日前,德州仪器 (TI) 宣布
推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与
MOSFET的隔离式
栅极
驱动器,其速度比同等光学
栅极
驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)(纳斯达克股票代码:MCRL)今天
推出了一款带集成电荷泵的小型高边
MOSFET
驱动器MIC5019,该器件是为在高边开关应用中开关N
沟道增强型
MOSFET设计的。
2012-12-13 10:21:14
1496
近日,德州仪器 (TI)
推出了业内速度最快的半桥
栅极
驱动器。这款用于分立式功率
MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的
栅极
驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:11
1114
MIC4414YFT EV,MIC4414评估板是一款低侧
MOSFET
驱动器,设计用于在低侧开关应用中切换
N
沟道增强型
MOSFET。 MIC4414是一款非反相
驱动器。该
驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET和 IGBT
栅极
驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET
栅极
驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了:LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
你好,我正在寻找这两个
MOSFET的
驱动器IC,FDD7
N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生,为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
为正时,它充当增强型
MOSFET。
N
沟道场效应管与P
沟道场效应管介绍
N
沟道
MOSFET的源极接地,漏极连接到负载,当
栅极施加正电压时,FET导通。
N
沟道
MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
功率
MOSFET有二种类型:
N沟通和P
沟道,在系统设计的过程中,选择
N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种
沟道的功率
MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
请问下各位大佬,
凌
力
尔
特LTC4020芯片CSOUT无输出是什么原因,能充电,且CSP/CSN有差值,之前出现过小电流充电,后来确认受到干扰,增加电容滤波后能大电流充电。
2023-10-08 11:42:45
凌
力
尔
特公司的成就如何?
2019-09-11 07:28:31
采访
凌
力
尔
特公司联合创始人兼首席技术官Bob Dobkin- 成绩单
2019-08-22 13:34:38
全功能控制
器的一种替代方案,并提供了适合多相从属设计的基本功能。其峰值电流模式架构能实现准确的相位间均流,强大的内置1.1Ω全
N
沟道
栅极
驱动器最大限度地减少了
MOSFET开关损耗。 目前,采用28引线4mm x 5mm QFN封装的LTC3870已提供现货。
2018-09-27 15:33:15
导读:据报道,
凌
力
尔
特公司近日新推一款同步降压型从属控制
器--LTC3874.该器件具备电流模式控制功能,无需任何检测电阻
器,便能够最大限度地提高转换
器效率并增加功率密度。 据悉
2018-11-30 16:36:29
工程师展示了其中的设计细节、设计理论、高水平解决方案等,是成功设计电路的重要参考。《模拟电路设计手册:应用及解决方案指南丛书》由
凌
力
尔
特公司首席技术官Bob Dobkin与模拟电路大师Jim
2017-12-01 17:41:23
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 样片,大家搞电子的都应该知道是什么,在这里分享下申请
凌
力
尔
特(Linear)样片的过程,希望对大家有用,同时也敬告大家要合理
2012-11-08 15:53:34
IGBT/功率
MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机
驱动器和其它系统中的开关元件。
栅极是每个器件的电气隔离控制端。
MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要
栅极
驱动器
栅极
驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
,
高端导通电阻和外部串联电阻EXT 构成充电路径中的
栅极电阻,低端导通电阻和 REXT 构成放电路径中的
栅极电阻。图4.具有
MOSFET输出级和功率器件作为电容的
栅极
驱动器的RC电路模型RDS
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/
MOSFET功率开关来研究
栅极
驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述DC-DC 转换
器33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为
驱动BLDC 电机的半桥开启
高端和低端
MOSFET。最好将此设计与
栅极
驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
电排序。 特点和优点: l2线步骤和方向接口l对于
N
沟道
MOSFET双路全桥
栅极
驱动器l工作在12~50V的电源电压范围。l同步整流。l交叉传导保护。l可调混合衰减。l集成的DAC正弦电流参考。l固定关断时间PWM电流控制。l增强型低电流控制。l引脚与A3986兼容。应用电路图:
2019-10-28 14:00:50
180度。
高端
驱动器
高端
驱动器设计用于
驱动浮动低RDS(ON)
N
沟道
MOSFET
驱动电源和下沉
栅极电流的最大输出电阻为5Ω。低输出电阻允许
驱动器在3nF负载下有20ns的上升和下降时间。高压侧
2020-07-21 15:49:18
`AON7544
N
沟道
MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技术,具有极低的RDS(on),低
栅极电压和高电流能力,非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
隔离电源转换
器详解
栅极
驱动器解决方案选项最优隔离
栅极
驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
ISL6594A和ISL6594B是
高频
MOSFET专为
驱动上下功率而设计的
驱动器同步整流buck中的
N
沟道
mosfet转换
器拓扑。这些
驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制
器
N
沟道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可
驱动
高端和低端
N
沟道
MOSFET
栅极
驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。LN8322 内部集成欠压锁死电路可以确保
MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥
N
沟道功率
MOSFET
驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥
N
沟道功率
MOSFET
驱动器
2019-05-14 09:23:01
导读:日前,
凌
力
尔
特公司(简称“Linear”)新
推出一款宽电压范围同步降压型DC/DC控制
器--LT3840.此器件具备强大的内置
栅极
驱动器,其电流模式架构提供了简单的环路补偿、快速瞬态响应
2018-09-27 15:19:03
导读:据报道,Linear(
凌
力
尔
特公司)日前宣布
推出一款全新的理想二极管桥控制
器--LT4321.该器件用低功耗
N
沟道
MOSFET桥取代了两个二极管桥式整流
器。 日前,Linear(
凌
力
2018-09-28 16:07:28
NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压
栅极
驱动器IC,提供两路输出,用于直接
驱动2个
N
沟道功率
MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他
高端+低端配置版本A.它使用自举技术,以确保正确
驱动
高端电源开关。该
驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
的优点包括以下几点内容:设计非常简单,因此适用于空间受限的地方,例如低压
驱动器和非隔离POL应用。这是
高端开关位置内的简化
栅极
驱动方法,可以降低总体成本。在低电压下工作时,
MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压
器中的高侧开关。根据应用的不同,
N
沟道
MOSFET也可用作降压稳压
器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧
驱动器。图1:具有电平移位
器的高侧
驱动
2018-03-03 13:58:23
采用小型封装的隔离式半桥
栅极
驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合
器隔离的基本半桥
驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来
驱动
高端和低端
N
沟道
MOSFET(或IGBT)的
栅极,由此来控制输出功率
2018-07-03 16:33:25
什么是
MOSFET
驱动器?
