SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于
2021-12-20 09:41:59
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影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。 介绍 对SC-1和QDR的加工时间、温度、浓度和兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究.这些研究表明，对颗粒
2021-12-27 10:38:32796 
和去除的作用。清洁溶液。加入柠檬酸后，由于柠檬酸盐的吸附作用，二氧化硅和铜的ζ电位略有增加。柠檬酸被吸附在二氧化硅和铜表面，导致这些表面上有更多的负电荷。二氧化硅颗粒对铜的附着力随着柠檬酸浓度的增加而降低，这是
2021-12-29 11:00:011082 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。
2022-03-29 14:56:212248 
器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合，以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°，这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合，进一步提
2022-04-27 16:55:521314 
中的颗粒去除效率。在大约0.05∶1∶5(0.05份nh4oh、1份H2O、5份H2O)的比率下，优化了nh4oh-1-zO溶液中的nh4oh-1∶5的IH含量。在使用该比率的NHdOH-hzo tFt处理期间，通过表面微观粗糙度测量的损伤没有增加。 介绍 QT清洗技术将继续在半导体器件的ULSI制造中
2022-06-01 14:57:576891 
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
输出，总谐波失真和噪声不超过1%。用户选择“3D立体声”模式将获得增强的立体声输出。KX4888有两个独立耳机使能输入端，分别对应不同的逻辑阈值电平。HP输入端可以使电路工作在单端耳机模式并且关断BTL
2011-03-13 23:02:54
范围（用主机测距），然后在此范围内精确定点。定点时可先每隔4－5米定一下点，当听到有规律的“啪啪···”振动声音（故障点放电声应与所收电磁波同步，听声过程中应参考所接收的电磁波），应放慢脚步（隔1米
2020-12-10 10:39:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
<p>声表面波传感器共8章，内容包括声表面波技术基础，声表面波传感器理论分析，声
2009-08-07 12:29:41
1.谐振型声表面波传感器的Q值是怎么得出来得？2.如何从导纳曲线中看出谐振频率，通带，阻带等信息？
2020-05-12 08:58:43
×5mm的小型化过程。3 声表面波器件封装的发展趋势随着移动通信工作频率从900MHz扩展到1 800MHz、2 400MHz及以上频段，用于移动通信的声表面波滤波器也随之提高到相应频段。数家公司已供应
2018-11-23 11:14:02
【作者】：陈江义;乔明明;【来源】：《郑州大学学报(工学版)》2010年02期【摘要】：以常用的声表面波(SAW)带通滤波器设计方法为基础,利用模块化设计思想,采用Visual Basic语言作为
2010-04-22 11:50:38
传播速度的十万分之一，所以压电基片上叉指换能器的这一功能适合于电子模拟信号处理技术，能实现多种模拟信号处理功能。 声表面波无源无线传感器和目标识别器的研究是上世纪80年代中后期开展起来的新兴研究领域[1
2018-10-24 17:08:08
中残余物过程中样品的匀浆用于饮用水和污水中杂质分析过程用于化妆品和制药行业中脂质体的制备时间 – 可设置1-99min或连续操作,可随时暂停并显示剩余时间温度 – 温度可设置20-80℃,可显示实际
2016-05-25 16:25:57
本文以Altera公司的FPGA为目标器件，通过开发实例介绍FPGA开发的完整的流程及开发过程中使用到的开发工具，包括QuartusII、FPGA CompilerII、Modelsim，并重点解说如何使用这三个工具进行协同设计。
2021-04-29 06:04:13
图像处理的形态学是处理二值图，下面程序首先对图像进行二值化处理，然后使用形态学函数的IMAQ RemoveParticle进行图像去除部分颗粒，端子Number of Erosion可以控制移除
2015-08-12 21:00:09
PCB设计过程中布线效率的提升方法现在市面上流行的EDA工具软件很多，但这些pcb设计软件除了使用的术语和功能键的位置不一样外都大同小异，如何用这些工具更好地实现PCB的设计呢？在开始布线之前
2018-07-09 17:23:05
