易于使用的电子电路设计指南，用于设计公共发射极晶体管放大器级的电子电路设计，显示电子元件值的计算。
2023-02-17 14:34:33
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发射极接地是一种电路配置，其中放大管（如晶体管）的发射极与地（或参考电压）相连。在发射极接地电路中，放大管的输入信号通过发射极电流控制放大管的操作。
2024-02-05 16:54:53629 
控制流过发射极-集电极电路的电流。 硅模型 像8050这样的硅晶体管通常在基极电压比发射极高0.65伏时接通。发射极基极电路通常设置为提供接近触发点的预设电压。这称为偏差。当晶体管导通时，输出遵循
2023-02-16 18:22:30
N型IGBT的门极、集电极、发射极怎么区分？
2015-11-26 00:00:45
N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的德赢Vwin官网
体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中
2016-10-14 15:11:56
N型半导体和P型半导体通过工艺做成PN结就是二级管。二极管只有一个PN结，为什么二极管型号要分N型二极管和P型二极管？二者有什么区别?谢谢！[此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]
2009-03-08 17:01:37
。漏极和源极是p+区域，主体或基板是n型。电流沿带正电孔的方向流动。当对栅极端子施加具有排斥力的负电压时，存在于氧化层下方的电子被向下推入基板中。耗尽区由与供体原子相关的结合正电荷填充。负栅极电压还会
2023-02-02 16:26:45
P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00
晶体管发射极结间的正向压差越大电流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
什么是电阻测量法？晶体管共发射极电路特点有哪些？
2021-09-27 08:33:35
的应用。二、晶体管分类及其工作原理晶体管泛指所有半导体器件，包含N多种类，因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
或使其特性变坏。(5) 集电极--发射极反向电流ICEOICEO是指晶体管基极开路时，集电极、发射极间的反向电流，也称穿透电流。ICEO越小越好，现在应用较多的硅晶体管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶体管进行举例。如果是PNP型晶体管，则只要把晶体管的极性由正换成负就行。如果要从基极电流、集电极电流、发射极电流的组成、流动，PN结的能级等等方面来讲清晶体管的放大机理，就更复杂了。这在许多专业
2012-02-13 01:14:04
中性区分别为发射区、基区、集电区。发射区与基区之间部分称做发射结，基区与集电区之间的部分称集电结。晶体三极管分PNP和NPN型两种。结构示意及符号见图示</font><br/>`
2009-08-20 18:07:52
1 硅管和锗管（按半导体材料分）锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2
2018-01-31 10:14:10
晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体
2009-08-21 08:32:49
硅通孔（TSV）电镀的高可靠性是高密度集成电路封装应用中的一个有吸引力的热点。本文介绍了通过优化溅射和电镀条件对完全填充TSV的改进。特别注意具有不同种子层结构的样品。这些样品是通过不同的溅射和处理
2021-01-09 10:19:52
BJT的共发射极配置添加发射极负反馈的影响提高发射极负反馈放大器的交流增益
2021-01-07 06:17:35
管很相似，两者的区别主要是基区引出电极的区别（基极与源极和漏极）。晶体管把中间的一层（N区）当成一个电极引出称为基极，其余上下两层（P-P区）分别当发射极和集电极引出；而场效应管则是把基区当成一个导电
2012-05-22 09:38:48
教材在讲晶体管电流分配的的时候，说Icbo是平衡少子在集电区和基区之间的漂移运动形成的电流，并没有说发射极断开的情况，到了下面讲放大系数的时候又加上了，发射极开路的限定，成了反向饱和电流。我所纠结的是Icbo的产生是不是必须需要发射极断路，如果不需要，为什么又要加上这个限定，初学求大神
2018-11-19 18:30:52
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
状态（C）：基极电流为零。2）放大状态（A）：发射机结正向偏置（即电压方向为P-&gt;N），集电极结反向偏置。3） 饱和状态（S）：发射极结和集电极结均为正向偏置。工作状态NPN型
2023-02-15 18:13:01
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常，NPN晶体管将一块P型硅（基极）夹在两块N型（集电极和发射极）之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作？以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
