外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造，如集成电路工业的外延硅片。MOS 晶体管
2023-02-13 14:35:47
10447 工艺设计与优化应用领域：集成电路（硅栅、铝栅CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特种器件、光电子器件、半导体传感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
MEMS器件等工艺咨询，谢谢！北京方华佳瑞科技有限公司
2016-11-08 14:25:07
，热量是不能及时传导,易形成局部高温,进而可能损伤元器件、组件,从而影响系统的可靠性及正常工作周期 。所以慎重选择电源灌封胶非常重要，可以使用有机硅材质的电源灌封胶，因其优良的物理化学性能和工艺性能成为灌
2019-02-27 17:19:23
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片，效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效
2014-01-24 16:08:55
，特别是近年来碳纳米管的发展令人注目，在速度、集成度、特别是功耗方面都将有重大突破，但离开实际应用可能比硅基量子器件要更远一些。原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序（2004年1月科学出版社出版）。 :
2018-08-24 16:30:27
`硅瞬态抑制器件可分为两大类：具有固定电压的硅瞬态抑制二极管（TVS）和非固定电压的晶闸管结构瞬态抑制器件（TSS）。瞬态抑制器件选用一般遵循以下原则：1）器件反向转折电压不低于电路的正常工作电压
2017-06-27 09:30:27
采用印刷台手工印刷焊膏的工艺看完你就懂了
2021-04-25 07:06:44
%以上的良品率。双台面的方片可控制硅、触发管采用双台面GPP工艺，正背面两个对应的沟道内均有钝化玻璃。刀片切割很难兼顾上、下两层钝化玻璃，切割成品电性良率低。目前厂商采取降低切割速度来提高切割成品率，刀片
2008-05-26 11:29:13
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
和控制电路、直至接口、通信和电源等集成于一块或多块芯片上的微型器件或系统。而MEMS传感器就是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。MEMS是用传统的半导体工艺和材料，以半导体制造技术为
2016-12-09 17:46:21
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Verilog设计内外延时
2012-08-15 16:31:14
各位大侠，小女子在做半导体退火的工艺，不知道哪位做过有n型单晶硅退火？具体参数是什么？任何经验都可以提，请照顾一下新手，谢谢！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
GaN 衬底上获得高性能的薄膜器件，必须使 GaN 衬底的表面没有划痕和损坏。因此，晶圆工艺的最后一步 CMP 对后续同质外延 GaN 薄膜和相关器件的质量起着极其重要的作用。CMP 和干蚀刻似乎
2021-07-07 10:26:01
一种用于制造非常薄的 BCB 键合层的可靠且可重复的工艺，不仅将为紧凑型混合硅激光器铺平道路，还将为其他有前景的光子器件的开发铺平道路，例如基于渐逝光的光隔离器或放大器耦合。在以下部分中，我们将介绍
2021-07-08 13:14:11
MOS器件的几何尺寸已经不能满足器件性能的提高，需要一些额外的工艺技术来提高器件的电学性能，例如应变硅技术。应变硅技术是通过外延生长在源漏区嵌入应变材料使沟道发生应变，从而提高载流子迁移率，最终提高器件
2018-09-06 20:50:07
本电路如下图所示，该逆变电路采用了TL494脉宽调制集成电路，TL494是一款广泛用于开关电源的集成元件，在本电路中用作可控硅的开关驱动器件，可控硅采用30A/100V的单向可控硅，以获得足够的功率输出，变压器图中给出了具体的绕制参数供参考。
2021-04-23 06:13:41
可控硅是中频电源 的心脏，它的正确使用对中频电源的运行至关重要。一台中频电源一年损坏三五只可控硅尚属正常，如果经常烧硅，电炉停摆，影响生产，就要引起警觉了。可控硅的工作电流从几百安到几千安，电压
2013-10-17 09:37:47
可控硅是中频电源的心脏，它的正确使用对中频电源的运行至关重要。一台中频电源一年损坏三五只可控硅尚属正常，如果经常烧硅，电炉停摆，影响生产，就要引起警觉了。可控硅的工作电流从几百安到几千安，电压通常在
2013-10-14 10:26:02
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
材料，将常规集成电路工艺和微机械加工独有的特殊工艺相结合，全面继承了氧化、光刻、扩散、薄膜、外延等微电技术，还发展了平面加『[技术、体硅腐蚀技术、固相键合技术、LIGA技术等，应用这些技术手段制造出层
2019-08-01 06:17:43
本文将讨论瑞能半导体的高压可控硅及其应用和工艺技术。 威能高压可控硅 SCR 或可控硅整流器被定义为具有四层 p-n-p-n 结构的开关器件，导致双稳态行为，可以在高阻抗、低电流关断状态和低
2023-02-24 15:34:46
级设计、器件级仿真、工艺模拟和版图设计。在工艺模拟功能方面，目前的商业软件，虽然都支持三维工艺模拟，但是工艺的模拟和实现都是比较简单和理想化的，并且缺乏工艺设计能力。而目前很多MEMS研究人员对工艺
2019-06-25 06:41:25
