是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好在1%以下。因此，如果一面进行工程，工程时间将增加一倍。为了减少工序时间，对在进行顶面工序的同时进行背面工序的方法进行了评价。本研究旨在制作可安装在晶片背面的蚀刻喷
2022-01-05 14:23:20
1067 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，通过使用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600
2022-05-05 10:59:15854 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423345 
的晶片 (111)取向的Si晶片几乎不受碱性溶液的侵蚀，因为在这里整个晶片表面形成蚀刻停止。因为晶片的实际取向通常相对于理想晶面倾
2022-07-11 16:07:221342 
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
需要全部蚀刻，而留下的另一层就是电路。蚀刻的方法，我们主要讨论化学方法，主要分为浸渍蚀刻、搅拌蚀刻以及喷射蚀刻。浸渍蚀刻就是把线路板进入容器中，容器中盛有蚀刻药液。这种蚀刻方法比较慢，而且会存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
往往我说今天上课的内容是预处理时，便有学生质疑：预处理不就是include 和define么？这也用得着讲啊？。是的，非常值得讨论，即使是include 和define。但是预处理仅限于此吗？远远
2023-06-25 06:15:38
编译预处理器是C语言编译器的一个重要组成部分。很好的利用C语言的预处理命令可以增强代码的可读性，灵活性，和易于修改等特点，便于程序的结构化。预处理命令由符号“#”开头，包括宏定义，文件包含，条件处理
2017-06-03 17:23:43
C语言的预处理指令有何功能？C语言的预处理指令有哪些要求呢？
2022-02-25 07:20:37
，通过光化学法，网印图形转移或电镀图形抗蚀层，然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路板PCB。而减成法中主要有雕刻法和蚀刻法两种。雕刻法是用机械加工方法除去不需要的铜箔，在单
2018-09-21 16:45:08
。SMD焊盘之间的焊接掩模称为焊接桥，其功能是在焊接时防止桥接。 随着布线密度的增加，SMT焊脚的间距变小，焊接掩模桥的宽度减小，这使得焊接预处理越来越显示出其重要地位。测试方法：采用相同类型的抛光CCL
2019-08-20 16:29:49
。 (5)要根据电路图形的密度情况及导线精度，确保铜层厚度的一致性，可采用刷磨削平工艺方法。 (6)经修补的油墨必须进行固化处理，并检查和清洗已受到沾污的滚轮。 8.问题：印制电路板中蚀刻后发现
2018-09-19 16:00:15
机器学习-Python实践Day3（特征工程--数据预处理2）
2020-06-03 15:55:24
c语言预处理命令以什么开头，目前我并没有windows软件编写经验，对C语言的应用也仅限于各种单片机的编程，所以对预处理的理解也只限于单片机程序上。不过我想，C语言是ANSI的，所以这个总结也算是很
2021-07-20 07:00:44
谁那里有labview的图像预处理程序，求助，不胜感激
2015-04-23 10:13:50
蚀刻之后完成。在去污之后，晶片被认为是“干净的”。去污包括：1.浸入 5:1:1 H2O:H2O2:HCl 中 20 分钟（在 wbsilicide 中完成 - 水槽必须在之后净化。）2.过程通过
2021-07-01 09:42:27
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率，因此当半导体正被蚀刻在下方时，金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳米柱。电子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
。然而，公开文献中关于砷化镓的信息非常少，硅常用的方法如六甲基二硅氮烷 (HMDS) 预处理可能对 GaAs 无效。此外，GaAs 的表面难以控制，并且可能对看似微不足道的工艺条件很敏感，例如用水冲洗
2021-07-06 09:39:22
半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理，但是，这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势，无需将晶片破碎成条形。然而
2021-07-09 10:21:36
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
的整体框架，自行学习其他厂商或种类（例如SNP芯片或CHIP-chip芯片）的芯片处理方法5.1快速入门例5-1 从数据包CLL中载入芯片数据，完成预处理，最后获得基因（探针组）表达矩阵。注意，探针组表...