地实现PCB的设计呢？在开始布线之前对设计进行认真的分析以及对工具软件进行认真的设置将使设计更加符合要求。下面是一般的设计过程和步骤。 1、确定PCB的层数 电路板尺寸和布线层数需要在设计初期确定
2012-09-10 11:28:35
认真的分析以及对工具软件进行认真的设置将使设计更加符合要求。下面是一般的设计过程和步骤。 1、确定PCB的层数 电路板尺寸和布线层数需要在设计初期确定。如果设计要求使用高密度球栅数组（BGA）组件
2012-10-07 23:22:13
请教各位大神这个图片能否通过调节PWM的占空比来生成正弦波，锯齿，三角波，噪声波？有没有什么算法可以提供参考下？本人学历不高，不能理解太高深的知识
2019-01-06 16:44:01
SPI在通信的过程中是用什么来区别主栈和从栈的
2023-10-10 07:15:19
有时候，SH（SPM）后，会引入较多颗粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的时候SH去胶后引入的颗粒，用FSI清洗无法去除，不知为何？有哪位同仁知道的请指点。
2011-04-14 10:44:26
有时候，SH（SPM）后，会引入较多颗粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的时候SH去胶后引入的颗粒，用FSI清洗无法去除，不知为何？有哪位同仁知道的请指点。
2011-04-14 14:37:09
你好：我用例子“E:\NXP\AUTOSAR\S32K_AUTOSAR_OS_4_0_98_RTM_1_0_0sample\standard\sc1”编译时，总是出现无法生成
2023-04-06 07:42:14
）和基于雷达原理的温度读取器组成。 其工作过程是：读取器发出电磁扫描信号，探头接收到电磁波信号并由叉指换能器转换成其内部工作的声表面波；声表面波再经叉指换能器转换成电磁波信号经由天线返回到读取器；声
2015-11-06 09:56:15
人员的操作手法要求很高。三，化学法，化学去除主要是通过溶剂将涂层溶解去除，合适的去除溶剂可以使涂层完全去除，并且不损害电子器件，根据三防漆材料类型来选择合适的去除剂，化学去除由于简单易行，是比较常用的去除方法
2017-05-28 10:44:47
串口通信的过程中波特率可以根据数据来调整吗
2023-10-13 07:55:45
实验名称：电压放大器在声波截面梯度场的重建及其在声波场处理中的应用
实验内容：水下声信号在传播过程中会引起介质折射率的变化，当激光穿过声扰动介质时，介质折射率的空间变化引起激光束的偏转，利用
2024-03-08 17:45:52
我们正在使用 LIS2DE12 开发新产品，并计划在 ABS 塑料外壳的组装过程中使用超声波焊接。焊机将以 20KHz 的频率、20um 的振幅和“大”压力锤击外壳。焊接过程通常需要 1-3 秒。这对安装在外壳内 PCB 上的传感器有害吗？
2023-01-12 08:33:26
定量装置并配合自动水循环系统，能够准确地自动定量内桶水量， 从而免去人工称水重和调节水温的步骤，避免了操作过程中人为因素给测试结果带来的误差， 减轻了操作人员的劳动强度，缩短测试时间使工作效率得到了提高。 打开主机和恒温箱电源，启动微机操作系统，点击“微机量热仪”图标进入量热仪程序`
2019-09-28 19:50:59
四轴在飞行的控制过程中可以用什么算法来控制姿态
2023-10-12 07:03:10
在硬件设计过程中该怎么选择合适的电源模块来为芯片供电？
2021-09-28 08:55:07
内物质运动，细胞受微细按摩，组织分界面上温度升高。超声波传递会增强生物膜弥散过程，改变膜电位使离子和胶体通透性增强，促进血液循环，软化组织，刺激细胞功能。加速化学反应，加强新陈代谢，影响酶的功能和生物
2018-12-27 09:39:57
频率的平方成正比，在声波的传播过程中，和频及倍频等频率较高的信号衰减很快，经过一段距离后，仅剩下频率较低的差频信号。与常规换能器相比，首先，该差频信号具有更好的指向性；其次，该差频信号几乎没有旁瓣
2019-04-09 09:40:05
信息畅通无阻的过程称为低通滤波。通过滤波可以去除高频分量，消除噪声，起到平滑图像去噪声的增强作用。 在频域中实现对图像的滤波过程如下： (1)对原始输入图像进行傅里叶变换，得到频谱函数F(u，v
2018-11-14 15:47:14
于使用、更灵活且价格更低廉。与传统的超声传感器设计相比，这些新增功能大大拓展了其应用范围。 如今，MHZ（兆洲）牌超声波物位仪能在众多工业领域帮助机械设计人员找出降低成本、提高质量控制效率以及增强检验功能的创新解决方案。而其在包装领域的应用也越来越深入。
2019-06-28 06:47:01
在从图像源到终端显示的过程中，电路噪声、传输损耗等会造成图像质量下降，为了改善显示器的视觉效果，常常需要进行图像增强处理。图像增强处理有很强的针对性，没有统一的*价标准，从一般的图片、视频欣赏角度来说，滤除噪声、扩展对比度、锐化以及色彩增强等处理能显著提升视觉效果。
2019-10-21 07:52:08
