锂离子电池隔膜用微孔膜的制备原理与结构分析
摘要：介绍了锂离子电池隔膜用微孔膜的制备原理与结构，重点叙述了熔融拉伸法和热致相分离法制备微孔膜的
2009-12-09 09:57:11
4220 这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期，而相对于未蚀刻的表面，表面粗糙度没有任何可观察到的增加。
2021-12-13 16:07:582195 
本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅，研究发现，在400~2200nm的波长内，光的吸收显著增强，其中飞秒激光用六氟化硫蚀刻的黑硅在近红外波段的吸收值最高。但这大
2022-04-06 14:31:352472 
湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法做器件，芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷（defect），腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 
13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀法和ＩＣＰ 刻蚀
2009-10-06 09:52:24
铝、干法刻蚀钛、干法刻蚀氮化钛等）20、 等离子去胶21、 DRIE （硅深槽刻蚀）、ICP、TSV22、 湿法刻蚀23、 膜厚测量24、 纳米、微米台阶测量25、 电阻、方阻、电阻率测量等26、 半导体
2015-01-07 16:15:47
DN209- 两步电压调节可提高便携式计算机的性能并降低CPU温度
2019-08-07 14:23:41
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`华林科纳湿法设备分类全自动设备：全自动RCA清洗机全自动硅片刻蚀机全自动片盒清洗机全自动石英管清洗机半自动设备：半自动RCA清洗机半自动硅片刻蚀机半自动石英管清洗机半自动有机清洗机`
2021-02-07 10:14:51
硅通孔（TSV）电镀的高可靠性是高密度集成电路封装应用中的一个有吸引力的热点。本文介绍了通过优化溅射和电镀条件对完全填充TSV的改进。特别注意具有不同种子层结构的样品。这些样品是通过不同的溅射和处理
2021-01-09 10:19:52
黑硅（Black Silicon），即为纳米尺寸的硅结构体，有望超越传统的太阳能。当然，该预测并不是空穴来风，最近的一些新研究成果业也增强了说服力。阿尔托大学研究者已研发出新型黑硅太阳能电池，将
2015-07-02 09:46:02
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
的MDK下载算法制作36.1 初学者重要提示36.2 MDK下载算法基础知识36.2.1 程序能够通过下载算法下载到芯片的核心思想...
2021-08-10 06:18:30
由于集成电路 (IC) 规模的不断减小以及对降低成本 、提高产量和环境友好性的要求不断提高，半导体器件制造创新技术的发展从未停止过。最近在硅湿法清洗工艺中引入臭氧技术以取代传统的 RCA 方法引起了业界的兴趣
2021-07-06 09:36:27
镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
申请理由：用于化学行业中的纯化制备系统中，目前纯化行业还没有一个真正职能化的系统，都是通过工作站进行控制和监测，想借用该开发版打造一个新的纯化制备系统，改变传统的设备定义项目描述：开发一套化学行业中
2015-08-03 20:57:18
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
无法聚焦一样。平整和抛光的工艺分两步：磨片和化学机械抛光。磨片是一个传统的磨料研磨工艺，精调到半导体使用的要求。磨片的主要目的是去除切片工艺残留的表面损伤。至此，就生产出了表面平整的晶圆。`
2018-07-04 16:46:41
的晶圆可以得到不同形状的沟槽。多晶硅刻蚀也可用基本相同的规则。二氧化硅湿法刻蚀最普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。基本的刻蚀剂是氢氟酸，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。然而，饱和浓度的氢氟酸在室温下
2018-12-21 13:49:20
将微结构的图形投影于结构层之上的光刻胶。第五步通过刻蚀工艺制备出结构层，然后通过化学腐蚀工艺释放结构层之下的牺牲层，得到最终的悬臂式微结构。图.8 表面微加工技术的工艺步骤MEMS器件的驱动
2020-05-12 17:27:14
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、高端PP/PVC通风柜/厨、CDS化学品集中供液系统等一站式解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
清洗设备,太阳能电池制绒酸洗设备,硅晶圆片清洗甩干机湿法清洗机,硅片清洗机,硅刻蚀机、通风橱、边缘腐蚀机、石英管清洗机,钟罩清洗机、晶圆清洗机、硅片显影机、腐蚀台、LED晶片清洗机、硅料切片后清洗设备
2011-04-13 13:23:10
。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为
2008-06-03 14:51:44
单向可控硅检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极 K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔
2014-08-19 11:03:55
CV：基于keras利用cv2自带两步检测法对《跑男第六季第五期》之如花片段(或调用摄像头)进行实时性别&脸部表情检测
2018-12-26 10:54:59
厂商具备研发和生产CPU的能力。CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力。CPU的制造过程可以大致分为以下步骤：硅提纯切割晶圆影印刻蚀重复
2017-10-09 19:41:52
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备，例如硅片湿法清洗、蚀刻，硅芯硅棒湿法化学处理，液晶基板清洗，LED基片显影脱膜等
2015-04-02 17:23:36
1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和 硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。
2019-09-26 09:10:15
1. 单向可控硅的检测。 万用（指针万用表）表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚
2013-05-30 22:14:28
基片上淀积一层称为牺牲层的材料，然后在牺牲层上面淀积一层结构层并加工成所需图形。在结构加工成型后，通过选择腐蚀的方法将牺牲层腐蚀掉，使结构材料悬空于基片之上，形成各种形状的二维或三维结构。表面硅MEMS
2018-11-05 15:42:42
的MDK下载算法制作47.1 初学者重要提示47.2 MDK下载算法基础知识47.2.1 程序能够通过下载算法下载到芯片的核心思想...