2021-07-23 07:38:00
什么元件被称为倒装晶片（FC）？一般来说，这类元件具备以下特点。 ①基材是硅； ②电气面及焊凸在元件下表面； ③球间距一股为0.1～0.3 mm，球径为0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
单片FPGA图像预处理系统的设计与实现采用单片FPGA设计与实现图像处理系统的方法,并对系统硬件进行了分析和设计,对FPGA内电路模块进行了VHDL建模,在FPGA开发平台ISE4.1上实现了
2009-09-19 09:26:14
印制电路板的蚀刻可采用以下方法: 1 )浸入蚀刻; 2) 滋泡蚀刻; 3) 泼溅蚀刻; 4) 喷洒蚀刻。 由于喷洒蚀刻的产量和细纹分辨率高，因此它是应用最为广泛的一项技术。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
你好， 我想使用预处理器指令进行条件编译。我有一段代码，我想在定义预处理器指令时包含这些代码。在SPC5Studio中定义它的位置？这需要哪些设置？ 在此先感谢您的回复。 麦克风。以上来自于谷歌
2019-06-21 07:21:02
了一个硅片（硅晶圆），每个晶片都是独立切块、测试和用陶瓷封装的。这个过程包括安装晶片、将晶片衬垫连接到陶瓷封装的插脚上，然后密封晶片。至此，封装好的处理器就可以上市并在服务器上安装它们了。图2-1显示了封装好的Intel Xeon 5500处理器。
2019-08-06 06:39:09
振动信号的处理和预处理之间有什么区别？我用labview对振动信号进行预处理算处理吗？
2014-10-08 15:33:19
数据预处理故障信息获取1.目前，常用的故障诊断参数有电流、电压、功率、转矩、磁通、温度、振动等物理量。其中定子电流信号相对于其它参数受环境等外界影响最小，也因为电流传感器安装方便而最容易获取，因此
2021-09-06 08:43:46
完整的车牌识别系统包括哪些部分？图像预处理包括哪几种方法？图像边缘检测包括哪几种方法？
2021-07-19 08:43:36
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
方法二、电磁信号预处理1.ADC采集二.图像的预处理1.图像压缩2.大津法总结前言算法开源系列估计会比较多，自己做车大概是电磁和摄像头两种方案都用过。但随着这几年的规则改变，智能车也不像前几年那样按照传感器分类了随...
2022-01-06 08:05:49
一般将获得的加速度数据得进行数据预处理，常见的预处理方法有去掉趋势相、还得将离散的数值积分获得振幅。请问有做过的没，请教一下。
2012-06-07 11:16:54
针对分布式视频编码中的突发差错特性，提出一种基于混沌置乱预处理的方法。该方法通过混沌映射置乱图像，把差错均匀地分布在置乱后的图像中，结合传统分布式编码方法有效
2009-04-11 09:51:18
22 预处理是整个在线签名验证系统的首要环节，它直接影响到随后的分割及匹配。本文针对签名过程中存在的一些问题，提出了去除漏点、去飞点、去除零点并保存零点位置的方法，
2009-07-30 14:13:538 在将一个C源程序转换为可执行程序的过程中, 编译预处理是最初的步骤. 这一步骤是由预处理器(preprocessor)来完成的. 在源流程序被编译器处理之前, 预处理器首先对源程序中的"宏(m
2009-09-20 18:17:4647 邻居单元为基础的条件数预处理技术及其在板型基站天线分析中的应用摘 要 本文提出了一种具有物理意义的条件数预处理技术邻居单元为基础的条件数预处理技术该方法充分
2009-10-24 15:25:0917 小波变换在肌电信号预处理中的应用
传统检测方法处理肌电信号时,个体差异比较大,针对这一不足,首先应用小波消噪理论对肌电信号进行预处理,将信号进行
2010-02-22 15:54:2221 国产迁移预处理装置 食品接触材料和食品包装在食品工业中扮演着非常重要的角色。它们不仅要保护食品不受外界环境的影响，还要确保食品安全，不向食品中迁移任何有害物质。因此，对于这些材料的检测显得
2023-09-15 15:57:24
高格科技-四舱甲醛预处理箱-厂家定制各类环境试验箱GAG-E224 四舱甲醛预处理箱一、主要功能在用气候箱法测试样品的挥发物排放量之前，对材料进行预平衡处理，环境舱具有恒温、恒湿、换气和采样功能，并
2024-01-11 09:39:26
摘 要： 提出一种基于方向图的指纹预处理方法，利用指纹图像的方向信息实现了指纹的增强、二值化以及不可恢复区域的提取，为实现指纹自动
2009-09-11 17:51:001030 
TI非线性预处理方法
TI稳定分布信号没有有限的二阶矩，即不存在方差，因此不能采用传统的基于二阶矩的算法，
2011-01-05 10:44:10616 提出一种基于方向图的指纹预处理方法，利用指纹图像的方向信息实现了指纹的增强、二值化以及不可恢复区域的提取，为实现指纹自动识别提供了一种可行的方法
2011-04-08 17:06:590 针对RANSAC算法由于迭代次数过多、精确度不高所造成的计算量增大，拼接效果不好等方面的不足。本文提出了一种带预处理的RANSAC图像拼接算法，包括图像的特征提取与粗匹配，预处理
