的那样，半导体行业第四个时代的主旨就是合作。让我们来仔细看看这个演讲的内容。
半导体的第一个时代——IDM
最初，晶体管是在贝尔实验室发明的，紧接着，德州仪器 (TI)做出了第一个集成电路。当仙童
2024-03-13 16:52:37
想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
春回大地，万物勃发。山西华芯半导体晶体材料产业基地生产厂区一派红火景象：机器轰鸣，流水线高速运转，全力冲刺一季度“开门红”。
2024-03-07 15:57:56
196 近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:14315 在半导体制造领域，我们经常听到“薄膜制备技术”，“薄膜区”，“薄膜工艺”等词汇，那么有厚膜吗？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料，它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02:18319 
胜科纳米（苏州）股份有限公司（以下简称“胜科纳米”）作为一家半导体检测分析厂商，近日在科创板上市的申请获得了上交所的受理，并已回复审核问询函。据上交所发行上市审核官网显示，胜科纳米主要的服务内容包括失效分析、材料分析与可靠性分析，其目标是成为半导体产业的“芯片全科医院”。
2024-02-02 15:52:55573 1纳米尺寸的芯片制造面临着物理极限的挑战，可能导致晶体管的性能下降甚至失效。作为半导体行业的重要参与者之一，台积电已经宣布开始研发1纳米工艺。
2024-01-22 14:18:31232 常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
半导体芯片在作为产品发布之前要经过测试以筛选出有缺陷的产品。每个芯片必须通过的 “封装”工艺才能成为完美的半导体产品。封装主要作用是电气连接和保护半导体芯片免受元件影响。
2024-01-17 10:28:47250 
半导体工艺的历史可以追溯到20世纪40年代末至50年代初，当时的科学家们开始使用锗（Ge）和硅（Si）这类半导体材料来制造晶体管。1947年，贝尔实验室的威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明
2024-01-15 14:02:37202 研究中，他们提出了一种顶栅互补碳纳米管金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在该结构中，通过将掺杂仅仅局限在延伸部分，而在通道保持未掺杂的状态，凭借这一架构课题组消除了金属电极的重叠
2024-01-05 16:08:32336 
在晶体生长的过程中，由于某些条件的引入将会导致结构缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
。它们主要包括晶体管(三极管)、存储单元、二极管、电阻、连线、引脚等。
随着电子产品越来越“小而精，微薄”，半导体芯片和器件尺寸也日益微小，越来越微细，因此对于分析微纳芯片结构的精度要求也越来越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
在经历了近十年和五个主要节点以及一系列半节点之后，半导体制造业将开始从 FinFET过渡到3nm技术节点上的全栅堆叠纳米片晶体管架构。 相对于FinFET，纳米片晶体管通过在相同的电路占位面积中增加
2023-12-26 15:15:11167 
IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是，它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:55199 对于纳米压印技术，佳能半导体设备业务部岩本和德介绍道，它是通过将刻有半导体电路图的掩膜压制于晶圆之上完成二维或三维电路成型的过程。岩本进一步补充道，若对掩膜进行改良，将有可能实现2nm级别的电路线条宽度。
2023-12-25 14:51:51316 我们看到的半导体晶圆是从一块完整的半导体大晶体切成出来形成的。
2023-12-25 09:28:21213 
透射电子显微镜（TEM）具有卓越的空间分辨率和高灵敏度的元素分析能力，可用于先进半导体技术中亚纳米尺寸器件特征的计量和材料表征，比如评估界面细节、器件结构尺寸以及制造过程中出现的缺陷或瑕疵。
2023-12-18 11:23:58771 
在接下来的一个章节里面，我们将主要介绍用砂子制备半导体级硅的方法，以及后续如何将其转化为晶体和晶圆片(材料制备阶段)，以及如何来生产抛光晶圆的过程(晶体生长和晶圆制备)。
2023-12-18 09:30:21217 
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
要聊的就是这个特殊的材料——半导体。半导体几乎撑起了现代电子技术的全部，二极管，晶体管以及IC都是由半导体材料制成。在可预见的未来，它们是大多数电子系统的关键元件，服务于消费和工业市场的通信、信号处理、计算和控制应用。
2023-12-06 10:12:34599 
