不同的
蚀刻剂(氯化铁和氯化铜)进行
化学
蚀刻。研究了选择的
蚀刻剂和加工条件对
蚀刻深度和
表面粗糙度的影响。实验研究表明，氯化铁产生的
化学腐蚀速率最快，但氯化铜产生的
化学腐蚀速率最快最光滑的
表面质量。 关键词:
化学
蚀刻；铜
2021-12-29 13:21:46
2087
摘要 在印刷和
蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对
化学
蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了
蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定
蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:48
1129
，硫可以用来钝化III-V
表面。本研究通过SRPES研究了湿
化学
处理后的一个(nh4)2s钝化步骤的影响。此外，我们还分别用接触角(CA)、扫描隧道显微镜(STM)和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对各种
处理后的
表面润湿性能、形态和
蚀刻速率进行了研究。 实
2022-01-12 16:27:33
1604
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢
蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽
蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:19
1101
引言 正在开发
化学下游
蚀刻(CDE)工具，
作为用于半导体
晶片
处理的含水酸浴
蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高
蚀刻速率的能力。高
蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:42
3345
的
晶片(111)取向的Si
晶片几乎不受碱性溶液的侵蚀，因为在这里整个
晶片
表面形成
蚀刻停止。因为
晶片的实际取向通常相对于理想晶面倾
2022-07-11 16:07:22
1342
硅(Si)的深度
蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下，通过长时间的金属辅助
化学
蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾
蚀刻，证明了通过
蚀刻375微米厚的硅
晶片的成本效益和可再现性。在MACE期间
2022-07-14 17:19:33
897
晶片全面曝光的方法，使单一
晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺
处理问题。特别在对
硅
晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要
蚀刻来实现。所谓
蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预
镀一层铅锡抗蚀层，然后用
化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
来激活
化学气相淀积反应。其淀积温度一般在400℃以下，可以用来淀积氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等绝缘体及钝化膜和非晶
硅薄膜以及有机化合物和TiC、TiN等耐磨抗蚀膜。在
表面
硅MEMS工艺中
2018-11-05 15:42:42
。可以通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC
化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能
作为电极时，就只能进行
化学镀。一般
化学镀使用的
镀液都有强烈的
化学作用，
化学镀金工艺等就是典型的例子
2018-11-22 16:02:21
的发生不仅要进行充分漂流，而且还要进行充分干燥
处理。可以通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC
化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能
作为电极时，就只能进行
化学镀。一般
化学镀使用的
镀
2013-11-04 11:43:31
通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC
化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能
作为电极时，就只能进行
化学镀。一般
化学镀使用的
镀液都有强烈的
化学作用，
化学镀金工艺等就是典型的例子。
化学镀
2018-08-29 09:55:15
，组装时必须根据沉锡的先后顺序进行。 6、沉银 沉银工艺介于有机涂覆和
化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速;即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持良好的可焊性，但会失去光泽。沉银不具备
化学镀
2018-11-28 11:08:52
覆→清洗，过程控制相对其他
表面
处理工艺较为容易。 3.