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
`智兴丰科技是一家专业的电子元器件供应商,与配套方案提供商。驱动IC主要应用于吸顶灯，筒灯，球泡灯等LED照明行业可控硅又叫做晶闸管，是一种常用的半导体器件，是一种能像闸门一样控制电流大小的半导体
2020-05-08 10:39:14
可控硅电源采用的串联谐振，即电压型谐振频率跟踪。因此效率较高、功率因数较高。所以有明显的节电效果，加热每吨棒料用电341度。 可控硅电源前级不可控全桥整流，不会在整流段引起波形的变形，没有关断角
2014-02-27 11:53:46
通俗的说，可控硅是一个控制电压的器件，由于可控硅的导通角是可以用电路来控制的，固此随着输出电压Uo的大小变化，可控硅的导通角也随着变化。加在主变压器初级的电压Ui也随之变化。
2019-10-16 09:01:04
装置具有相当高的变换效率(90-95%),输出功率低时,电源转换效率并不降低,特别是在热处理行业中,有些被加热工件需要分段加热,频繁开机和停机,在停机状态下无损耗。因此,在感应加热行业中采用可控硅中频
2013-12-27 09:11:10
梁上在10 000gn加速度作用下压阻元件所受的平均应力，如表2所示。 4 压阻式硅微型加速度传感器加工工艺 压阻式传感器的悬臂梁常采用CVD工艺在硅片上外延生长一层外延层刻蚀而成，文中试用键合
2018-11-01 17:23:05
本文采用0.18 μm CMOS工艺设计了一种适用于TI-ADC的高速、低功耗开环T&H电路。
2021-04-20 06:58:59
IR2132驱动芯片的特点是什么 IR2132内部结构及其工作原理采用IR2132器件实现单芯片电源供电的三相逆变器的驱动
2021-04-12 06:07:00
中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI
2012-01-12 10:47:00
增加效率(PAE:poweraddedefficiency)，非常的适用于高层(hightier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为
2016-09-15 11:28:41
，优化退火工艺，可一次性成膜一次性退火完成。 平面光波导器件 平面光波导器件是采用平面光波导技术制造而成的器件，分为无源器件、有源器件以及有源/无源混合集成器件。无源平面光波导器件，顾名思义，无需能
2018-02-22 10:06:53
` 有谁用过SEMILAB的SRP-2000外延片厚度测试仪，关于测试仪的机构和控制部分，尤其是精度部分希望交流，资料可发g-optics@163.com，多谢！`
2018-11-20 20:25:37
最近在做一个用晶闸管或者可控硅做电源开关的项目，请问在这个电路里可控硅怎么实现开通和关断？非常感谢！
2017-07-11 22:41:13
这种工艺技术的芯片并不常见，但是只要这种将硅基芯片与载体PCB直接连接的IC存在：并且在设计方案中可行，那么采用这样的IC器件就是较好的选择。 一般来说，在汇封装设计中，降低电感并且增大信号与对应回路
2017-09-19 10:59:22
电子器件制备工艺
2012-08-20 22:23:29
大家好，有没有人看到过，半导体器件按照工艺进行分类的资料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 体硅CMOS NMOS TTL等这样的分类。先谢谢了
2012-07-02 10:09:49
突破工艺对器件最小尺寸的限制
2021-01-06 06:30:08
几个问题：一是硅的缺陷比较多，它的发光效率比较差。二是用硅做外延成长时，由于硅本身会吸收光线，因此必须把硅拿掉，用别的基材(不管是用金属还是其他基材)来做光源的承载体。这里必须做一个基板的转换，这个工艺本身
2012-03-15 10:20:43
1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和 硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。
2019-09-26 09:10:15
外延生长法(LPE)外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中，为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘)，在P型衬底上外延生长N型单晶硅层
2019-08-16 11:09:49
的标准表面工艺发展：由于机械结构的复杂性，仅采用单层结构往往不能制备出所需构件，多层化是表面硅MEMS工艺必然的发展趋势。美国的MUMPs是典型的民用标准表面工艺线，该工艺可以实现多达4层的牺牲层和多晶硅层
2018-11-05 15:42:42
请问各大神硅光电池在AD里有现有的元器件库吗
2016-05-08 21:08:45
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56:50
采用EEPROM 工艺设计通用阵列逻辑器件——遇到的问题与解决方案深圳市国微电子股份有限公司 裴国旭电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中，像微
2009-12-14 11:41:35
51 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞
2009-12-21 10:52:2440 LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39:290 启用PowerFill外延硅工艺的电源设备
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精