端子连接到基端子（N型）。因此，发射极-基极结向前偏置。此外，电压源（VCB）的正极端子连接到基端子（N型），而负极端子连接到集电极端子（P型）。因此，集电极-基极结反向偏置。PNP晶体管的工作原理由于它以
2023-02-03 09:44:48
PNP三极管发射极接地，基极通过1个3.3K的电阻接单片机I/O口，集电极通过1个1K的电阻接+5V；这样的接法对吗？PNP三极管发射极不是要接高电平的吗？试验证明是对的，但不理解，请高手能详细解答，谢谢！
2013-07-25 21:30:24
多的空穴，n侧或负极有过量的电子。为什么存在pn结？以及它是如何工作的？什么是p-n结二极管？I. PN 结基本型1.1 PN半导体N型半导体在硅晶体（或锗晶体）中掺杂了少量的杂质磷元素（或锑元素），由于
2023-02-08 15:24:58
RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管的开关特性参数RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特点：·低集电极 - 发射极饱和压降·短路耐受时间为8μs·符合AEC-Q101标准·内置
2019-04-09 06:20:10
；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路
2010-08-13 11:36:51
，晶体管的电流放大参数β可能从一个器件到具有相同类型和相同零件号的另一器件有相当大的变化。然后，对于普通的发射极A类放大器电路，必须使用一个偏置电路，该电路将稳定工作Q点，使DC集电极电流I C独立
2020-09-18 09:07:16
1v，还可以找到发射极电阻R E的值。假设使用标准NPN硅晶体管，则计算所有其他电路电阻的值。然后在特性曲线的集电极电流垂直轴上建立点“ A”，并在Vce = 0时出现。当晶体管完全“关断”时，由于没有
2020-09-15 10:00:00
以找到发射极电阻R E的值。假设使用标准NPN硅晶体管，则计算所有其他电路电阻的值。然后在特性曲线的集电极电流垂直轴上建立点“ A”，并在Vce = 0时出现。当晶体管完全“关断”时，由于没有电流
2020-09-17 11:02:37
` 三极管顾名思义具有三个电极。是由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种
2013-04-18 15:53:44
。 由于发射极正偏，发射极的多数载流子（无论是P的空穴还是N的自由电子）会不断扩散到基极，并不断从电源补充多子，形成发射极电流IE。由于基极很薄，且基极的多子浓度很低，所以从发射极扩散过来的多子只有很少
2023-02-27 14:57:01
和MOS-FET管。和三极管不一样，它是属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体
2019-04-08 13:46:25
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，左图图示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，右图图示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。2)．它俩最大的不同是：MOS
2023-02-20 15:30:11
1三极管基本特性晶体管分为三极管和场效应管，三极管电路的学习更具普遍性，场效应管的应用我们放到后面电源管理的章节介绍。晶体管都可分为N型和P型，具体到三极管就是NPN三极管和PNP三极管。我们主要
2021-12-30 07:30:30
学习时遇到这样一个电路，电路实际功能是用三极管作为开关使MCU_TXD端的数据流向U1_RXD，按照三极管的原理来说电流不可能从发射极流向集电极，但是这个电路又确实实现了我希望的功能，就是说在这个电路中电流是发射极流向了集电极，大神们有没有了解其中原理的，能不能帮忙解答，十分感谢。
2020-04-25 10:18:04
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流
2018-10-18 15:41:55
发射结是正偏，反之为反偏；当集电极接电源负极、基极（或发射极）接正极时，则集电结反偏，反之为正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
2020-12-25 15:24:23
晶体管）的一种，它包括通过薄p型半导体层分开的两种n型半导体材料。在 NPN 晶体管中，大多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。电子从发射极端子流向集电极端子将在晶体管的基极端子内形成电流。
在晶体管中
2023-08-02 12:26:53
两个共发射极晶体管放大器连接成的直接耦合二级放大器
2019-11-04 09:00:45