偏离搅拌中心；还可以安装导波管，从而有效消除因搅拌器搅拌对液位测量产生的影响。 2.泡沫对超声波液位计影响： 在用超声波液位计来测量液位的过程中，经常会遇到泡沫的干扰。泡沫按照属性可以分为：干、湿
2016-04-01 14:27:36
近年来，随着雷达技术的发展和普及，科技大片中的无人驾驶离我们越来越近。全球很多中高档汽车已经开始配备汽车雷达。目前用于汽车上的雷达分为超声波雷达、毫米波雷达、激光雷达等，不同的雷达工作原理不同，性能
2019-09-19 09:05:02
在数据采集的过程中，如果有较大的噪声波动，一般会将邻近的 N 个点平均作为输出。请设计一个程序处理以上提到的情况，N＝4。
2015-07-07 12:41:49
和相关检测电路组成的SAW 气体传感器。敏感薄膜在吸附气体的过程中， 被测气体导致的应力作用于声表面波传输路径中的介质， 使其动力学特性发生改变， 进而改变声表面波器件的谐振频率。与之配套的检测电路测试
2018-11-05 16:16:21
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一个问题，自己没办法解决，所以想请教下。一个刚从氮气包装袋拿出来的晶圆片经过去离子水洗过后，在强光照射下或者显微镜下观察，片子表面出现一些颗粒残留，无论怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
？除了这些需要有别的操作吗？2、中断之间的切换要多少时间呢？能否在1us之内完成？3、是否保证了一个中断服务只能被更高优先级的中断打断？4、是否有一些代码在执行过程中不可能被打断？这些代码主要有哪些呢？5、通常来说，在C6678中使用中断嵌套是不是不提倡的？会对流程有哪些不良影响？谢谢！
2019-01-07 11:05:55
单片机开发过程中，有一个好的调试系统可以极大地提高开发效率。举个例子，做平衡系统时调节PID参数，你会选择 修改参数–>编译–>烧录–>运行–>修改…，还是做一个功能可以一边
2022-01-14 08:25:36
`因为许多 建筑工程施工的全过程之中，管路都是分配在地底或是是很隐蔽工程的部位，因而假如管路出現一切难题得话没办法去发觉，因此必须根据安裝超声波流量计来更强的管理方法和操纵管路内物块流动性的状况
2020-09-03 15:10:30
，而且清洗液上下对流。此时若将手指浸入清洗液中，则有强烈针刺的感觉。上述这种现象称为超声空化作用。 超声清洗就是利用了空化作用的冲击波，其清洗过程中由下列四个因素作用所引起。 (1
2009-06-18 08:55:02
本人在做一个弱信号检测的过程中遇到一个难题。用OPA657做跨阻放大器的时候，被检测信号很弱，是一个1M的方波信号。我用200k电阻作为放大电阻，但是这样的话，背景光（太阳光）就被放大到饱和了，输出
2023-11-15 06:45:35
，用什么稀释：1、干的程度较低的情况下，可以和新锡浆稀释混合搅拌后使用，仅适用于价格较低档的产品上2 、锡膏存在保质期，变干属于变质范畴，一般不可再作用于植锡锡浆（锡膏）有铅无铅哪个好用，区别在哪里：锡
2022-05-31 15:50:49
2010年同季则提高6%。飞兆半导体报告2011年第二季的净收入为4,490万美元(或每稀释股 0.34美元)，相对上季的净收入为4,350万美元 (或每稀释股 0.33美元)，而 2010年第二季
2011-07-31 08:51:14
声为超声波，超声波是20kHz以上的声波，人耳听不到，它以声源为中心，以球面波的形式向周围传播。超声波为机械波，不受电磁环境的影响。用接收超声波信号来判断局放存在
2021-11-03 16:09:16
清洗标的： 玻璃基板/光学玻璃 主要材料: 金属骨架+SUS304不锈钢壳体，槽体材质SUS316不锈钢 基础工艺流程: 超声→超声→兆声→鼓泡漂洗→热水漂洗→慢提拉（烘干
2022-12-09 17:18:54
SC-1型超声波加湿器电路图
2009-02-28 00:21:033350 
超声波金属焊接是一种压力焊接工艺。在焊接过程中，多层材料在纵向压力下紧密配合，同时施加横向高频剪切振动。在振动过程中，材料被压缩和变形，剪切运动去除表面突起，去除表面氧化物和污染物，并增加焊接部件
2021-09-26 18:07:53607 在化学机械抛光原位清洗模块中，而不是在后原位湿法清洗过程中。因此，化学机械抛光后的原位清洗优化和清洗效率的提高在化学机械抛光后的缺陷控制中起着举足轻重的作用。化学机械抛光原位清洁模块通常由兆频超声波和刷式洗涤器工
2022-01-11 16:31:39442 
它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。 本文重点研究了纳米颗粒刷洗涤器清洗过程中的颗粒去除机理并研究了从氮化物基质中去除平均尺寸为34nm的透明二氧化硅颗粒的方法。在洗涤器清洗后，检查晶片上颗粒径向表面浓度
2022-01-18 15:55:30449 
器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合，以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°，这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合，进一步提
