SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能，包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。
2024-03-18 18:12:34
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SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542 
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43106 
，兼容国防军事和商业服务行业中的雷达系统和网络通讯应用领域。CMPA1D1J001S 能够实现 1 W 的饱和输出功率和 23 dB 的大信号增益值，而且在 CW 运作下通常都有 30% 的功率附加
2024-03-06 09:41:07
氮化镓场效应晶体管在许多电力电子应用中持续获得关注，但氮化镓技术仍处于其生命周期的早期阶段【1】。虽然基本FET性能品质因数还有很大的提升空间，但GaN功率ic的发展是一条更有前途的道路。 现代
2024-03-05 14:29:42481 
共读好书 杜隆纯 何勇 刘洪伟 刘晓鹏 （湖南国芯半导体科技有限公司 湖南省功率半导体创新中心） 摘要： 针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片双面银烧结技术与粗铜线超声键合
2024-03-05 08:41:47105 
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132 
）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:001844 最高频率(MHz)：14500最高值输出功率(W)：25增益值(dB)：26.0工作效率（％）：16额定电压(V)：40类型：封装的MMIC封装类别：法兰盘技术：GaN-on-SiC深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！
2024-02-27 14:09:50
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网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
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网报道（文/梁浩斌）充电桩市场随着高压直流快充的推广，在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN，由于在高频应用上的优势，一些厂商也在推动GaN进入到
2024-02-21 09:19:283849 德赢Vwin官网
网报道（文/梁浩斌）GaN器件已经在消费电子领域站稳脚跟，而在消费电子之外，电源产品还有很多较大的应用市场，包括光伏逆变器、服务器电源、汽车领域等。而新能源汽车作为目前规模增长最快的市场之一，SiC已经成功导入电动汽车产品，并实现大批量落地。
2024-02-04 00:01:003356 
近期，英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作，共同推动SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能，为行业带来更多的创新和价值。
2024-02-02 15:06:34304 军用滤波器是一种用于军用通信系统中的电源保护装置，主要用于过滤电网中的谐波、干扰及电磁噪声等问题。它的作用是保护通信设备、提高通信质量、增强战场信息交流。下面深圳市维爱普电子有限公司小编将详细介绍军用滤波器的设计与优化对于提升通信质量的关键策略。
2024-01-15 15:36:10149 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 电源散热技术，都有助于实现电源从组件到系统的全方位突破。因此，基于GaN功率器件来研究高频、高效和轻量化的宇航电源，将引导新一代宇航电源产品实现性能参数的巨大飞跃，
2024-01-05 17:59:04272 
随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理特性，如高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等，在功率器件领域展现出巨大的应用潜力。本文将对SiC功率器件的优势、应用及发展进行深入探讨。
2023-12-28 09:25:56152 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
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网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。
2023-12-26 10:11:57390 
功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化镓（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 SiC 功率 MOSFET 和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用，例如电动汽车充电和牵引、储能系统和工业电源。SiC 功率 MOSFET 已在电动汽车车载充电器中得到
2023-12-15 09:42:45950 
SiC MOSFET器件存在可靠性问题，成为产业发展瓶颈。
2023-12-12 09:33:27344 
以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场，高电子饱和速度，高频和高功率等特性，在射频和电力电子器件领域具有巨大的性能优势。
2023-12-09 10:28:39747 
由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。
2023-12-08 14:33:47513 GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 作为一种新型功率器件，GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03350 
随着科技的不断进步，电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而，随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展，传统的硅基功率器件已经逐渐暴露出其局限性。此时，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的电力电子器件，以其独特的优势逐渐受到人们的关注。
2023-12-06 09:53:18381 了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 
SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势，使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空
2023-11-16 15:53:30257 设计人员正在寻求先进技术，从基于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。
2023-11-12 11:30:001163 
GaN市场规模还高出数倍。 这一笔大规模交易的背后，是对功率GaN市场发展潜力的看好。相比于SiC的功率应用产业化较早，GaN材料最初在LED、射频等领域经历了漫长的发展，功率GaN的市场严格来说是从19年才真正上规模。 因此功率GaN市场发展潜力被广泛看好，集邦咨询的预测
2023-11-10 00:24:001758 
半导体器件功率损耗最小化的关键。然而，硅功率半导体器件的性能已接近理论的极限。此外，很多电力电子系统都需要非常高的阻断电压和开关频率，现有的硅功率器件已无法满足这么高的要求。因此，宽禁带半导体吸引
2023-11-09 11:26:43438 
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293609 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后，近日，国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也成功获得
