量也越多。因此在余热回收中提高重力热管的传热性能是重要的研究方向与热点之一。纳米金刚石具有优异的传热性能,能够分散在水中形成金刚石-水纳米流体作为重力热管的工质强化传热。然而
2023-04-14 09:46:53365

单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459

用于磁场和生物传感的集成纳米金刚石的光纤量子探针

金刚石中的氮-空位(NV)色心是一种可在室温下操作的优良量子体系, 因具有独特的电子自旋态及其可光学读取特性,近年来已迅速发展成为一种可探测多种物理量和生物对象的有力手段。
2023-03-25 16:40:511872

CVD金刚石窗片钻石基片真空太赫兹窗片

CVD金刚石窗片钻石基片真空太赫兹窗片    CVD金刚石具有很高的硬度,热导率高(> 1800 W / mK,是铜的五倍),且具有宽带光学透射效率。在UV紫外、可见光、中远
2023-03-23 09:46:55

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