薄膜沉积技术主要分为CVD和PVD两个方向。 PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜,分为蒸镀和溅射两大类，目前的主流工艺为溅射。CVD主要用于介质/半导体薄膜，广泛用于层间介质层、栅氧化层、钝化层等工艺。
2023-12-05 10:25:18994 ，如功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。它们主要在电源、变频器、电机驱动等功率电子领域中使用。 集成电路是将大量电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在单个芯片上，形成一个完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半导体前端工艺：第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2023-11-29 16:24:59193 
功率半导体有多种类型，我们可以使用它们的应用甚至更多。基本上，所有功率半导体器件都可以分为三类：二极管、晶闸管和晶体管。
2023-11-27 13:24:26239 LSTC 和 Leti 希望建立设计采用 1.4 纳米至 1 纳米工艺制造的半导体所需的基本技术。制造1纳米产品需要不同的晶体管结构，而在该领域，Leti在薄膜沉积和类似技术方面实力雄厚。
2023-11-20 17:14:37750 锗和硅是两种基本的半导体。世界上第一个晶体管是由锗材料制成的，作为固态电路时代的最初的一个标志。
2023-11-20 10:10:51311 
双方的目标是，确立设计开发线宽为1.4m1纳米的半导体所必需的基础技术。这个节点需要不同于传统的晶体管结构，leti在该领域的膜形成等关键技术上占据优势。
2023-11-17 14:13:43412 半导体材料是制作半导体器件与集成电路的基础电子材料。随着技术的发展以及市场要求的不断提高，对于半导体材料的要求也越来越高。因此对于半导体材料的测试要求和准确性也随之提高，防止由于其缺陷和特性而影响半导体器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 对于半导体器件而言热阻是一个非常重要的参数和指标，是影响半导体性能和稳定性的重要因素。如果热阻过大，那么半导体器件的热量就无法及时散出，导致半导体器件温度过高，造成器件性能下降，甚至损坏器件。因此，半导体热阻测试是必不可少的，纳米软件将带你了解热阻测试的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
当与电子器件相结合时，红外光可以在分子水平上使传感、成像及信号传输设备实现小型化和加快速度。为了充分利用红外光的优势，用于红外光学和光电应用的材料需要达到无缺陷结晶度。 为了制造与红外光强烈共振
2023-11-08 09:18:51305 
半导体如今在集成电路、通信系统、照明等领域被广泛应用，是一种非常重要的材料。在半导体行业中，半导体测试是特别关键的环节，以保证半导体器件及产品符合规定和设计要求，确保其质量和性能。
2023-11-07 16:31:17302 
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
和硫化物都是半导体。 2、晶体 凡是原子按照一定规律、连续整齐地排列着的物体称为晶体。半导体一般都具有这种结构，所以半导体也被称为晶体。 3、本征半导体 本征半导体是完全纯净的(不含任何其它元素)、具有晶体结构的半导体。本征半
2023-09-26 11:00:331126 
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
在本节中，我们将逐一阐述半导体发展的历史性产品和世界主流半导体制程的代际演进过程。从半导体主要制造阶段所需主要材料的准备开始，到最终的产品封装阶段，我们将沿着主流的半导体产品类型，半导体晶体管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
为什么半导体中的空穴没有电子的移动速度快？ 半导体中的空穴和电子是半导体中重要的载流子。在半导体材料中，空穴是由于半满能带中的电子被激发而留下的缺陷。这个缺陷可以看做一种正电荷，在电场作用下，空穴
2023-09-21 16:09:441772 在这种情况下，芯片代工公司台积电于2021年10月宣布在熊本设立工厂。此外，新公司Lapidus于2022年11月宣布计划在2027年之前量产2纳米的逻辑半导体，这些消息引起了日本半导体产业的广泛关注。
2023-09-19 17:29:49588 
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程，现我们敬邀您莅临现场，直击智能热点，共享前沿资讯，通过意法半导体核心技术，推动加快可持续发展计划，实现突破性创新~报名链接：https
2023-09-11 15:43:36
半导体封装是一个关键的制程环节，对产品性能和可靠性有着重要影响。X射线检测技术由于其优异的无损检测能力，在半导体封装检测中发挥了重要作用。 检测半导体封装中的缺陷 在半导体封装过程中，由于各种原因
2023-08-29 10:10:45384 半导体有良好的导电性吗 半导体是指一类具有介于导体和绝缘体之间的电学特性的物质，其导电性介于金属导体和非金属绝缘体之间。半导体材料通常是由含有补偿杂质的纯净晶体构成的，补偿杂质通过掺杂的方式来改变