化学镀镍/浸金
化学镀镍/浸金工艺不像有机涂覆那样简单，
化学镀镍/浸金好像给PCB穿上厚厚的盔甲；另外
化学镀镍/浸金工艺也不像有机涂覆
作为
2018-09-17 17:17:11
令人头痛的平坦性问题;沉锡板不可存储太久，组装时必须根据沉锡的先后顺序进行。 6、沉银 沉银工艺介于有机涂覆和
化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速;即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持
2019-08-13 04:36:05
工艺介于有机涂覆和
化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速；即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持良好的可焊性，但会失去光泽。沉银不具备
化学镀镍/沉金所具有的好的物理强度因为银层下面没有镍。7
2017-02-08 13:05:30
PCB
表面OSP的
处理方法PCB
化学镍金的基础步骤
2021-04-21 06:12:39
（有害物质限制）和WEEE（废弃电气电子设备）法规旨在消除电子产品中的铅和汞等有害物质，要求绿色或无铅的PCB
表面生产结束。ENIG（
化学镀镍沉金）和ENEPIG（
化学镀镍沉金）
作为一种
表面成型，不仅可以满足
2023-04-24 16:07:02
)→FQA→成品。 (2)要点仅对导电图形进行选择性电镀。板子钻孔，
化学镀铜，光成像以形成导电图形，这时候仅对线路和孔及焊盘进行图形电镀铜，使孔内平均铜厚大于等于20μm，然后接着镀锡(锡镀层
作为
蚀刻
2018-09-21 16:45:08
的距离的同时，还必须同喷淋的压力结合在一起进行研究和设计，即要达到
蚀刻的高质量还必须符合经济性、适应性、可制造性、可维修性和可更换性。 4 压力：在设计时要考虑到压力对
蚀刻液喷淋
效果，对基板
表面能否形成
2018-09-11 15:19:38
在一起进行研究和设计，即要达到
蚀刻的高质量还必须符合经济性、适应性、可制造性、可维修性和可更换性。 4 压力：在设计时要考虑到压力对
蚀刻液喷淋
效果，对基板
表面能否形成均匀的
蚀刻液流动和
蚀刻液的流动量的均衡性
2013-10-31 10:52:34
能在腐蚀液中形成堆积并堵在腐蚀机的喷嘴处和耐酸泵里，不得不停机
处理和清洁，而影响了工作效率。 三.设备调整及与腐蚀溶液的相互作用关系 在印制电路加工中，氨性
蚀刻是一个较为精细和复杂的
化学反应过程
2018-11-26 16:58:50
。 现在有许多PCB
表面
处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、
化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。 1、热风整平（喷锡） 热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在PCB
表面涂覆
2018-09-19 15:36:04
主要优点：优异的耐腐性能，即耐酸又耐碱（除硝酸等强氧化性酸外） 除此之外PCB打样优客板还有以下优点：a.高的
表面研度，经热
处理可达1100Hv b.卓越的耐磨性，相当于
镀硬铬 c.无针孔、分层
2017-08-21 08:54:39
一般不采用强助焊剂。现在有许多PCB
表面
处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、
化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。1.热风整平（喷锡）热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在
2018-07-14 14:53:48
，
表面上的焊接掩模腐蚀量远小于喷砂PCB，并且当浸入锡时，0.125mm或更大的焊接桥未发现脱落。喷砂PCB
表面的焊接掩模腐蚀性最强，发现浸渍锡时，焊接桥在0.125mm以下会剥落。也就是说，火山灰最好用作
预处理，其次是针刷和无纺布。喷砂
作为
预处理具有最差的
效果。
2019-08-20 16:29:49
目前，印刷电路板（pcb）加工的典型工艺采用“图形电镀法”.即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预
镀一层铅锡抗蚀层，然后用
化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为
蚀刻。PCB
蚀刻
2018-09-13 15:46:18
清洁 -
表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si
表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。
晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在
硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：
硅纳米柱与金属辅助
化学
蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
使用
化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁
晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机
表面污染物。湿
蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干
蚀刻、亚
表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的
表面
处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的
化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法
化学
蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
。这个
蚀刻步骤可以产生光滑的晶体
表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、
化学试剂和温度来选择特定的
蚀刻平面。GaN晶体的湿
化学
蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗
