在一般情况下,场效应管(FET)的导通电阻越小越好,因为较小的导通电阻意味着在导通状态下,FET可以提供更低的电阻,允许更大的电流通过。
2024-03-06 16:44:50542 超导场效应管(Superconducting Field Effect Transistor,SFET)是一种新型的半导体器件,它结合了超导电性和晶体管的场效应特性,提供了低噪声、低功耗和高速等优异特性。
2024-03-06 16:23:39279 逆变器中场效应管发热的原因有哪些 逆变器中场效应管发热的原因有以下几个方面: 1. 导通电阻发热:在工作过程中,场效应管处于导通状态,电流会通过导体。根据欧姆定律,通过导体的电流与电阻成正比,因此
2024-03-06 15:17:20185 如何区分和选用晶体三极管和场效应管 晶体三极管(BJT)和场效应管(FET)是两种常用的半导体器件,用于电子设备中的放大、开关和调节电流。为了正确选择并区分它们,我们需要了解它们的工作原理、结构
2024-03-06 14:22:33202 德赢Vwin官网
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2024-03-06 13:41:420 IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种高效能的半导体器件,它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的特性。
2024-02-22 14:42:40395 ?
再者在场效应管这种单极性导电半导体中,为什么只是有一种离子导电,而非两种离子,不像晶体管那种两种离子导电,请问这是为什么?同样对于场效应管也有上面的问题?
2024-02-21 21:39:24
场效应管,即场效应晶体管(简称FET),是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17517 三极管和场效应管是如何实现信号放大的呢? 三极管和场效应管是两种常见的电子元件,被广泛用于电子设备中的信号放大器电路。它们的工作原理不同,但都能实现信号放大。下面将详细介绍三极管和场效应管的工作原理
2024-02-04 09:32:12351 逆变器的场效应管发热原因 逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置,常用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统中。其中,场效应管(MOSFET)是逆变器中的关键元件,负责开关直流电,实现直流电的变换
2024-01-31 17:17:01427 1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子,N沟道为电子,P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作,应在其栅源之间加负向电压,以保证耗尽层承受反向电压;在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作,应在其栅源之间加负向电压,以保证耗尽层承受反向电压;在漏源之间加正向电压,以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
元件而直接串联,因其漏极电流具有负温度系数,温度升高,沟道电阻增大,漏极电流减小,是因为场效应管的沟道电阻比较大,且在流过较大电流时发热较大,阻值上升很快,进一步又降低了漏极电流,故不需要在每个器件串接电阻?这个场效应管包括结型和金属氧化物两种类型?
2024-01-26 23:07:21
越大,而另一方面,漏源之间电压越大,沟道电阻也越大,两者相互作用,电流不随有很大的变化达到平衡。此时场效应管的功率随漏源之间电压降增大而增大,因为此时电流基本不变。
以上是我对晶体管和场效应管的理解,如有问题请指正。
2024-01-18 16:34:45
举例而言,一个结型场效应管,采用自偏置结构,即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻,在电源和漏极接一个负载,此时场效应管可以看做是一个互导放大器,压控电流源,请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
2586场效应管能不能使用3205场效应管代替? 场效应管(也称为晶体管)作为一种重要的电子元件,广泛应用于各种电路中,包括放大器、开关和数字逻辑电路等。然而,在一些场合下,我们可能需要找到一个能够
2024-01-15 15:49:57317 电机是在电动割草机、电动链锯、电动碎枝机、电动吹风机等园林工具的核心部件。对于在研发此类适用园林工具电机的电机厂家而言,如何选对MOS管厂家来供应场效应管则是非常重要的一环。
2024-01-12 09:17:49169 场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词,查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容,这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍,进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
用LTC3789实现输入14-19V 输出15V 3.5A。芯片一上电(用VCC=16.5V测试) 空载电流有200mA 导致芯片发热严重,请教有什么原因导致.下面给出原理图与PCB。
2024-01-05 07:26:31
Multisim是一种基于电路仿真的软件,可以用于仿真和分析各种电路,包括场效应管MOS。要修改MOS的参数,首先需要了解MOS的基本原理和参数,然后使用Multisim的工具来修改这些参数
2024-01-04 11:03:541300 场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件,其主要场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种广泛应用
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2023-12-01 11:16:24216 Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极,漏极,栅极组成,由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。(沟道
2023-11-28 15:53:49
如图:这个N沟道场效应管,这样接行不行?