2023-08-27 16:05:291029 。具体来说，当半导体材料的电子数目增加时，其导电性也会增加。通常情况下，半导体材料是由纯的硅、锗等元素构成，这些元素的原子具有四个价电子，因此，这些元素结合形成的晶体也具有四价的特性。这种结构使得半导体材料的能带间隔比金
2023-08-27 16:00:295074 半导体导电的基本特性是什么 半导体是一种电阻介于导体和绝缘体之间的材料，具有一定的导电性能。它们通常由纯度高达99.9999%的单一元素或复合元素（例如硅或锗）制成，并且可以通过控制其内部结构的缺陷
2023-08-27 15:55:231402 特性、场效应管和晶体管的导电特性、半导体材料的应用等。 半导体的能带结构 半导体的导电特性与其能带结构有关。根据泡里原理，电子首先填充能量最低的能带。在半导体中，电子的行为可以通过几个能带来描述：价带、导带和禁带
2023-08-27 15:55:201120 p型半导体主要靠什么导电 半导体是当今电子技术中最重要的材料之一，其应用涵盖了广泛的领域，从微处理器到太阳能电池板等等。半导体材料被广泛应用于不同类型的电子元件中，包括二极管、场效应晶体管、三极管
2023-08-27 15:49:062628 半导体的导电特性有哪三种 半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有特殊的导电特性。在半导体中，电子在晶体中的运动方式和原子结构的特性都对其导电特性产生影响。在本文中，我们将详细介绍半导体的导电
2023-08-27 15:48:592989 位错是晶体原子排列的一种特殊组态。位错的概念最早是在研究晶体滑移过程时提出来的。当金属晶体受力发生塑性变形时，一般是通过滑移过程进行的，即晶体中相邻两部分在切应力作用下沿着一定的晶面和晶向相对滑动，滑移的结果是在晶体表面上出现明显的滑移痕迹——滑移线。
2023-08-25 11:05:035100 
目前BGA封装技术已广泛应用于半导体行业，相较于传统的TSOP封装，具有更小体积、更好的散热性能和电性能。
在BGA封装的植球工艺阶段，需要使用到特殊设计的模具，该模具的开窗口是基于所需的实际焊球
2023-08-21 13:38:06
在半导体制造业中，薄膜的厚度对器件的性能和质量有重要影响。
2023-08-17 10:15:21528 
、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
原位拉曼系统实时监测半导体薄膜生长全过程前言原位拉曼系统可以实时监测半导体薄膜生长全过程，利用共聚焦拉曼光谱的“In-Situ”方式，在石英炉中原位观察半导体薄膜生长过程，并且通过监控不同的生长因素
2023-08-14 10:02:34465 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。
2023-08-07 11:10:20733 
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035041 
半导体激光器工作原理是激励方式。利用半导体物质，即利用电子在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。下面介绍半导体激光器的特点。
2023-07-24 09:40:47897 据资料显示，微导纳米是一家面向全世界的半导体、泛半导体尖端微型纳米设备制造企业。以原子层沉积技术为核心，形成了梯级开发cvd等多种真空薄膜技术的产品体系。致力于微米级，纳米级薄膜设备的开发，生产和销售，为下游客户提供尖端薄膜设备，相关产品和服务。
2023-07-19 09:30:51340 晶体缺陷就是实际晶体中偏离理想结构的不完整区域。
2023-07-17 10:22:56647 
晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。表现为晶体结构中局部范围内，质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。根据错乱排列的展布范围,分为下列3种主要类型。
2023-07-14 11:42:251608 
据报道，微美全息（NASDAQ:WIMI）作为领先的技术创新公司，近日成功开发了一种基于数字全息技术的半导体晶圆缺陷检测技术，为半导体制造行业带来了重要的突破。
2023-07-12 10:58:28425 
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构，常用于制造半导体器件，如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小，使得它在电子和光学应用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:083873 随着台积电的先进工艺技术从 10 纳米发展至 2 纳米，台积电的能源效率在约十年间以 15% 的年复合增长率提升，以支持半导体产业的惊人成长。
2023-06-28 15:00:001783 
少的情况下实现高精度的检测呢？目前有两种方法，一种是小样本学习，另一种是用GAN。本文将介绍一种GAN用于无缺陷样本产品表面缺陷检测。
2023-06-26 09:49:01549 