效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻
前GaAs
表面
处理以改善湿
化学
蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿
蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理，但是，这与片上光子集成不兼容。
蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势，无需将
晶片破碎成条形。然而
2021-07-09 10:21:36
镜面
硅结构时，
表面的平滑度和
蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶
硅创建 45° 和 90°
蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的
蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
了腐蚀层。本文讨论了一种新开发的由
化学镀镍、钯和金组成的多层涂层系统，
作为一种改进工艺。实验研究如下：用于引线键合研究的样品制备（内容略）焊点试件生产加工可靠性研究（内容略）引线键合可靠性评估（内容略
2021-07-09 10:29:30
。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预
镀一层铅锡抗蚀层，然后用
化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为
蚀刻
2018-04-05 19:27:39
pcb多层板
镀镍金板原因分析 1、和虚假的镀金层,和镍层水洗时间太长或氧化钝化,注重纯净水和加强多用热水洗涤时间控制。 2、
化学镀镍或镍圆柱的问题:污染重金属污染的代理商,建议低电流电解或活性碳滤芯
2017-09-08 15:13:02
一、
化学镀镍液不稳定性的原因1、气体从
镀液内部缓慢地放出
镀液开始自行分解时，气体不仅在
镀件的
表面放出，而且在整个
镀液中缓慢而均匀地放出。 2、气体析出速度加剧出现上述情况的
镀液，若不及时采取有效
2018-07-20 21:46:42
。 ①直接感光法。其工艺过程为覆铜板
表面
处理→涂感光胶→曝光→显影→固膜→修版。修版是
蚀刻
前必须要做的工作，可以对毛刺、断线、砂眼等进行修补。 ②光敏干膜法。工艺过程与直接感光法相同，只是不是涂感光胶
2023-04-20 15:25:28
越来越高，
化学镀镍/金、铜面有机防氧化膜
处理技术、
化学浸锡技术的采用，今后所占比例将逐年提高。本文将着重介绍
化学镀镍金技术。2
化学镀镍金工艺原理
化学镀镍金最早应用于五金电镀的
表面
处理，后来以次磷酸钠
2015-04-10 20:49:20
提高
蚀刻速度。这种方法适用于小型板或原型板。浸入
蚀刻通常使用添加了过硫酸
镀或过氧化氢的硫酸
作为
蚀刻剂。 2 滋泡
蚀刻 这项技术在浸入
蚀刻技术上做了一些修改，它的不同在于空气中的气体进入到了
蚀刻溶液中
2018-09-11 15:27:47
; 检验 --> 包装 --> 成品。 流程中“
化学镀薄铜 --> 电镀薄铜”这两道工序可用“
化学镀厚铜”一道工序替代，两者各有优缺点。图形电镀--
蚀刻法制双面孔金属化板是六、七十年代
2018-09-14 11:26:07
现在有许多PCB
表面
处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、
化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。
2021-04-23 06:26:30
改善。是绝佳高CP值选择的MOSFET正面金属化工艺。接下来，将深入介绍
化学镀工艺如何进行。 一、
化学镀工艺最重要的起始点-
前
处理(一)铝垫的清洗和
蚀刻
前
处理主要是在进行铝垫的清洗和
蚀刻，将铝垫
表面
2021-06-26 13:45:06
否漂流充分。 2.柔性电路板
化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能
作为电极时，就只能进行
化学镀。一般
化学镀使用的
镀液都有强烈的
化学作用，
化学镀金工艺等就是典型的例子。
化学镀金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:54:35
湿
蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用
化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面
表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由
硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
许多小型的金属品，在电镀
前须要小心去掉棱角，消除刮痕及拋光
表面，以达成最完美的基地，
镀后外表才有最好的美观及防蚀的
效果。通常这种
镀
前基地的拋光工作，大型物可用手工与布轮机械配合进行。但小件大量者则须
2018-08-29 16:29:01
一般不采用强助焊剂。现在有许多PCB
表面
处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、
化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。1.热风整平（喷锡）热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在
2018-08-18 21:48:12
（负相）、
化学镀铜、去除抗蚀剂。 --半加成法：钻孔、催化
处理和增粘
处理、
化学镀铜、成像（电镀抗蚀剂）、图形电镀铜（负相）、去除抗蚀剂、差分
蚀刻。 --部分加成法：成像（抗
蚀刻）、
蚀刻铜（正相
2018-09-07 16:33:49
流程绝大部分工艺都是相似的。各个工艺环节对纯水的要求也是大同小异。我们在线路板生产过程中常用到的电镀铜，锡，镍金;
化学镀镍金;PTH/黑孔;
表面
处理
蚀刻等生产过程都需要用到不同要求的纯水。此文章转自
2012-12-12 14:25:08
先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预
镀一层铅锡抗蚀层，然后用
化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为
蚀刻。 一.
