负责监管蓝牙技术的行业协会蓝牙技术联盟（SIG）近日发布了中文版市场研究报告《环境物联网：一种新型蓝牙物联网设备》，深入分析了这种新型物联网设备。
2024-03-11 15:08:54
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湿电子化学品属于电子化学品领域的一个分支，是微电子、光电子湿法工艺制程（主要包括湿法蚀刻、清洗、显影、互联等）中使用的各种液体化工材料，主体成分纯度大于99.99%，杂质颗粒粒径低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
该环境物联网研究报告预测了物联网的发展演变和市场增长趋势 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——负责监管蓝牙技术的行业协会蓝牙技术联盟（SIG）近日发布了中文版市场研究报告《环境物联网：一种
2024-03-06 11:07:2487 
根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109 蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59:27547 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
氮化物半导体具有宽禁带、可调，高光电转化效率等优点，在紫外传感器，功率器件，射频电子器件，LED照明、显示、深紫外杀菌消毒、激光器、存储等领域具有广阔的应用前景，被认为是有前途的发光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
通过化学镀镍沉积增强纳米多孔硅光电阴极的光电化学性能 可再生能源，特别是太阳能，是我们脱碳努力的关键。本文研究了纳米多孔硅及其Ni涂层杂化体系的光电化学行为。这些方法包括将Ni涂层应用于NPSi
2024-01-12 17:06:13112 
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓是一种化合物，化学式为GaN，由镓（Ga）和氮（N）两种元素组成。它是一种化合物晶体，由原子晶体构成。 氮化镓具有坚硬的晶体结构和优异的物理化学性质，是一种重要的半导体材料。它具有宽带
2024-01-10 10:23:011040 氮化镓是一种无机化合物，化学式为GaN，它由镓和氮元素组成。氮化镓具有许多重要的物理和化学性质，使其在科学研究和工业应用领域中具有广泛的应用。 氮化镓是一种具有低能隙的半导体材料，其晶体结构属于
2024-01-10 10:05:09346 氮化镓是第三代半导体的代表材料。研发之初是用于制造出颜色从红色到紫外线的发光二极管，1990年起开始被广泛应用于发光二极管上，目前被广泛应用于功率器件、集成电路、光电子、军工电子、通讯等领域
2023-12-26 14:38:54270 
转自：存储产业技术创新战略联盟 2023年11月30日， 存 储产业技术创新战略联盟、中国电子技术标准化研究院联合发布《分布式融合存储研究报告（2023）》，详细阐释分布式融合存储概念和技术要求
2023-12-21 18:05:01270 
世界各国不仅把6G作为构筑未来数字经济与社会发展的重要基石，也将其视为国家间前沿科技竞争的制高点。全球主要国家的多。个研究机构和联盟组织相继发布了6G总体愿景、技术趋势、网络架构等方面的白皮书和研究报告，陈述各国发展6G的宏伟愿景与技术思考。
2023-12-19 11:23:36151 
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
存储研究报告》（以下简称：《报告》）正式发布。《报告》首次系统梳理并深入分析了分布式融合存储的概念、技术架构和应用场景，为融合存储产业发展提供参考和指引。 中国电子技术标准化研究院领导表示，“数据成为重要的生产要素，数据
2023-11-30 16:25:01172 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20719 近日，日本研究研究团队制造出一种基于AlGaN的垂直深紫外发光半导体激光设备，有望应用于激光加工、生物技术和医学领域。
2023-11-21 18:27:22606 
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网站提供《工业控制系统及其安全性研究报告.pdf》资料免费下载
2023-11-16 14:29:13
0 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 艾瑞咨询：2023年中国家用智能照明行业研究报告
2023-11-07 16:37:390 、H1N1流感病毒、金黄色葡萄球菌的有效杀灭。研究的发现对人类社会在寒冷条件下使用深紫外光子消毒具有重要意义。
2023-10-17 15:22:23878 
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
深紫外光电探测器在导弹预警、臭氧层监测、火焰探测等军事和民用领域均有着广泛的应用。
2023-10-09 18:16:12383 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
报道，近日，波兰华沙理工大学（Warsaw University of Technology）的研究人员开发了一种增强型光谱电化学装置，其中，基于双域（光学和电化学）光纤的传感器直接用作工作电极，同时像光谱电化学一样单独测量分析物的光学特性。该传感器采
2023-09-26 09:11:38645 
香港上市公司ESG表现积极 但仍需持续改进 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圆企业服务继2021年以来，于2023年9月19日，连续第三年发布ESG 研究报告。通过对上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
近日，中国信息通信研究院在“2023 SecGo云和软件安全大会”上发布了 《零信任发展研究报告（2023年）》 （以下简称“报告”），全面介绍了在数字化转型深化背景下，零信任如何解决企业面临的安全
2023-09-06 10:10:01488 
为庆祝河北工业大学校庆120周年，《红外与激光工程》联合河北工业大学共同出版“河北工业大学校庆专刊“，特邀请张紫辉教授团队撰写“AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展” 文章，总结了深紫外
