这本文中，我们提出了一种精确的，低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法，用于精确的势垒凹陷应用，使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期，而相对于未蚀刻的表面，表面粗糙度没有任何可观察到的增加。
2021-12-13 16:07:58
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不同的蚀刻剂(氯化铁和氯化铜)进行化学蚀刻。研究了选择的蚀刻剂和加工条件对蚀刻深度和表面粗糙度的影响。实验研究表明，氯化铁产生的化学腐蚀速率最快，但氯化铜产生的化学腐蚀速率最快最光滑的表面质量。 关键词:化学蚀刻；铜
2021-12-29 13:21:462087 
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 
、铁(III)氯离子浓度、溶解铝浓度对蚀刻电路质量和蚀刻速率的影响。蚀刻系统允许在制备和电路处理中发生合理的变化，而不严重影响蚀刻电路的质量。对蚀刻剂的控制可以在广泛的温度和成分范围内保持。 介绍 在印刷电路工业中，化学蚀刻
2022-01-07 15:40:121194 
引言 用电化学和原子力显微镜方法对有机酸与铜的相互作用进行了表征可以建立用于湿铜加工的高效清洗公式。本文研究了单有机酸、二有机酸和三有机酸中铜的蚀刻速率和氧化机理。除了草酸的钝化性能外，其他
2022-01-13 14:02:461841 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
步骤会影响AIO蚀刻性能，甚至导致图案缺陷。研究表明，图案失效缺陷的数量与ST250的寿命密切相关，ST 250用于在金属硬蚀刻工艺后去除聚合物。实验表明，延长ST250上升时间并增加一个洗涤器工艺步骤可以获得与运行时间 50小时的旧酸相当的缺陷性
2022-06-01 15:55:467809 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423345 
在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中有详细描述，一旦掩模就位，可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻，图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522866 
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
`在使用国产CAD软件绘制建筑CAD图纸的过程中，经常会用到CAD图案填充功能，那么在浩辰CAD建筑软件中如何使用线图案填充呢？接下来的CAD教程就和小编一起来看看国产CAD软件——浩辰CAD建筑
2021-01-29 10:44:16
PCB制作工艺中的碱性氯化铜蚀刻液1.特性1)适用于图形电镀金属抗蚀层，如镀覆金、镍、锡铅合金，锡镍合金及锡的印制板的蚀刻。 2)蚀刻速率快，侧蚀小，溶铜能力高，蚀刻速率容易控制。 3)蚀刻液可以
2018-02-09 09:26:59
印制图案间隔由电路上所加电压及相应的安全规定来确定。安全规定确定了印制图案间隔与耐压，若印制图案间隔变窄，则会在耐压实验时产生电晕放电，使隔离绝缘被破坏。因此，进行耐压实验时其电压要根据相应安全
2018-11-22 15:45:22
液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧
2018-09-11 15:19:38
类型，通过试验方法确定蚀刻液的浓度，它应有较大的选择余地，也就是指工艺范围较宽。 2）蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液
2013-10-31 10:52:34
，在市场上还可以买到氨水/硫酸氨蚀刻药液。 以硫酸盐为基的蚀刻药液,使用后,其中的铜可以用电解的方法分离出来,因此能够重复使用。由于它的腐蚀速率较低，一般在实际生产中不多见,但有望用在无氯蚀刻中
2018-11-26 16:58:50
块数以拼板后拼板长边尺寸符合6.2规定为宜。采用这种拼法时要注意拼板的刚度，图8（a）为典型的V形槽分离方式拼板，设计有三条与PCB传送方向垂直的工艺边并双面留有敷铜箔，目的是加强刚度。图8（b）适合于
2023-04-25 17:08:11
使用的化工药液，与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外，在市场上还可以买到氨水/硫酸氨蚀刻药液。 以硫酸盐为基的蚀刻药液，使用后，其中的铜可以用电解的方法分离
2018-09-13 15:46:18
labview做示波器怎么自动测量脉宽啊？我在用NI便携式平台开发一个示波器的测量参数，测量脉宽。现在想不用调整最小采样率，最小记录长度，参考位置，触发方式。就可以自适应的测量出任意脉宽。但是这个自适应脉宽肯定是该平台能够测量的。各位有没有什么方法推荐下
2016-06-16 11:54:19
标准食人鱼电阻条在 非金属3.过标准预扩散或预深度清洁处理。实验室政策 - 清洁度等级：文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019如有侵权，请联系作者删除
2021-07-01 09:42:27
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率，因此当半导体正被蚀刻在下方时，金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳米柱。电子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
的蚀刻速率作为温度的函数图。1.用三角形指定的数据来自于在砷化镓上生长的多晶AlN。这种材料的蚀速率比在氧化铝上生长的两个单晶样品快得多。2. 用正方形表示的数据来自一个1µm厚的层，双晶X射线衍射峰宽为
2021-10-14 11:48:31