蚀刻的种类 要注意的是，
蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层
蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
如题，PCB
表面
处理听说有有机涂覆（OSP），
化学镀镍/浸金，浸银，浸锡等 这些
处理方式在PCB文件中有体现么？如 PCB那一层代表着
表面
处理方式呢？还是在制板时给厂家说明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
Silane Treatment)，加入传统
处理方式之后，亦可有此
效果。它同时产生一种
化学键，对于附着力有帮助。
2018-02-08 10:07:46
`求助铝合金
表面
镀
化学镍
处理焊接不良问题:1. 焊接后
表面发黑2. 焊接润湿性不良
化学镍厚度25um, 该产品焊接两次,一次在孔内焊接PIN, 发现表明发黑; 二次焊接一个感应器及铝合金基座, 润湿不良, 请各位帮忙指导!`
2014-10-14 13:13:22
否漂流充分。 2.柔性电路板
化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能
作为电极时，就只能进行
化学镀。一般
化学镀使用的
镀液都有强烈的
化学作用，
化学镀金工艺等就是典型的例子。
化学镀金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:38:25
针对现有电解式测厚仪测量的镀种有限、测量数据难以存储、
处理等迫切需要解决的问题，介绍了一种基于PC 机的数控电解式
化学镀测厚仪的软、硬件设计与实现，很好地克服了现
2009-08-21 11:16:42
8
印制电路板
化学镍/金工艺是电路板
表面涂覆可焊性涂层的一种。其工艺是在电路板阻焊膜工艺后在裸露铜的
表面上
化学镀镍，然后
化学镀金。该工艺既能满足日益复杂的电路板装
2009-10-17 14:55:02
31
;
化学镀镍金工艺原理
化学镀镍金最早应用于五金电镀的
表面
处理，后来以次磷酸钠（NaH2PO2）为还原剂的酸性镀液，逐渐运用于印制板业界。我国港台地区起步较早，而大陆则较晚，于1996年前后才开始
2006-04-16 21:24:27
884
3
化学镀镍金工艺流程
作为
化学镀镍金流程，只要具备以下6个工作站就可满足
2006-04-16 22:00:29
2112
印制线路板的
化学镀银
2009-09-08 15:10:47
612
化学镀是新新研究出的一种金属
表面
处理技术，工艺简便、节能、环保，拥有广泛的应用。以其优良的防护性能和优越的功能成为了全世界
表面
处理技术的一个重要发展方向。
2010-10-26 14:05:28
3910
探讨印制电路板用
化学镀镍金工艺
2016-06-15 15:53:57
0
焊垫
表面
处理(OSP,
化学镍金)
2017-01-28 21:32:49
0
电路板的电镀工艺流程 （1）图形电镀法 覆铜箔板一钻孔一去毛刺一
表面清整
处理一弱腐蚀一活化一
化学镀铜一全板镀铜一
蚀刻电镀图形成像一图形电镀铜一镀锡铅或镍金一退除抗蚀剂一
蚀刻一热熔一涂
2017-09-26 15:18:05
0
PCB采用不同的树脂系统和不同材料的基板。树脂体系的差异将导致
处理化学镀铜的活化
效果和
处理化学镀铜的过程中的显着区别。
2019-03-03 10:08:21
887
通常所指
蚀刻也称腐蚀或光
化学
蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要
蚀刻区域的保护膜去除，在
蚀刻时接触
化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的
效果。
2019-04-25 15:41:36
14173
化学镀铜的主要目的是在非导体材料
表面形成导电层，目前在印刷电路板孔金属化和塑料电镀前的
化学镀铜已广泛应用。
化学镀铜层的物理
化学性质与电镀法所得铜层基本相似。
2019-04-25 16:15:06
17181
化学镀是不加外电流而利用异相固相，液相
表面受控自催化还原反应在基体上获得所需性能的连续、均匀附着沉积过程的统称，又称
化学沉积、非电解沉积、自催化沉积。其沉积层叫
化学沉积层或
化学镀层。与电镀比较，
化学镀技能具有镀层均匀、针孔小、不需直流电源设备、能在非导体上堆积和具有某些特殊功用等特色。
2019-06-25 15:23:51
7125
化学镀镍层的退除要比电镀镍层困难得多，特别是对于高耐蚀
化学镀镍层更是如此。不合格的
化学镀镍层应在热处
2019-08-20 11:21:42
2963
化学镀镍层的退除要比电镀镍层困难得多，特别是对于高耐蚀
化学镀镍层更是如此。
2019-08-22 09:15:29
636
化学镀厚铜不需要电镀设备和昂贵的阳极材料，沉铜后经防氧化
处理即可进入图形转移工序，然后直接进行图形电镀，缩短了生产流程，有着非常广泛的应用。但由于
化学镀厚铜沉积时间长，镀层较厚，在生产中如果参数
2019-09-02 08:00:00
0
化学镀技术是在金属的催化作用下，通过可控制的氧化还原反应产生金属的沉积过程。与电镀相比，
化学镀技术具有镀层均匀、针孔小、不需直流电源设备 、能在非导体上沉积和具有某些特殊性能等特点。
2019-12-03 09:31:43
7821
PCB线路板的
表面
处理工艺有很多种，常见的有热风整平、有机涂覆（OSP）、
化学镀镍/浸金，沉银，沉锡等。
2020-07-25 11:20:45
5399
分析
化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅
作为起始材料，微加工
作为使技术，湿
化学
蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于
化学分析应用的通道、柱和其他几何图案
2021-12-22 17:29:02
1095
引言 为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响，我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步
蚀刻工艺（碱性溶液
蚀刻、反应离子
蚀刻(RIE)和金属辅助
化学
蚀刻）以及两步
蚀刻
2022-01-11 14:05:05
822
引言 湿
化学
蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了
蚀刻单晶硅，氢氧化钾溶液被广泛使用，因为它们可以形成具有随机金字塔的
表面纹理，从而增强单晶硅
晶片的光吸收。对于多晶硅
晶片，
表面纹理化通常通过
2022-01-13 14:47:19
624
硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟、铝、磷或砷。在这一点上，
作为我们华林科纳研究的重点，GaAs晶圆是一个很好的候选，它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。 衬底
表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用
2022-01-19 11:12:22
1185
摘要 综述了半导体各向异性
蚀刻的
