大功率NPN外延平面双极晶体管
2023-03-22 16:09:28
互补硅功率晶体管
2023-03-28 18:20:18
硅NPN功率晶体管
2023-03-24 15:09:35
`型号：TIP41C品牌：ST意法半导体封装：TO-220-3种类：三极管额定功率：65W集电极电流Ic：6AVce的电压值：100V类型：NPN商品毛重：0.002740 KG北京元坤国际
2019-03-12 14:04:59
有做大功率PCB板的朋友吗，电流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
麻烦有高手帮忙弄个大功率功放电路最好是二级放大两个喇叭100W 8欧姆的用到TIP36C的电路
2013-07-24 09:51:30
寻求有做过大功率短波项目的人员，27.12M40.68M等的大功率短波功率能达到二百瓦，主要涉及信号震荡，选频，放大，耦合，控制精度较高，需符合电磁兼容标准要求YY0505有合作意向的联系我***吴先生
2016-07-11 11:38:22
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶体管管芯的工艺流程？光刻的工艺流程？pcb制版工艺流程？薄膜制备工艺流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有
2018-10-17 10:05:39
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
MOS场效应晶体管。所选场效应晶体管的主要参数应符合应用电路的具体要求。小功率场效应晶体管应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压（或开启电压）、击穿电压待参数。大功率场效应晶体管应注意击穿电压、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶体管 高电压、放大 (Comp.to MPSA43) [73KB]中、大功率管2N3055 NPN- 功率放大. (Comp. to MJE2955)2N6283 达林顿管, NPN-功率
2021-05-25 06:28:22
各位大侠,比TIP41C 额定电流大的管子是什么管子,现在我用的电流是30A的啊,望高手帮忙解决,谢谢了
2011-04-07 23:41:58
sg3525输出，每边两对tip41c tip42c,为什么推不动四对nce75h35t正常工作，频率大约30k.
2012-11-13 10:26:52
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
请问各位大神，功放电路中tip41a和tip41c性能有区别吗?可以互换吗?
2017-01-27 11:51:15
高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C) Medium Power Linear Switching Applications• Complement
2008-11-29 12:44:59
135 大功率开关晶体管的重要任务
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；
(1)容易关断，所需要的辅
2010-02-06 10:23:4943
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
摘要：介绍了大功率晶体管（GTR）基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求
2009-07-09 10:36:40
3188 
大功率开关—晶体管的重要任务
(一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；
(1)容易关断，
2009-07-29 16:09:521762 
大功率晶体管的修理
2009-08-22 16:08:06349 
江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，顺利通过有关专家组鉴定
2012-03-06 08:59:16783 我们知道，大功率LED灯珠主要构成器件为大功率LED芯片，如何制造高品质LED高功率晶片至关重要。今天带大家一起来了解常见的制造大功率LED芯片的方法有哪些：
2012-05-21 11:46:282298 晶体管，大功率，晶体管参数NPN型、大功率开关管、音频功放开关、达林顿、音频功放开关。
2015-11-09 16:22:150 TIP41C数据手册，感兴趣的可以瞧一瞧。
2016-11-09 18:15:4320 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 本文开始介绍了TIP41C的主要参数，其次阐述了tip41c引脚图及功能和tip41c绝对最大值，最后介绍了TIP41C/TIP42对管COCL分立式功放电路图。
2018-03-06 08:42:35105203 
tip41c是NPN型控制电源三极管。它是是一类适用于电子开关线路的电子产品。tip41c可用D880，D633，C2073，2N3733，C2335来代替。
2018-03-06 11:03:1497411 本文开始介绍了TIP41C主要参数及TIP41C管脚图，其次介绍了TIP41C/TIP42对管COCL分立式功放电路与TIP41C电气参数，最后介绍了数字万用表识别tip41c好坏方法及管脚的识别方法。
2018-04-16 17:15:4021578 
本文主要介绍了四款tip41c典型电路图。TIP41C是一类适用于电子开关线路的电子产品。目前主要适用于电子开关线路。
2018-04-25 17:53:5228461 
本文主要介绍了四款tip41c功放电路图。TIP41C是由美国得克萨斯仪表公司生产的,应用材料是SI-NPN.应用于低频,音频,或功率放大之用。
2018-05-02 16:12:2642550 
目前作为大功率的开关应用还是电力晶体管模块，它是将电力晶体管管芯及为了改善性能的1个元件组装成1个单元，然后根据不同的用途将几个单元电路构成模块，集成在同一硅片上。
2019-09-02 09:06:3824838 
大功率NPN硅晶体管BUX98/BUX98A数据手册
2021-08-11 14:14:110 硅NPN大功率晶体管2SC2246中文手册免费下载。
2022-03-21 17:21:5311 基于构建的运算放大器 NE5532 和一对功率晶体管 TIP41A / TIP42A，该音频放大器电路能够向 8 欧姆扬声器提供高达 10W 的音频功率输出。
2022-06-17 17:07:504771 
100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100 V、3A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61003PY
2023-02-27 18:49:420 PNP/PNP匹配大功率双双极晶体管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:310 100V、2A NPN大功率双极晶体管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280 60V、3A NPN大功率双极晶体管-PHPT60603NY
2023-02-27 18:51:450 40 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件，属于电力电子技术（功率电子技术）领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
2023-03-01 09:39:241038 大功率晶体管的放大倍数取决于其特定的设计和工作条件，因此不能一概而论。晶体管的放大倍数（即电流增益）通常定义为晶体管输出电流与输入电流之比，用β表示。β的大小受到晶体管的结构、工作电流、温度等因素
2023-03-01 14:06:592056 100 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140 100 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率双极晶体管替代继电器-AN11641
2023-03-03 19:59:430 该 4 W 音频放大器电路使用 TIP41 作为最后级放大器。该放大器电路可以在 4 欧姆扬声器下提供 4 瓦的功率。晶体管 TIP 41 与布置在达林顿的 BC547 和 BC557 相结合。多余的达林顿组合将提供更大的电流增益。
2023-05-13 16:39:231167 
总之，芯片导热硅脂是一种非常有效的散热材料，它可以大大提高大功率晶体管的散热效率，保证机器设备的正常运行和可靠性
2023-06-08 17:34:26481 
这是基于功率晶体管TIP33C和TIP34C为主要部分构建的40W功率放大器的电路图。它采用对称/双电源供电。必须使用散热器来防止晶体管过热。
2023-07-31 16:19:101136 
从平面晶体管结构(Planar)到立体的FinFET结构，我们比较容易理解晶体管尺寸缩小的原理。
2023-12-02 14:04:45267 
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，则有：
。考虑到余量的充分性，可取BVCEO等于280 V为设计目标。假设基区表面杂质浓度(硼扩)NSB为1018cm-3，而结深为8μm，那么，查表得出的外延层材料的杂质浓度NC为2×1014cm- 3，相应的电阻率ρc为24 Ω·cm。所以，可取外延材料的电阻率为25±1Ω·cm。 
式中：N(x，t)为硅片中任意一点x处的杂质浓度：。为表面浓度，
它是时间t的函数，其中Q为掺杂总量；事实上，在xjc=8μm处，有 
因此有：
这样，有： 
而在发射结xje为5μm处有：
再查高斯函数表得：
即有：
由此发射结处质浓度可查表得
考虑到边缘击穿，击穿电压有一定的下降，但也能满足BVEBO≥5 V。而用NC=2×1014cm-3NSB=1018cm-3，xje=8μm便可查曲线得出基区的方块电阻R□b为100 Ω／口。 
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