为什么在无线供电电路工作时发射极芯片烫手？使用XKT-412和XKT-335组成无线供电发射极电路（发射极电路使用芯片规格书推荐的12V发射5V1.8A接收推荐电路），使用XKT-3169芯片构成接收端电路（电路为芯片规格书推荐电路简化版，如图）
2021-11-18 14:33:41
为何串联型稳压电路集电极电流减小而集-发射极的电压增大？
2013-05-07 21:39:48
制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。晶体管大多是指晶体三极管。晶体管分为两大类：双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管的结构晶体管有三极：双极晶体管的三极分别由N型和P型组成
2023-02-03 09:36:05
的区别。什么是PNP和NPN晶体管？晶体管是通过混合两种不同类型的半导体而创建的：n型和p型。电子给体原子由n型半导体携带。而电子受体原子由p型半导体（空穴）携带。NPN 晶体管NPN型晶体管由具有低
2023-02-03 09:50:59
b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。 图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻
2009-04-26 15:20:02
如图所示：为什么发射极并了个电容反馈类型就不一样了？
2012-08-30 14:08:24
电阻器 r2的 Ib 值至少是 Ib 值的10倍。晶体管基极/发射极电压，Vbe 固定在0.7 v (硅晶体管) ，那么这个值为 R2:如果流过电阻器 r2的电流是基极电流的10倍，那么流过分压器网络中
2022-04-22 15:16:22
放大电路设计共发射极放大电路的设计规格电压增益5（14dB）最大输出电压 5Vp-p频率特性任意输入输出阻抗 任意1、确定电源电压。要比最大输出电压大，考虑其他因素，选用容易获得的+15V电源供电
2021-11-11 07:52:48
的使用方式略有不同。双极晶体管具有标有基极、集电极和发射极的端子。6.什么是PNP和NPN晶体管？在NPN晶体管中，向集电极端子提供正电压，以产生从集电极到发射极的电流。在PNP晶体管中，向发射极端子提供
2023-02-03 09:32:55
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体
2023-02-03 09:45:56
分享一个不错的BJT共发射极配置的研究方案
2021-06-17 08:45:06
用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx
2008-06-07 13:21:40
示意图，它以低掺杂P型硅片为衬底，用扩散工艺在上面形成两个高掺杂的N+小区，并分别用引线引出，一个作为源极S，另一个作为漏极d。在硅片表面用生长法制造了一层二氧化硅绝缘薄膜，厚度不到0.1μm，而绝缘电阻
2020-06-24 16:00:16
单结晶体管有一个PN结和三个电极，一个发射极和两个基极，所以又称双基极二极管。其结构、等效电路及电路符号如下图所示。a、单结晶体管的结构；b、等效电路；c、电路符号它是在一块高电阻率(低掺杂)的N型
2018-01-09 11:39:27
1(B1)。第三个连接，被混淆地标记为发射器(e)位于通道沿线。发射器端子由一个从 p 型发射器指向 n 型基极的箭头表示。单接合面电晶体的发射极整流 p-n 结是通过将 p 型材料熔化成 n 型硅
2022-04-26 14:43:33
双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---
2020-02-14 12:06:07
特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值
2021-06-01 07:46:03
的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1
2011-10-11 13:54:14
的变化，晶体管的电流放大参数β可能从一个器件到具有相同类型和相同零件号的另一器件有很大变化。然后，对于一个普通的发射极A类放大器电路，必须使用一个偏置电路，该电路将稳定工作Q点，使DC集电极电流I C
2022-06-28 10:22:00
，晶体管的电流放大参数β可能从一个器件到具有相同类型和相同零件号的另一器件有很大变化。然后，对于一个普通的发射极A类放大器电路，必须使用一个偏置电路，该电路将稳定工作Q点，使DC集电极电流I C独立
2020-11-10 09:17:58
，晶体管的电流放大参数β可能从一个器件到具有相同类型和相同零件号的另一器件有很大变化。然后，对于一个普通的发射极A类放大器电路，必须使用一个偏置电路，该电路将稳定工作Q点，使DC集电极电流I C独立
2022-05-05 11:39:06
在制造NPN型管时，若制作多个发射区，则得到多发射极管，这种管子广泛用于集成数字电路
在制作横向P NP型管时，若制作多个集电区，则得到多集电极管，各集电极电流之比决定于对应的集电区面积之比。这种
2024-01-21 13:47:56
（1）场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道场效应晶体
2019-03-28 11:37:20