表面化学和电
化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性
化学
蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电
化学
蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路
蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37
905
分析
化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅
作为起始材料，微加工
作为使能技术，湿
化学
蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。
2022-03-11 13:58:08
514
根据水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有较低的
蚀刻率， 并不会
蚀刻掉多晶硅的特性， 工艺易于控制。 因此对于用光学显微镜观察到产生水痕缺陷的晶圆，选用热磷酸重新进行
表面化学
处理五分钟
2022-03-15 15:09:53
325
本研究为了将硅
晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅
晶片进行不同厚度的重复
蚀刻，在
晶片内
表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
2022-03-21 16:15:07
338
本文章将对
表面组织工艺优化进行研究，多晶硅
晶片
表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法
蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶
晶片
表面组织化
2022-03-25 16:33:49
516
为了能够使用基于 GaAs 的器件
作为
化学传感器，它们的
表面必须进行
化学改性。GaAs
表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的
蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03
729
中，使共有旋转轴的多片
晶片在
蚀刻溶液中旋转，通过
化学反应进行
蚀刻的
表面
处理。在
化学
处理之后，
晶片的平坦度，因此为了控制
作为旋转圆板的晶圆周边的
蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板
2022-04-08 17:02:10
1679
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性
蚀刻是一种有效的方法 单晶硅
晶片纹理化的替代方法 在
晶片
表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分
蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22
361
旋转轴的多片
晶片在
蚀刻溶液中旋转，通过
化学反应进行
蚀刻的
表面
处理。在
化学
处理之后，
晶片的平坦度，因此为了控制
作为旋转圆板的晶圆周边的
蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础，旋转圆板和静止圆板交替配置等。
2022-04-12 15:28:16
943
硅
晶片的
蚀刻
预处理方法包括:对角度聚合的硅
晶片进行最终聚合
处理，对上述最终聚合的硅
晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅
晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅
晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅
晶片进行
蚀刻
预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46
852
本文利用CZ、FZ和EPI
晶片，研究了湿式
化学清洗过程对硅
晶片
表面微粒度的影响。结果表明，
表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用
2022-04-14 13:57:20
459
为了将硅
晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅
晶片进行不同厚度的重复
蚀刻，在
晶片内
表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59:23
497
抛光的硅片是通过各种机械和
化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(
晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗
晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过
蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，
蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37
666
的粘附改善是在光刻胶涂层之前加入天然氧化物
蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂层
处理还改变了（100）砷化镓的湿
蚀刻轮廓，使反应限制
蚀刻与未经
表面
处理的
晶片相比更具各向同性；轮廓在[011‘]和[011]方向
2022-06-29 11:34:59
0
抛光硅
晶片是通过各种机械和
化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（
晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗
晶片。通过
蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，
蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00
584
半导体
蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。
化学溶液通过将
晶片浸入
化学溶液（
蚀刻剂）中来选择性地去除半导体
晶片的特定层或区域，
化学溶液溶解并去除
晶片
表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58
319
焊垫
表面
处理(OSP,
化学镍金)
2022-12-30 09:21:49
4
IPC-4552B-中文版-sm TOC印制板
化学镀镍 浸金（ENIG）镀覆性能规范
2023-12-25 09:44:07
4
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