2023-09-05 11:16:48337 
实现深紫外光通信的一个关键器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高压汞灯实现，但汞灯的调制带宽非常小，这严重影响了深紫光通信的传输速率。
2023-09-05 11:13:00484 
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705 
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 用于深紫外线传感应用的GaN型紫外线传感器。
与Si型紫外线传感器相比，新产品对UV-B和UV-C深紫外线具有更高的灵敏度。
通过使用GaN,产品的灵敏度是Si型UV传感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40261 
的影响及UV特殊的生物学和化学效应，因此倍受气象、工业、建筑、医学方面的重视，广泛应用于暴晒引起的红斑剂量、综合环境生态效应、气候变化的研究及紫外线监测和预报。
2023-08-07 14:06:0391 
一种能够在日光下工作而不受可见光干扰的紫外光探测器。日盲紫外探测器对可见光具有很低的响应，在环境监测、太阳辐射测量、航天科学、太阳能电池优化和军事应用等领域都有重要的应用。由于紫外光在很多领域中具有重要的研究和应用价值，日盲紫外探测器的发展对于提高测量的精确性和可靠性具有重要意义。
2023-08-04 11:21:08762 
佐思汽研发布了《2023年汽车车内通信及网络接口芯片行业研究报告》。 根据通信连接形态的不同，汽车通信应用分为无线通信和有线通信。
2023-08-02 10:56:431401 
预登记展会领取门票还可以获得由AIoT星图研究院出品2023行业报告之《蜂窝物联网系列之LTE Cat.1市场跟踪调研报告》、《中国光伏物联网产业分析报告》、《2023中国智慧工地行业市场研究报告
2023-07-31 11:14:32525 
自己的模板 研究 报告《 容、感、阻被动元器件市场报告》，如需领取报告，请关注公众号，后台回复 元器件 即可领取！ 声明 ： 本文由德赢Vwin官网
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2023-07-17 17:15:04246 
。照明系统是光刻机的重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明、控制曝光剂量和实现离轴照明，以提高光刻分辨率和增大焦深。论文以深紫外光刻照明系统光学设计为研究方向，对照明系统关键单元进行了光学设计与仿真研究。
2023-07-17 11:02:38592 
年7月6日 作为致力于助力企业实现数据、资产和人员智能互联的先进数字解决方案提供商，斑马技术公司（纳斯达克股票代码：ZBRA）今日发布2023年《汽车生态系统愿景研究报告》。报告结果表明，汽车制造商正面对着来自各方面的压力，他们需要满足消费者对整体制造过
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板 研究 报告《 虚拟人产业链及市场前景报告》，如需领取报告，请关注公众号，后台回复 虚拟人 即可领取！ 声明 ： 本文由德赢Vwin官网
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2023-07-03 17:25:02283 
随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
% 化学物及能源损耗，此外还能，再加上节省超过 50% 的包装材料，那氮化镓的环保优势，将远远大于传统慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
研究报告1.0版》，总计192页，分为技术篇、产业篇、评测篇、职业篇、风险篇、哲理篇、未来篇、团队篇等多个篇章，对AIGC产业的发展现状和趋势进行了详尽研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
发展研究报告1.0版》，总计192页，分为技术篇、产业篇、评测篇、职业篇、风险篇、哲理篇、未来篇、团队篇等多个篇章，对AIGC产业的发展现状和趋势进行了详尽研究和分析。 以下为报告内容 受篇幅限制，以上仅为部分报告预览 后台回复【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
导电材料Ti3C2Tx MXene 被用来作为氮化镓高电子迁移率晶体管的栅电极，MXene和氮化镓之间形成没有直接化学键的范德华接触。氮化镓高电子迁移率晶体管的栅极控制能力得到显著增强，亚阈值摆幅61 mV/dec接近热力学极限，开关电流比可以达到创纪录的~1013。
2023-05-25 16:11:29599 
微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半导体湿法工艺中，后道清洗因使用有机药液而与前道有着明显区别。本文主要将以湿法清洗后道工艺几种常用药液及设备进行对比研究，论述不同药液与机台的清洗原理，清洗特点与清洗局限性。【关键词
2023-04-20 11:45:00823 
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2023-04-12 15:10:02390 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
全国普通高校大学生计算机类竞赛研究报告链接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在计算机类竞赛中的表现情况是评估相关高校计算机
2023-04-10 10:16:15
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408 
济南2023年3月31日 /美通社/ -- 近日，国际数据公司（IDC）发布了《中国工业边缘市场分析》研究报告（以下简称《报告》）。浪潮云洲凭借云边缘一体化机器视觉等特色解决方案布局，入选工业边缘
2023-04-01 08:03:30540 清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 ，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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