2023-11-26 22:22:46
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管
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2023-11-21 16:05:231294 德赢Vwin官网
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2023-11-20 14:45:563 场效应管是一种半导体器件,它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同,场效应管可以分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)。其中,JFET是由一个pn结构组成,而MOSFET
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2023-11-17 11:41:30691 环路24V电压接的场效应管的漏极,VCC接源极,DRIVE接栅极,AD421的电路就是按数据手册上接的,COM没有接24V的地。
为什么通电后场效应管的三个管脚都是24V,换了芯片跟FET也依然是这样。
2023-11-16 07:23:24
MOS管和场效应管有什么关系?对于初学者来说,这两个名字常常让人混淆,MOS管到底是不是场效应管?
2023-11-13 17:23:05756 大功率场效应管的漏极(D)和源极(S)之间并联了一只二极管,我们测量出有阻值的一次也就是D、S并联的那只二极管的阻值。
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2023-11-07 17:49:59706 场效应管不导通,LED能亮吗?
2023-10-17 07:09:53
场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34561 在过去的十几年中,大功率场效应管引发了电源工业的革命,而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
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2023-09-25 11:14:000 既然效率这么好,在国内能有什么优质MOS管使用呢?除市场中的IPT020N10N5参数型号,我们还是选择飞虹半导体的FHL300N1F2A型号场效应管。
2023-09-23 11:22:33798 为什么MOS管又称为场效应管呢? MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种重要的半导体器件,由于其结构和特点被广泛应用
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2023-09-20 15:26:061369 结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别是什么? 场效应管是一种半导体器件,利用半导体中电荷分布的特性控制电流的流动。常见的场效应管有结型场效应管和绝缘栅型场效应管,它们虽然在功能上有相似之处,但在
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2023-09-09 16:09:591285 可控硅与场效应管区别工作原理 可控硅(SCR)和场效应管(FET)是电子领域中两个常见的器件,它们在不同的应用领域中都有着广泛的应用。本文将重点介绍SCR和FET的工作原理及它们之间的区别
2023-09-08 11:47:03888 场效应管怎么测量好坏 场效应管又称为晶体管(transistor),是电子器件中常见的一种。在电子电路设计中,场效应管的主要作用是作为放大器和开关来使用。场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能
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2023-09-02 11:31:132857 场效应管好坏测量方法 mos怎么测量好坏? 场效应管(MOS)是一种半导体器件,其被广泛应用于各种电路中。在使用场效应管前,我们需要先测量其好坏,以确保其正常工作,否则可能导致电路故障。本文将介绍
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2023-09-02 10:05:176881 晶闸管和场效应管的主要区别 晶闸管(SCR)和场效应管(FET)是电子元件中最为常见的两种半导体器件。SCR是一种双极型半导体器件,传统应用在直流电路的开关和耦合等方面,而FET则是一种单极型半导体
2023-08-25 15:54:061026 场效应管常用驱动芯片有哪些? 场效应管(FET)是一种可以控制电流的半导体器件,是现代电子技术中应用广泛的一种器件。在这种器件中,输入电压可以控制输出电流的大小,因此可以应用在很多电子电路中。而为
2023-08-25 15:47:392610 场效应管和二极管区别是什么? 场效应管和二极管都是半导体器件,但是它们的作用、结构和工作原理都有明显的差别。 首先,二极管是一种双极器件,只有两个端口:一个是阳极,另一个是阴极。在正向偏置条件下
2023-08-25 15:41:401172 场效应管和可控硅有什么区别? 场效应管和可控硅都是常见的半导体元件,它们在电路应用中广泛用到,但是它们有不同的工作原理和应用场合。在本篇文章中,我们将详细讨论场效应管和可控硅的区别。 1.