1 分钟来终止蚀刻，然后将掩模溶解在沸腾的丙酮中，最后用氮气吹干样品。蚀刻速率是通过使用 Talystep (Rank Taylor Hobson) 测量蚀刻表面和掩蔽表面之间产生的台阶的厚度来评估
2021-07-09 10:23:37
的实验结果。确定了几个可能影响粘附的因素，并使用实验设计 (DOE) 方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显着的附着力改进是在光刻胶涂层之前立即加入天然氧化物蚀刻。除了提高附着力外，这种预涂层处理
2021-07-06 09:39:22
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
/硫酸氨蚀刻药液。以硫酸盐为基的蚀刻药液,使用后,其中的铜可以用电解的方法分离出来,因此能够重复使用。由于它的腐蚀速率较低，一般在实际生产中不多见,但有望用在无氯蚀刻中。有人试验用硫酸-双氧水做蚀刻剂来
2018-04-05 19:27:39
的分析当电压幅值为15V， 频率为1MHz时，大量盐藻细胞和微粒出现排列现象，向着远离电极的方向运动，现象十分明显，所以此交流电压幅值和频率适合作为盐藻与微粒分离实验的参数。电压15V，频率1MHz下的盐
2021-07-02 13:54:33
的关系 在蚀刻过程中，蚀刻液中的反应离子是通过流体运动，扩散运动达到露铜箔的表面并与铜发生化学反应的。流体运动的速度与扩散层的厚度决定着反应的速率。在流体运动时，其受到铜箔表面流体的阻力f作用。根据
2018-09-10 15:56:56
喷洒在板子的表面。它把新鲜的溶液喷洒在板子上，具有很高的蚀刻速率。下列因素决定了蚀刻的均匀程度: 1 )喷洒样式、力量、喷洒量的一致性和排放的位置; 2) 蚀刻剂的化学性能、泵的压力、喷嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
，1mm宽的印制图案允许通过的有效电流可估算为IA。对于电流变化较小的直流电源等，可直接由其确定印制图案的宽度，然而，对于开关电源等电流变化较大与电流峰值较高的电路，则需要进行计算。由于开关电源的电流是不
2018-09-11 16:11:58
。蚀刻工艺对设备状态的依赖性极大,故必需时刻使设备保持在良好的状态。【解密专家+V信：icpojie】 目前﹐无论使用何种蚀刻液﹐都必须使用高压喷淋﹐而为了获得较整齐的侧边线条和高质量的蚀刻效果
2017-06-23 16:01:38
最近，一直在利用单片机的输入捕捉功能测量脉宽计算频率。开始以为很简单，不过确实没用多少时间单片机的配置就做好了，并且也可以测量频率啦。但问题就在于测量的精度，以及频率的高端和低端测量等问题。弄了
2020-04-09 00:57:34
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
各位大哥，小弟有个问题想要咨询大家。我用MCC-1608G的信号采集卡采集脉冲信号，我想要得到的是某段时间内脉宽的波动情况。现在数据采集卡导出来的是Excel。请问各位大神，有没有办法用LABVIEW测量脉宽并记录数据，然后再进行比对生成曲线？
2017-03-01 22:56:50
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
求推荐 led芯片通过光蚀刻形成通孔和采用剥离工艺形成具有布线图案的电极的相关书籍
2019-04-15 23:38:47
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
形成，而减慢了蚀刻的速度。【解密专家+V信：icpojie】 蚀刻设备的维护 维护蚀刻设备的最关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物,使喷嘴能畅顺地喷射。阻塞物或结渣会使喷射时产生压力
2017-06-24 11:56:41
可以用电解的方法分离出来,因此能够重复使用。由于它的腐蚀速率较低，一般在实际生产中不多见,但有望用在无氯蚀刻中。 有人试验用硫酸-双氧水做蚀刻剂来腐蚀外层图形。由于包括经济和废液处理方面等许多原因
2018-09-19 15:39:21
在PCB中我想挖一个方形槽，但找了两家打样也是做成了圆的，转角也有一点割不干净，PCB中是否可以做方形槽？
2019-09-19 04:17:08
光纤V形槽和二维阵列 排列范围极广，从几根光纤到几千根光纤，具体取决于应用。说明：Molex 的 Fiberguide光纤V形槽和排列是使用专利制造技术的、公差非常严格的一维（V 形槽
2021-10-21 14:46:40
多速率视频同步分离电路
2009-02-28 11:43:35565 
离线火车、地铁车轮轮缘厚度磨损测量可用IPK5手持式激光火车轮轮缘轮廓测量仪，而本文介绍在线运行列车轮缘厚度磨损测量。如下图是用激光
2011-01-02 13:23:371029 
在积体电路製造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案(Pattern)，这些图案主要的形成方式，乃是藉由蚀刻(Etching)技术，将微影(Micro-lithography)后所产生的光阻图案忠实地转印至
2011-10-31 16:32:26
51 美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法
2012-01-07 11:47:281391 自编字型图案及LCD文字显示实验案例 1、 自编字型图案实验 /*自编字型图案实验(ch13-6-2.c)适用於89S51线上烧录实验板(USB版)*/ #include reg51.h
2017-09-06 15:16:523 车轮踏面磨耗是城轨车辆安全运行的重要参数，检测车轮踏面磨耗对保障列车行车安全有着重要意义。随着列车的运营里程的增加，车轮踏面磨耗不均匀以及磨耗速率增大导致车轮轮径值变化较大，降低了列车运行的安全性
2018-02-09 14:45:421 蚀刻液的种类：不同的蚀刻液化学组分不同，其蚀刻速率就不同，蚀刻系数也不同。例如：酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:27:366335 本视频展示了如何使用ADI FRC IMU板补偿每个车轮的不同传动速率，从而在拱廊模式下保持机器人直行并展示此产品将如何有助于克纳姆驱动。