2021-08-10 06:14:53
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
解决根本的散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。 2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸银联宝LED驱动芯片(FlipChipLED)。同时制备出相应尺寸的硅底板
2018-08-31 20:15:12
氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。 四、湿法腐蚀重扩散层
2018-09-26 09:44:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
熔化，严重威胁到动力锂离子电池的安全。 (2)湿法： 湿法又称相分离法或热致相分离法，是近年来发展起来的一种常用的制备微孔膜的方法。热致相分离法是通过热塑性和结晶性聚合物和某些高沸点的小分子化合物
2018-10-10 15:23:39
采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析，其结果表明：所制备
2009-02-28 16:51:29
23 以诺氟沙星为水溶性模型药物，采用反相悬液冷冻凝聚法制得包裹Fe3O4微粒和药物的磁性明胶微球，考察了磁性载药微球的制备条件对微球的成球率、药物包裹率、体外释药及微球
2009-04-26 22:34:2214 由NiCl2、NaBH4等组成的微乳液体系发生氧化还原反应制备NiO纳米棒前驱物，在熔融盐环境中860℃焙烧2.5h前驱体发生氧化反应，成功地制备了NiO纳米棒，用透射电子显微镜、X射线衍
2009-04-26 22:37:1330 医用涤纶表面壳聚糖化学接枝法制备及细菌粘附研究: 摘 要：通过化学方法构建了壳聚糖长链分子接枝的涤纶表面，并研究了其细菌粘附性质。XPS 全谱显示接枝表
2009-04-28 23:35:3115 摘要：用直接还原碳化法制备了纳米复合WC-Co粉末。根据X 射线衍射图研究了直接还原碳化温度及时间对反应产物的影响，用扫描电镜观察了粉末颗粒形貌和粒度分布。结果表明：
2009-05-16 01:55:3221 提出了一种制备包覆双金属复合材料的新工艺．即充芯连铸法制备包覆双金属复合材料的工艺。试验研究了包铝双金属棒制备的工艺， 分析了铜包铝双金属棒的外观、断面和界面。
2009-07-07 08:41:3918 将So l2Gel 法制备的掺钙钛酸镧铅纳米粉粒(PCL T) 与聚偏氟乙烯2三氟乙烯(P (VDF2T rFE) 均匀复合, 作为热释电传感器的敏感膜, 比同样制备条件的纯聚偏氟乙烯2三氟乙烯膜的探测优值高约
2009-07-09 13:18:2623 研究了在硫酸甲醇体系中进行电解抛光制备状态方程（ＥＯＳ）靶用钨薄膜。分析了钨的阳极极化曲线，对薄膜的表面形貌、晶粒取向、密度和厚度一致性进行了测试和分析，并制
2010-03-03 11:51:5614 释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32879 随着 纳米加工 技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础. 本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥
2011-06-20 16:16:0935 采用原位聚合法制备微胶囊结构的相变控温材料,采用SEM、DSC等分析手段对样品的结构和性能进行表征,从而获得影响微胶囊性能的主要因素,以及优化的制备工艺条件。
2011-11-03 15:43:3356 市场要求铅酸蓄电池的性能越来越高。许多厂家都从各个角度、采用不同的方法提高放电性能；提高铅膏利用率。本文采用在配方上加入特殊工艺方法制备的硝基碳制成高功率电池，经恒流放电和恒功率放电的多参数测试，明显改善了电池的放电参数
2018-01-25 08:43:504253 反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 清洗不当造成的表面缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体的解决方案。 热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用了几十年了。由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀具有良好的均匀性和较高的选择比，一直到
2020-12-29 14:36:072510 
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:588546 
但是目前高效率的钙钛矿LED都是基于旋涂法制备而成的，器件面积都很小(m㎡量级)，无法满足大面积商业照明的需求。刮涂法是一种基于溶液法就能制备出大面积薄膜的方法，但是刮涂法制备钙钛矿薄膜的结晶过程不易控制，制备出来的钙钛矿LED的EQE最高仅为1.1%，其器件面积也仅为9m㎡。
2021-02-23 16:17:502111 
常规光纤的制备工艺称为两步法，即：预制棒制备和光纤拉制。保偏光纤的工艺过程要复杂一些，但是也需要从制备常规光纤的预制棒开始。 01 保偏光纤 预制棒的制备 两步法的第一步是预制棒的制备，这一步采用
2021-04-27 09:11:402996 三菱FX2N通过PLC网关两步即可接入MQTT平台
2021-11-11 16:13:46617 
本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。
2021-12-22 17:33:13437 
引言 通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻，在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点，有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构
2022-01-04 17:15:35629 
蚀刻的湿法蚀刻技术的方法。本文分析了玻璃湿法刻蚀工艺的基本要素，如:玻璃成分的影响、刻蚀速率、掩膜层残余应力的影响、主要掩膜材料的表征、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。通过分析的结果，提出了一种改进的玻璃深度湿
2022-01-19 16:13:401873 