2023-10-24 15:52:32606 使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40707 
三菱电机将投资Coherent的新SiC业务； 旨在通过与Coherent的纵向合作来发展SiC功率器件业务。 三菱电机集团近日（2023年10月10日）宣布已与Coherent达成协议，将SiC
2023-10-18 19:17:17368 随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领域有着迫切的需求。随着航天技术的快速发展，作为
2023-10-18 10:34:31378 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
除牵引逆变器外，辅助转换器、铁路电池充电器和DC-DC转换器尤其受益于SiC功率模块带来的开关频率提升。开关频率的增加通常允许减小无源元件（如变压器、电感器或电容器）的尺寸。此外，较高的开关频率可能允许使用不同的软磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潜力。
2023-10-15 11:40:03471 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG 设备显示出以下优点：
2023-10-09 14:24:361332 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 导通压降
三、 SiC SBD 在BoostPFC中的应用
Boost PFC作为Boost拓扑的一种典型应用，可以提高系统输入的功率因素，同时可以提供稳定的输出电压，常作为中间级用于各种领域的AC
2023-10-07 10:12:26
机构Yole数据显示，2022年GaN功率器件在总功率半导体（功率芯片、功率分立器件和模块）市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高（59%），Yole预计到2027
2023-09-21 17:39:211626 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25657 
（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于
2023-09-06 06:38:52
调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365 
镓（GaN）等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。 与传统硅基产品相比，这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。 凭借S iC在缩减尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。
2023-08-29 18:10:01223 
去年，功率 SiC 市场宣布了一系列具有影响力的合作，有趣的是，不仅是在之前看到的晶圆和材料层面，而是在整个功率 SiC 生态系统中。
2023-08-25 17:35:49984 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:53
2 由于应用领域特殊，项目对功率器件的性能和可靠性均提出了极高的要求。而作为第一家获得导入的中国SiC功率器件企业，利普思以其国际化的专业团队、高性能高可靠的产品，赢得了客户的信任和认可。
2023-08-04 15:21:06431 如今，开发电子电力器件的难度不断飙升，如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能，同时又不断降低成本和缩减尺寸呢？ 我们发现，氮化镓（GaN）是一种新型宽带隙化合物，为功率转换
2023-08-03 14:43:28225 速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。 为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试，对应的测试系统往往需要 注意以下几
2023-07-17 18:45:02711 
、更高效的系统设计。 开 发 背 景 全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地产生、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往也伴随着一些巨大的集成挑战。 传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和
2023-07-13 16:05:02416 
，电驱动系统引入SiC模块如何进一步降低杂散电感，功率器件与模块可靠性如何提升等。以上话题将在SiC在NEV中的创新型应用版块一一研讨。 第十五届汽车动力系统技术年会（TMC2023）暨第二届车规级功率半导体及应用技术论坛 将于7月13-14日在青岛重磅推
2023-06-27 16:06:52586 
地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性，使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率，更高的功率密度，同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业 ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287 
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署
2023-06-20 16:14:54139 氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08:58
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
OBC和低压DC/DC的集成设计可以减小系统的体积;提高功率密度，降低成本。宽带隙半导体器件GaN带来了进一步发展的机遇提高电动汽车电源单元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551652 
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高温、耐高压、低开关损耗等特性，能有效实现电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499 
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
综合老炼检测系统
分立器件间歇寿命试验系统
电容器高温老炼检测系统
大功率晶体管老炼检测系统
继电器低电平寿命筛选系统
继电器中电平寿命筛选系统
继电器高电平寿命筛选系统
寿命筛选能力主要覆盖
2023-06-08 09:17:22
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 
，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
应用中，PAM
可以将驱动放大器和末级放大器集成到单个封装中，而不是将它们用作分立电路模块。通过将整个功率放大器系统集成到单个模块中，我们可以获得许多重要的结果（图
1）。
图 1：Qorvo
2023-05-05 09:38:23
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212335 
、光伏发电、光伏逆变器等领域。 GaN功率器件有哪些优势？功率密度高，开关速度快，损耗低，功耗小；高频高速，可以有效降低系统成本；可在更高频率下工作；更高的散热能力和可靠性。 GaN的优势 GaN功率器件是在传统的硅基功率器件上叠加了
2023-04-21 14:05:42831 氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。
2023-04-14 15:42:06363 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 ，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13
GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296
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