制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2
2012-07-11 11:36:52
和集电极之间具有无限电阻，当它完全打开时，发射极和集电极之间的电阻为0，导致电流流到最大。 实际上，当晶体管在截止时（即完全关闭时）运行时，我们将有少量漏电流。另一方面，当在饱和区域工作时，该器件具有低
2023-02-20 16:35:09
测试引线连接到发射器。 如果是硅晶体管，则使用较大的电阻。对于PNP型，黑色引线连接到发射极，而红色测试引线连接到集电极。至于NPN晶体管，黑色和红色测试引线分别连接到集电极和发射极。 此外，我们
2023-02-14 18:04:16
三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流
2019-03-14 09:11:10
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路
2012-01-12 10:47:00
导师提供给我一个无线供电发射以及接受极电路图以及实物元件，在做实验的时候发射极的芯片老是烫手；老师的建议是发射极电路功率太小了，需要添加一个功率放大器，但是我自己在网上找不到合适的功率放大器，而且
2021-11-18 15:06:32
两端的电压降为1v，还可以找到发射极电阻R E的值。假设使用标准NPN硅晶体管，则计算所有其他电路电阻的值。然后在特性曲线的集电极电流垂直轴上建立点“ A”，并在Vce = 0时出现。当晶体管完全“关断
2020-11-02 09:25:24
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
以前记三极管的何为发射极和集电极的时候都是死记硬背的，如下图带箭头的是e也就是发射极但是今天看到IGBT的原理图PNP的箭头处是集电极，于是就搞不太清楚这集电极和发射极的命名搜了网上说的 发射极即
2019-03-04 15:51:00
和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型所以FET选型和使用都比较复杂， 7功耗问题:BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流; 实际_上就是三极管比较便宜
2018-10-24 14:30:27
与栅极相比，漏极与栅极之间的电压变化较高，因此与源极端相比，耗尽层宽度与漏极相比较高。2、P沟道耗尽型 MOSFET在P沟道耗尽型MOSFET中，连接源极和漏极的沟道是P型硅，衬底为N型半导体。大多数
2022-09-13 08:00:00
掺杂的N+区，分别命名为源（Source）区与漏（Drain）区，从中引出的电极分别称为源极（S）与漏极（D）。在P型衬底表面覆盖薄薄的一层SiO2（二氧化硅）作为绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，再在
2023-02-10 15:58:00
R1=R2,忽略运放失调电压，V1发射极电压是多少
2019-07-13 10:01:16
当三极管为开路输出时，三极管集电极通过一个负载，再从负载另一端接到电源，-----------------------------通常我们称为集电极开路输出。那么三极管为发射极这边来接负载时，这个
2019-08-01 00:03:31
请问二极管正向导通后，发射极和集电极的电压差是多少啊
2023-10-12 11:42:39
所谓选择性发射极（SE-selectiveemiter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波
2018-09-26 09:44:54
管的相同之处：在工作温度为25℃时，BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管的集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极导通电压的最大额定值分别为30/15/2.5V。它们的集电极持续工作电流最大额定值为
2019-04-08 01:46:37
具有双发射极输出级的放大器
2009-03-20 10:59:06588 
磁敏晶体管共发射极电路图
2009-06-08 15:33:48326 
使用双极晶体管的发射极接地放大电路图
2009-08-08 16:14:36804 
双极发射极跟随器：具有双通道反馈的RISO
我们选择用于分析具有双通道反馈的RISO的双极发射极跟随器为OPA177，具体情况请参阅图1。OPA177为一款低漂移、低输入失调
2009-09-25 09:33:391762 
发射极,发射极是什么意思
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分
2010-02-26 11:19:4516040 多晶硅发射极晶体管,多晶硅发射极晶体管是什么意思
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚
2010-03-05 11:08:271560
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