本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:31948 
的触觉传感器，我们使用了带有低温氧化物底层的ProTEK PSB。这种组合解决了ProTEK PSB的侧面刻蚀问题和低温氧化物的针孔问题，提供了可以在低温下制备的实用碱性刻蚀掩膜。
2022-02-09 15:25:40484 
采用溶胶-凝胶自旋涂层法制备了氧化锌和ZnO-CuO复合薄膜，测定了其在100~500°C之间的电导率和还原气体灵敏度。随着氧化锌薄膜厚度的线性增加，晶粒尺寸增大，薄膜密度变大。其结果是，电导率
2022-02-10 15:05:571606 
微透镜阵列是重要的光学器件，因为它们在光学系统、微制造和生物化学系统中有着广泛的应用。本文介绍了一种利用飞秒激光增强化学湿法刻蚀在石英玻璃上大面积制作凹面微透镜阵列的简单有效的方法。通过飞秒激光原位
2022-02-18 15:28:231585 
性，单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。 因此，在我们之前的研究中开发了使用单晶片湿法蚀刻机进行二氧化硅膜蚀刻的数值计算模型。首先，通过水流可视化获得旋转晶片上的整个水运动，并进行评估
2022-03-02 13:58:36750 
本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(MACE)工艺制备的黑硅（b-Si）的表面形态学和光学性能，研究了银膜低温退火和碳硅片蚀刻时间短的两步MACE法制备硼硅吸收材料。该过程包括银薄膜沉积产生的镓氮气
2022-03-29 17:02:35650 
本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同时间被蚀刻，并通过X射线衍射（XRD
2022-04-24 14:58:20930 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316 本文描述了我们华林科纳一种新的和简单的方法，通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学，该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀刻速率。通常可以区分三种不同的状态：(1)缓慢
2022-07-01 14:39:132242 
隔膜制备湿法工艺又被称为热致相分离法。湿法工艺的主要原理是将聚合物与蜡油或邻苯二甲酸二辛脂（DOP）等小分子量高沸点的稀释剂进行混合，在高温下形成均相溶液。
2022-09-20 16:39:196438 （也称为 HNA 腐蚀剂）；对硅的刻蚀速率和对掩模材料的刻蚀选择性可通过各组分比例的不同来调节。目前，各向同性湿法刻蚀的实际应用较少。
2022-10-08 09:16:323581 湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代，但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶，晶体外形完整，通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线 分析确认晶体结晶质量较高。采用湿法刻蚀的方法，研究了晶体腐蚀特性及位错密度。通过C-V测试，确 认了晶体电子浓度。
2022-11-24 15:39:581826 刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:184083 前言 湿法制程工艺即制造过程中需要使用化学药液的工艺，被广泛使用于集成电路、平板显示、太阳能光伏等领域的制造过程中。以集成电路领域为例，晶圆制造过程中，去胶、显影、刻蚀、清洗都属于湿法制
2023-02-22 17:07:00371 
刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072583 对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批量均有差异，因此单独用时间决定刻蚀终点很困难，一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:031773 改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜，在电镀之前将电路图形高精度的制备出来，不再进行湿法刻蚀，避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的影响，同时，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻胶，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21508 
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 
：使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。1、湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高
2022-07-12 15:49:251453 
/ Glass Clean / Film Frame Clean / Wafer Edge Clean / Mask Clean / Post-CMP Clean... 湿法刻蚀： Si Et
2023-07-04 17:01:30251 
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383908 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23636 的 2.5D/3D 封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直 TSV 的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形 TSV 的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备
2024-02-25 17:19:00119 
刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24461 
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