2013-08-20 16:55:000 基于FPGA的某型雷达视频采集预处理模块设计
2016-08-30 15:10:1434 网页新闻信息预处理中SST树正文提取方法研究_刘林浩
2017-03-15 11:33:000 dvteclipse工具，提供了对代码预处理的功能。官网上，也对代码预处理进行了介绍：https://www
2017-11-08 09:36:164409 
在相关功耗分析攻击中，功耗曲线噪声的存在会影响攻击结果的成功率。为此，运用小波包阈值进行去噪，提出一种功耗曲线预处理方法。利用小波包阈值法对功耗曲线进行去噪预处理，使用去噪后的功耗曲线执行相关功耗
2018-02-05 16:52:421 编译预处理是VerilogHDL编译系统的一个组成部分，指编译系统会对一些特殊命令进行预处理，然后将预处理结果和源程序一起在进行通常的编译处理。以”`” （反引号）开始的某些标识符是编译预处理语句
2019-03-26 16:10:41643 本文档的主要内容详细介绍的是C++的const多文件编译预处理的资料说明包括了：1、const型常量，2、常对象，3、常成员函数，4、常数据成员，5、常引用，6、多文件，7、编译预处，8、多文件结构中使用编译预处理的问题
2019-04-03 08:00:000 大规模网络环境和大数据相关技术的发展对传统数据融合分析技术提出了新的挑战。针对目前多源数据融合分析过程灵活性差、处理效率低的问题，提出了一种基于相似连接的多源数据并行预处理方法，该方法采用了分治
2019-10-29 15:21:1012 本文我们来讨论特征预处理的相关问题。主要包括特征的归一化和标准化，异常特征样本清洗与样本数据不平衡问题的处理。
2020-03-15 17:14:00700 C 语言编程过程中，经常会用到如 #include、#define 等指令，这些标识开头的指令被称为预处理指令，预处理指令由预处理程序（预处理器）操作。相比其他编程语言，C/C++ 语言更依赖预处理
2020-11-25 10:34:0018 C/C++ 程序中的源代码中包含以 # 开头的各种编译指令，这些指令称为预处理指令。预处理指令不属于 C/C++ 语言的语法，但在一定意义上可以说预处理扩展了 C/C++。
2020-11-29 10:14:381958 交通轨迹大数据预处理方法及其实验分析
2021-06-27 15:00:176 引言 到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻
2021-12-28 16:34:37627 
本研究透过数值解析，将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法，了解目前蚀刻阶段流动的形式，并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动，通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:32340 
问题，而且包括蚀刻速率、均匀性和选择性在内的工艺性能都是使该工艺难以从台式转换到单晶片型的障碍。在这里，我们提出了一种新颖的设计，该设计引入了上晶片加热板，以保持磷酸蚀刻剂的高温，从而克服在氮化物剥离工艺中单晶片处
2022-02-15 16:38:571654 
摘要 该公司提供了一种用于清洗半导体晶片的方法和设备 100，该方法和方法包括通过从装载端口 110 中的盒中取出两个或多个晶片来填充化学溶液的第一罐将晶片放入。将晶片放入装满液体的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
在本文中，我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物，获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成，随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理，虽然没有完全理解，将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42460 
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43336 
半导体生产过程中，蚀刻工艺是非常重要的工艺。蚀刻工艺中使用的方法通常有batch式和枯叶式两种。Batch式是用传统的方法，在药液bath中一次性加入数十张晶片进行处理的方法。但是随着半导体技术
2022-03-14 10:50:47475 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:581134 
使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义，这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:11529 
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