2019-06-28 06:04:001847 适当位置保留抗蚀剂之间取得平衡。保护是通过在电路图案上涂一层薄薄的抗蚀剂（主要由锡混合物组成）来进行的，从而保护所需的图案不受蚀刻剂的影响。 由于蚀刻会从一块干净的空白板上除去多余的铜，因此铜的厚度加上镀层的厚度
2020-12-31 11:38:583561 根据MATLAB中的伪随机交织器产生的交织图案初始化到ROM的实验(嵌入式开发工程师报名)-根据MATLAB中的伪随机交织器产生的交织图案初始化到ROM
2021-07-30 16:19:5713 51单片机实验8：led点阵（2）：点亮一个数字图案
2021-11-23 16:36:095 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的 100 表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:55:35484 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快
2021-12-30 10:36:17989 
摘要 本文对本克斯使用的铝蚀刻剂进行调查，以长期提高蚀刻部件的质量。非常薄的铝箔图案在磷酸、氯化铁和水锈溶液中精确蚀刻的铝箔图案符合尺寸和一致性标准。蚀刻剂的主要问题是，由蒸发和耗尽引起的成分变化
2022-01-07 16:47:46840 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 
，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）防止蚀刻剂渗透到光致抗蚀剂/材料界面。为了避免后一种现象，了解蚀刻剂是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。 蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前的工作中得到了证明。我
2022-01-18 15:20:01409 
介绍 本文通过详细的动力学研究，阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后，我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:131340 
中mems晶圆蚀刻的蚀刻溶液，以液体二氧化碳为溶剂，以丙酮为蚀刻溶液，这两种组分混合不均匀，呈相分离现象，下层的液体二氧化碳干扰了蚀刻过程中丙酮与毫米晶片的接触，冲洗和干燥后的效果不佳。根据不同实验条件下的结果，建
2022-02-08 17:04:28762 
我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
功率、施加到衬底支架的负偏压和氢气流速对蚀刻过程速率的影响。实验结果首次评估了工艺参数对刻蚀速率的影响。结果表明，工艺参数对所研究条件的影响依次为:反应室压力、偏压、射频功率、氢气流速。
2022-02-17 15:25:421804 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60
2022-03-04 15:07:09845 
剂对不同晶面的蚀刻速率分布，解释了氢氧化钾在凸角处的倒圆效应。为了确定快速蚀刻的平面 ,已经对圆角的形状进行了模拟。执行的实验结果与蚀刻拐角的模拟形状非常相似。
2022-03-07 15:26:14372 
提高10倍的吞吐量。 虽然大多数公司使用干式蚀刻工艺来创建图案表面，但干式蚀刻的缺点并不小，包括加工设备的成本高，吞吐量低，扩展性差等等。 这种不利因素促使许多人重新燃起对湿法蚀刻的兴趣。历史上，标准
2022-03-08 13:34:36528 本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:47431 
在半导体器件制造中，蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义，其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位，就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了该过程的示意图。
2022-03-10 13:47:364332 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09619 
材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率
2022-03-16 16:31:581134 
本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液中添加的其他醇，详细研究了丁基醇浓度对（100）和（110）Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响，并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液的蚀刻结果，为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理，我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01288 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00411 
利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移，制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构，纳米图案的转移是通过一个涉及硅的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法，可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54373 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:342503 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-06 13:29:19666 