科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
2023-06-25 14:47:29342 突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的综述文章，该综述全面介绍了高纯度半导体碳纳米管的提纯和薄膜制备
2023-06-12 17:02:40338 
据麦姆斯咨询报道，近期，德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）开发的一种新型3D打印工艺可生产出直接打印到半导体芯片上的纳米精细石英玻璃结构。
2023-06-11 09:34:241078 
单元厚度的半导体钴铁氧体纳米片。并通过振动样品磁强计、磁力显微镜和磁光克尔效应测量，展示了硬磁行为和磁畴演化，显示出高于390K的居里温度和强烈的维度效应。超薄晶体中磁性的发现为探索新的物理现象和开发下一代自旋电
2023-06-02 07:01:22311 
根据中国集成电路产业人才白皮书数据来看，目前行业内从业人员仅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在国内半导体行业快速发展的当下，定位、抢夺优质人才是企业未来长期发展的基石。
那么每年秋招就是赢得
2023-06-01 14:52:23
中芯国际是中国大陆最大的半导体制造企业之一，主要业务是为其他半导体公司生产晶片。暂时中断28纳米芯片的生产扩大，将致力于提高12纳米节点的生产能力。smic的决定是出于经济上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包，该软件包能针对输入的半导体晶体
2023-05-26 10:49:50386 
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包，该软件包能针对输入的半导体晶体结构
2023-05-25 09:17:22596 
半导体材料在开发纳米光子技术方面发挥着重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
薄膜的质量以及器件的性能，所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑，无缺陷，无损伤，表面粗糙度在纳米以下。
2023-05-05 07:15:001154 
第九步退火，离子注入后也会产生一些晶格缺陷，退火是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热，使得注入的粒子扩散，恢复晶体结构，修复缺陷，激活所需要的电学特性。
2023-04-28 09:32:542020 郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32718 DDC模块首先将根据DEC模块的输出结果判断哪些缺陷已经计算完毕，并将这些所有的缺陷全部考虑进DDC的计算。随后自动搜寻各缺陷输出的形成能、转变能级、简并因子等信息。将所有的数据汇总，写入 DefectParams.txt 文件中。
2023-04-24 15:09:59929 
试述为什么金属的电阻温度系数是正的而半导体的是负的？
2023-04-23 11:27:04
半导体工艺 1.CMOS晶体管是在硅片上制造的 2.平版印刷的过程类似于印刷机 3.每一步，不同的材料被存放或蚀刻 4.通过查看顶部和顶部最容易理解文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁简化制造中的晶圆截面的过程 逆变器截面 要求pMOS晶体管的机身 逆变器掩模组 晶体管
2023-04-20 11:16:00247 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V的光子学特性 编号：JFKJ-21-215 作者：炬丰科技 摘要 III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建
2023-04-19 10:03:0093 
据悉，由于现有的晶体管的极限已经接近或已经到达了纳米级别，因此研究团队开始寻找新的解决方案。他们选择了基于异质结构的半导体中的层内和层间激子。这些激子是由激子和光子相互作用形成的新物质，可以在半导体结构内移动。
2023-04-19 09:27:531185 半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
应用主要有降低信号电平、源于负载之间的匹配、 元器件隔离保护等应品特点：•采用半导体工艺技术生产，图形精度高• 寄生参数小、频率特性稳定•尺寸小，重量轻•表面贴装易于集成产品设计规范：•电阻类型：TaN
2023-03-28 14:19:17
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 沟道表面的氧化钇薄膜由电子束蒸发镀膜仪所蒸镀的金属钇加热氧化形成，随后在沟道表面蒸镀金纳米薄膜，金纳米薄膜会自团聚形成金颗粒，自此完成浮栅型碳纳米管场效应晶体管（FG-CNT-FET）的制备以及表面的金纳米颗粒修饰。
2023-03-23 11:04:101455
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