2022-01-26 16:02:02321 
、稀释动态清洁(基于HF/臭氧的工艺)和AFEOL(稀释SC1、HF和臭氧化学的组合)根据金属和颗粒去除性能和主要表面特性(表面粗糙度和少数载流子寿命)进行评估。还研究了硅和氧化物的消耗。对图案化的栅极
2022-02-10 16:17:55301 
本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间
2022-02-11 14:44:271442 
纳米。另一方面，在2008年发表的报告中，对于32纳米高压线和空间图案，EUV掩模上吸收体缺陷的临界缺陷尺寸被描述为大约24纳米，这意味着必须去除具有相同尺寸的颗粒。在如此严格的缺陷要求下，清洁工
2022-02-17 14:59:271349 
研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明，碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中，颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒，然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。
2022-02-17 16:24:272167 
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于
2022-02-23 13:26:322009 
本文首次提出了由标准SC1/SC2腐蚀周期引起的Si (100)表面改性的证据。SC1/SC2蚀刻(也称为RCA清洗)通过NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀释的HF中去除氧化物，通过
2022-02-23 14:15:227104 
兆声波增强了较小和较大颗粒尺寸的颗粒去除。99% 的 PRE 值是通过使用稀释的 HF/SC1 化学物质和通过使用 SC1 增加兆声波功率而获得的。如果需要，单晶片清洁系统允许在正面分配 DIW，以在将化学物质施加到背面时最大限度地减少晶片器件侧的化学接触。蚀刻速率测试证实没有化
2022-03-03 14:17:11664 
摘要 随着 ULSI 设备越来越小型化，对产量产生不利影响的颗粒直径一直在缩小。最近，直径为 0.1 或更小的超细颗粒变得很重要。预计这种类型的超细颗粒难以去除。本研究建立了一种评估超细颗粒去除效率
2022-03-03 14:17:36376 
本文介绍了用兆频超声波能量从有机溶剂中的硅片上去除颗粒的实验。纳米粒子首先通过可控污染工艺沉积在硅晶片上。对于新沉积和老化的颗粒，研究了作为兆频超声波功率的函数的颗粒去除效率。通过改变处理条件和漂洗
2022-03-07 15:26:56541 
应用兆频超声波能量去除颗粒已被证明是一种非常有效的非接触式清洁方法。对晶片表面的清洁同样重要的是干燥过程。一种非常常见的方法是高速旋转干燥，但从减少颗粒和防止水痕的角度来看，这都是无效的。一种高性能的替代品是基于旋转力和马兰戈尼力的“旋转戈尼”干燥器。这两种技术的结合为清洗和干燥晶片提供了有效的平台。
2022-03-15 11:27:481021 
在半导体器件的制造过程中，兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面
2022-03-15 11:28:22460 
为了确保高器件产量，在半导体制造过程中，必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗涤器是用于实现这种控制的工具之一，尤其是在化学机械平面化工艺之后。尽管自20世纪90年代初以来，刷子刷洗就已在生产中使用，但刷洗过程中的颗粒去除机制仍处于激烈的讨论之中。这项研究主要集中在分析擦洗过程中作用在颗粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。
2022-03-25 17:01:252376 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。 本文将讨论一个详细的SC-I清洗的化学模型。了解导致氧化物同时生长和蚀刻的
2022-03-25 17:02:502376 
面损伤有负面影响。近年来，它已被修改为加入更稀的溶液，以减少由氢氧化铵引起的表面微观粗糙度。在本文中，提出了一种新思路，即使用去离子水快速倾倒冲洗 (QDR) 模式从对话设置转变为改进模式。使用 DIW 进行修改的修改配方可以在加工过程中完全去除颗粒。
2022-03-30 14:29:42311 
兆频超声波清洗已被用于去除集成电路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如颗粒和聚合物/抗蚀剂残留物。然而，随着器件技术节点的缩小，兆频超声波清洗正面临着保持高清洗效率的挑战，这种高清洗效率是由较小颗粒的稳定