本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具，为此，我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型，通过与实验蚀刻速率数据的比较，实现了模型验证。此外，该模型通过改变
2022-04-08 16:44:54893 
材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率
2022-04-20 16:11:571972 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-22 14:04:19591 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:362656 
控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04:34644 
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示
2022-05-11 15:46:19730 
在本文中，使用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻方法进行了阵列制作铁氧化物纳米点的生物纳米过程，ICP法是一种很有前途的方法，用于半导体图案化的干蚀刻方法，这种方法的特点是通过安装在反应室顶部的天线线圈
2022-05-19 16:05:211502 
的组成和温度对腐蚀速率的影响，阴离子表面活性剂的加入提供了防止由蚀刻反应产生的淤渣粘附的功能，一种新的配备有流动发生部件的湿法蚀刻试验装置被用于测试商用无碱玻璃和钠钙玻璃的蚀刻，通过使用中试装置，将厚度
2022-05-20 16:20:243160 本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响，以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以
2022-05-20 17:12:59853 
通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量，当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时，这样做有时可以实时测量蚀刻速率。
2022-05-27 15:12:133471 且精确地用光致抗蚀剂图案化，并且能够承受图案被转移到Pt中，然后去除Cr掩模，只需要标准化学品和洁净室设备/工具，在王水蚀刻之前，铂上的任何表面钝化都需要去除，这通常通过在稀氢氟酸(HF)中快速浸泡来实现
2022-05-30 15:29:152171 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481113 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺，适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明，蚀刻速率主要取决于Cl浓度，而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14904 
(氯与铟的比率)分别为7.2和0.38，还观察到，由于离子化杂质散射，表面残留副产物降低了载流子迁移率，如在蚀刻过程后的ITO图案中所见，由于快速蚀刻速率，王水发生了严重的底切，因此，9 M HCl溶液更适合作为ITO/有机发光二极管应用的蚀刻剂。 本研
2022-07-01 16:50:561350 
在本研究中，我们华林科纳研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率，保持浴液温度恒定，并比较了含有相同浓度的酸的溶液，对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究，试图阐明这些浴液中的溶解机制。
2022-07-04 15:59:581434 
据麦姆斯咨询报道，鉴于此，四川大学王玉忠院士和宋飞教授开发了一种用于本征可润湿表面图案化的简便无掩模限制蚀刻策略。使用常见的印刷技术和随后的位置限制化学蚀刻，可以制造分辨率为200μm的固有、复杂和精确的图案（如QR码）。所创建的各向异性图案可用于实现水响应信息存储和加密。
2022-07-11 15:09:30894 这两种蚀刻液被广为使用的原因之一是其再生能力很强。通过再生反应，可以提高蚀刻铜的能力，同时，还能保持恒定的蚀刻速度。在批量PCB生产中，既要保持稳定的蚀刻速度，还要确保这一速度能实现最大产出率，这一点至关重要。蚀刻速度对生产速率会产生很大的影响，所以在对比蚀刻液的性能时，蚀刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198544 反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果：其具有一定的各向异性，而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先，蚀刻速率显著增加。通过离子轰击，基材分子会进入激发态，从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553386 ； 2、效率高使用方便：有效地设计喷淋与被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度；蚀刻效果、速度和操作者的环境及方便程度等方面都有改善；药液使用充分，大大降低生产成本；3、蚀刻速度在传统蚀刻法上大大提高：经反复实验喷射压力在1-2 kg/cm2的情况下被蚀刻
2022-12-19 17:05:50407 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
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