2010-01-23 08:35:54539 ASM启用功新的PowerFill外延技术的电源设备
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PowerFill是一个精
2010-01-23 09:32:32795 ASM启用新的PowerFill外延技术的电源设备
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 济宁高新区联电科技园核心企业冠铨（山东）光电科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生产出第一炉。此次研制成功的4寸外延片，每片产出的芯片数量约为2寸工艺的4倍。
2012-11-26 09:25:461043 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料，因此，外延片材料作为LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技术的发展及工艺非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 1月9日晚间，国星光电(002449)发布公告，宣布投资10亿扩产新一代LED封装器件及配套外延芯片。
2019-01-14 15:05:403112 看到一些新闻，表示某国高科技企业开发了一种新型衬底材料，与GaN晶格匹配，可以良好生长GaN。(备注：GaN体单晶制备难度非常大，因此此处所提的GaN是外延层，此处暴露了外延层存在的意义之一
2021-01-11 11:18:0823512 最近做芯片和外延的研究，发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大，大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。
2021-08-12 10:55:584302 
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44:444802 本文研究了外延沉积前原位工艺清洗的效果，该过程包括使用溶解的臭氧来去除晶片表面的有机物，此外，该过程是在原位进行的，没有像传统上那样将晶圆从工艺转移到冲洗罐。结果表明，与不使用溶解臭氧作为表面处理
2022-04-12 13:25:49559 
通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 本文聊一下GaN芯片的制备工艺。
GaN-般都是用外延技术制备出来。GaN的外延工艺大家可以看看中村修二的书。
2022-10-19 11:53:401459 固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:5210250 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层，为中间产物。氮化镓功率器件是把特定电路所需的各种电子组件及线路，缩小并制作在极小面积上的一种电子产品。氮化镓功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:426159 
通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3210569 功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试，其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。
2023-02-24 15:34:133185 在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。
2023-05-19 09:06:462467 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092827 
金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质外延单晶金刚石的发展进行了阐述。
2023-07-12 15:22:23843 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-03 11:21:03286 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341001 
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342703 
列阵探测器引起了人们的广泛关注。为了满足高性能、双多色红外焦平面器件制备的要求，需要对碲镉汞p型掺杂与激活进行专项研究。使用分子束外延方法直接在碲镉汞工艺中进行掺杂，As很难占据Te位，一般作为间隙原子或者占据金属位，
2023-09-26 09:18:14284 
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网站提供《LED外延芯片工艺流程及晶片分类.doc》资料免费下载
2023-11-03 09:42:540 半导体器件为什么要有衬底及外延层之分呢？外延层的存在有何意义？ 半导体器件往往由衬底和外延层组成，这两个部分在制造过程中起着重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意义。 首先，衬底是半导体
2023-11-22 17:21:281513 外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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