双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及芯片尺寸
今日,格芯与eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX®)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。
eVaderis的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力,相较于上一代 MCU,电池续航力可提高到10 倍以上,同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™合作项目(FDXcelerator™ Partner Program)开发的技术,所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案,特别符合对功耗敏感的应用,可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。
“eVaderis创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM技术为基础打造,非常适合常闭的(normally-off)物联网应用。”eVaderis总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示,“以格芯eMRAM作为工作内存,可让MCU的部分电路更频繁的下电,而不会引起MCU的性能损失。eVaderis希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。”
“穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示,“身为FDXcelerator合作伙伴,eVaderis运用基于格芯 22FDX 的eMRAM技术,开发全新的MCU架构,帮助客户达成更高的需求。”
格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆(MPW)已经开放,现成的eMRAM模块也已提供,有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择,使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。
格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX eMRAM平台
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MSPM0 G 系列微控制器 (MCU) 产品系列提供多种具有超低功耗和集成式模拟数字外设的 32 位 MCU,适用于检测、测量和控制应用。本应用手册涵盖了使用 MSPM0 G 系列 MCU 进行
2023-04-12 13:52:54
瑞萨电子发布首颗22nm微控制器(MCU)样片
瑞萨电子今日宣布推出基于 22nm 制程的首颗微控制器(MCU)。通过采用先进工艺技术,提供卓越性能,并通过降低内核电压来有效降低功耗。先进的工艺技术还提供更丰富的集成度(比如 RF 等),能够在更小的裸片面积上实现相同的功能,从而实现了外设和存储的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454
MSP430FR2433IRGER 一款16位微控制器(MCU)
的低功耗模式均经过优化,可在小型VQFN封装(4 mm × 4 mm)的便携式电池供电检测应用中实现更长的电池寿命。TI的MSP430超低功耗FRAM微控制器平台结合了
2023-04-03 15:02:34
是否可以从MCU以RGB24位模式使用16行驱动显示器?
我正在使用 iMXRT1060 并将使用 24 位 LCD 显示器。我想知道是否可以从 MCU 以 RGB24 位模式使用 16 行驱动显示器。由于我们还需要以太网功能,因此我们只能使用来自 eLCDIF 的 16 条线。
2023-03-30 06:04:10
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