2023-08-25 15:41:381549 场效应管和晶体管的主要区别 场效应管和晶体管是两种不同的半导体器件,它们的工作原理和应用场合各有不同。虽然这两种器件都属于半导体器件,但它们在制造、结构、特性和应用方面有着显著的区别,下面将详细介绍
2023-08-25 15:41:362302 晶体管和场效应管的区别 晶体管和场效应管是电子设备中常用的两种元器件,它们都是半导体器件,用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能有一些相似之处,但它们也有很多明显的不同点。下面将会详细
2023-08-25 15:29:343038 供应AP2080Q 场效应管(MOSFET)20V 30A参数,是ALLPOWER铨力半导体代理商,提供AP2080Q规格参数等,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:45:380 供应AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A,是铨力半导体代理商,提供AP2335规格参数等,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:24:490 场效应晶体管简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 结型场效应管栅极反偏但仍有电流,MOS场效应管栅极绝缘,没有电流。
2023-08-17 09:19:34617 下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路
2023-08-14 17:02:131018 场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子器件。
2023-07-28 10:06:295256 FET电流源是一种有源电路,它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是,为什么还要恒定电流呢?恒流源和吸电流(吸电流与电流源相反)是一种非常简单的方法,只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源,例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502161 今天我们来介绍一款逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
2023-07-17 08:59:475855 20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书
特点
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式:SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 1 历史 1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管,属于双极型晶体管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管(Field Effect
2023-06-29 09:21:342018 1 历史 1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管,属于双极型晶体管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管( Field Effect
2023-06-28 08:39:283644 ,这一块也是金航标产品的研发方向。萨科微slkoric(www.slkoric.com)半导体研发的igbt、碳化硅场效应管、ldo电源管理芯片,也广泛应用于逆变器、电池管理等场合,和金航标的信号连接器一起使用!
2023-06-25 11:24:21
场效应管防反接电路其功能和二极管防反接电路一样,其目的都是防止电源的正负输入端接反而导致负载电路烧毁等意外情况发生。场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降,二极管的压降一般
2023-06-10 09:30:48673 场效应管可以分成两大类,一类是结型场效应管(JFET),另一类是绝缘栅场效应管(MOSFET)。
2023-06-08 09:20:14431 FET是Field effect transistor的缩写,称为场效应管。它是晶体管的一种,也被称为单极晶体管。另一种晶体管是我们常说的双极晶体管。它们的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362960 场效应管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
2023-05-16 15:29:45948 场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
2023-05-16 15:24:34848 1.是N沟道,耗尽型的场效应管,是耗尽型。像图上这样的话,带?的那端应该是什么极?是源极还是漏极?
2.电路不接管子之前电流还可以,接上场效应管,上电就短路,焊下来后测量栅极和源极之间不导通,源漏
2023-05-16 14:24:38
根据提问者的意思,N沟道场效应管栅极(G极)电压是否可以大于漏极(D极)电压?为什么?
2023-05-09 09:06:062438 为什么测量场效应管的输入电阻时要用测量输出电压的方法呢?
2023-05-06 16:15:01
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率
2023-05-05 17:41:13902 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率
2023-05-01 18:36:131102 NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间,电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置,VR1用于限制VGS间电压,防止被击穿。正接时候,R1、R2提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候
2023-04-19 09:11:441286 场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。就其性能而言,场效应管要明显优于普通三极管,不管是频率还是散热要求,只要电路设计合理,采用场效应管会明显提升整体性能。两者对比如下表。
2023-04-17 11:53:131412 9V P 沟道 MOS 场效应管
2023-03-24 13:58:22
12V P 沟道 MOS 场效应管
2023-03-24 13:44:14
场效应管 2个N沟道 19.5V 6A
2023-03-24 10:51:30
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