，背面的膜会脱落，污染晶片正面。特别是Cu如果受到全面污染，就会成为严重的问题。 目前，在枯叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻转，翻转晶片进行蚀刻工艺的话，蚀刻均匀度最好在1%以下，但是，如果一面进行工程，工程时间将
2022-03-28 15:54:481282 
通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本发明涉及一种感光膜去除方法，通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤； 将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤； 和RCA清洗步骤。
2022-04-12 16:30:26356 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37666 
金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而，铜膜的粘附性可能非常弱，并且容易剥离。在本研究中，研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学镀
2022-04-29 15:09:06464 
在这项研究中，我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案，能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物，无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06:45339 
晶圆的处理—微影成像与蚀刻资料分享。
2022-05-31 16:04:213 OpenVINO 2022.1之前版本不提供OpenVINO Runtime原生的用于数据预处理的API函数1 ，如图1-1所示，开发者必须通过第三方库(例如：OpenCV)来实现数据预处理。
2022-06-09 17:25:181627 引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺，适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明，蚀刻速率主要取决于Cl浓度，而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14904 
的粘附改善是在光刻胶涂层之前加入天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂层处理还改变了（100）砷化镓的湿蚀刻轮廓，使反应限制蚀刻与未经表面处理的晶片相比更具各向同性；轮廓在[011‘]和[011]方向
2022-06-29 11:34:590 虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感，但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造，湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要，这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关，因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。
2022-07-07 16:24:231578 
在C语言程序里，出现的#开头的代码段都属于预处理。 预处理：是在程序编译阶段就执行的代码段。
2022-08-14 10:13:111569 减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
编译一个 C 程序设计很多步骤。其中第 1 个步骤被称为预处理阶段。C 预处理器在源代码编译之前对其进行一些文本性质的操作。他的主要任务包括删除注释、插入被 #include 指令包含的文件的内容
2023-05-31 09:52:01354 
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2023-06-02 14:11:030 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
图像预处理的主要目的是消除图像中无关的信息，恢复有用的真实信息，增强有关信息的可检测性、最大限度地简化数据，从而改进特征提取、图像分割、匹配和识别的可靠性。一般的预处理流程为：1灰度化->2几何变换->3图像增强
2023-09-20 09:35:40200 C语言的预处理是在编译之前对源代码进行处理的阶段，它主要由预处理器完成。预处理器是一个独立的程序，它负责对源代码进行一些文本替换和处理，生成经过预处理的代码。以下是C语言预处理的一些重要特性
2023-12-08 15:40:15215 
所有的预处理器命令都是以井号（#）开头。它必须是第一个非空字符，为了增强可读性，预处理器指令应从第一列开始。
2024-03-01 12:16:24192 
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