2022-03-30 14:33:50995 
处理纳米级颗粒污染仍然是半导体器件制造过程中的主要挑战之一。对于越来越多的关键处理步骤而言尤其如此，在这些步骤中，需要去除颗粒物质的残留物而不会对敏感器件图案造成机械损坏，同时实现尽可能低的基板损失
2022-03-31 14:59:40303 
在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。
2022-04-01 14:25:332948 
为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染，有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒的粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒（0.1-0.5mm）沉积
2022-04-06 16:53:501046 
的内在能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗粒尺寸和类型的通用过程，甚至来自图案晶片，具有相同理论能力但实际上受到粒子可及性的限制，最后是无法去除所有颗粒尺寸的清洗。 通过计算施加给细颗粒的
2022-04-08 17:22:531231 
能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗粒尺寸和类型的通用过程，甚至来自图案晶片，具有相同理论能力但实际上受到粒子可及性的限制，最后是无法去除所有颗粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520 
/O2气体气氛中进行干洗，在CF4等离子体条件下进行干燥，在O2等离子体的条件下进行干燥剂后， 通过执行湿式清洁工艺去除上述残留光刻胶，可以彻底去除半导体装置制造过程中使用的光刻胶，增进半导体装置的可靠性，防止设备污染。
2022-04-13 13:56:42872 
本文研究了兆声功率、温度和时间的相互影响，在兆声功率和中高温下进行的稀释化学反应被证明对小颗粒再利用是非常有效的。数据显示，当在中等温度(例如45℃)下使用高纯度化学品时，可以延长寿命，过渡金属表面浓度和表面粗糙度已经在稀释的SC1处理后进行了测量，并与传统SC1处理后的金属污进行了比较。
2022-04-19 11:24:52409 
在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径
2022-05-07 15:48:381575 
。 1 通常我们在破解STM32过程中，如果原开发者没有嵌入软加密，那我们只需对芯片进行开片，去除加密锁，然后通过编程器直接读取，读取的BIN文件或HEX文件，完全可以正常使用。 2 在去除加密锁后，提取的程序代码无法工作，存在软加密，很多软加密是通过烧录器选
2022-05-24 16:29:273933 氧化物的性质有害，这反过来影响整个器件的性质。 种程序用于清洁硅晶片。一个广泛使用的程序是标准的RCA清洁。RCA清洗包括暴露在三种不同的溶液中——SC1、氢氟酸和SC2。SC1溶液包含氢氧化铵、过氧化氢和水，通常能有效去除颗
2022-06-21 17:07:391229 
用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
关于过滤器的超声波清洗的小常识 工业公司需要确保他们的设备始终以最佳水平运行，以免影响生产时间或质量。这意味着他们需要一种方法在流体流进入其他机器之前从流体流中去除所有不需要的颗粒，以保持最佳性能
2022-10-21 17:50:53609 的声场、声流场及颗粒操控动态过程，最后通过水下颗粒操控实验对仿真结果进行验证。研究发现，颗粒在水下操控过程受到声辐射力与声流曳力的共同作用，由声波干涉作用形成的局部驻波场主要依靠声辐射力将颗粒团聚
2023-01-05 15:30:28468 
集成设备制造的缩小图案要求湿化学加工的表面清洁度和表面光滑度，特别是对于常见的清洁技术RCA清洁（SC-1和SC-2）。本文讨论了表面制备参数的特性和影响。
2023-05-06 14:25:04407 
在化学腐蚀点处的浓度越高，腐蚀速率越快。在抛光过程中抛光液持续流动，我们假设在腐蚀点处的浓度可以保持初始时的浓度，腐蚀率以最快的速度发生，则抛光液不同的PH值对应一个腐蚀率，由此可见，去除速率与PH值有关，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 稀释率的概念稀释率是指在激光熔覆中，由于熔化基材的混入而引起的熔覆合金成分的变化程度，用基材合金占总熔覆层的百分率表示（符号η）。H:熔覆层高度，h:基材熔深，W:熔覆层宽度，η=A2/(A1+A2
2023-04-20 09:38:241068 
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