MOSFET
驱动器功耗包括哪些部分?如何计算
MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌
推出
MOSFETIPW90R120C3这里的
MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC
驱动器
2018-09-01 09:53:17
N
沟道和P
沟道
MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是
高频
MOSFET专为
驱动上下功率而设计的
驱动器同步整流buck中的
N
沟道
mosfet转换
器拓扑。这些
驱动程序与ISL6592数字多相降压型脉宽调制控制
器
N
沟道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥
N
沟道功率
MOSFET
驱动器。浮动
驱动器可以
驱动顶部
N
沟道功率
MOSFET工作在高达60V(绝对最大值)的高压(HV)轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
通过,FET也会耗散功率。)换言之,目标便是降低系统内需要
高频率功率转化的开关过渡时间。突出该类性能的
栅极
驱动器规格为上升和下降时间。参见图1。图1:典型的上升和下降时间图 如果您想更进一步,诸如延时匹配等
栅极
驱动器特性…
2022-11-14 06:52:10
LTC1155双
高端
栅极
驱动器的典型应用允许使用低成本
N
沟道FET用于
高端开关应用
2020-04-16 10:14:10
可以用
凌
力
尔
特的芯片做基准电压源吗?比如说LT1963这种
2016-07-17 20:06:55
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号,比较用的三角波为10Mhz。需要开关
频率能大于20Mhz的
mosfet
驱动器。请问
mosfet
驱动器的最高工作
频率是由什么参数决定的?有能达到20Mhz以上的
mosfet
驱动器吗?`
2018-04-11 23:31:46
还可以安装Arduino UNO R3连接
器。该扩展板上使用的IC
驱动器是用于
N
沟道功率
MOSFET的L6398单芯片半桥
栅极
驱动器。 L6398
栅极
驱动器和STL220
N6F7功率
MOSFET组合形成BLDC电机的高电流功率平台,基于STM32 Nucleo板的数字部分提供6步或FOC算法控制解决方案
2020-05-20 08:53:36
输入阈值对于逻辑“一”大于2.2 V,对于逻辑“零”小于1.0 V。为了抑制噪声和
高频干扰,在具有1 V迟滞施密特触发
器缓冲
器的接收
器上使用匹配良好的全差分架构。这允许在
MOSFET作为
栅极
驱动器负载
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在尝试使用 MC34GD3000
栅极
驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏高侧
MOSFET
栅极
驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置
栅极
驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
阐述这些设计理念,以展现采用小型封装的隔离式半桥
栅极
驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合
器隔离的基本半桥
驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来
驱动
高端和低端
N
沟道
MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥
驱动器的功能是
驱动上桥臂和下桥臂
N
沟道
MOSFET(或IGBT)的
栅极,通过低输出阻抗降低导通损耗,同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥
栅极
驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合
器隔离的基本半桥
驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来
驱动
高端和低端
N
沟道
MOSFET(或IGBT)的
栅极,由此来控制
2018-09-26 09:57:10
沟道
MOSFET也可用作降压稳压
器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧
驱动器。图1:具有电平移位
器的高侧
驱动IC。图2:用自举电路对高侧
N
沟道
MOSFET进行栅控。极性决定了
MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括
栅极
驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/
MOSFET
2018-10-16 21:19:44
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括
栅极
驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/
MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括
栅极
驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/
MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式
栅极
驱动器解决方案,可在半桥配置中
驱动碳化硅 (SiC)
MOSFET。此设计分别为双通道隔离式
栅极
驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
与 Power Block、DrMOS 等外部功率链器件及分立式
N
沟道
MOSFET和有关
栅极
驱动器一起工作。 LTC3774 主要是用于 mΩ 以下检测的电流模式双输出降压型 DC/DC 控制
器,低至
2018-11-29 11:22:35
请问一下大神有VN05
N
栅极
驱动器的替代品吗?
2022-12-21 07:08:20
如题,请问哪位大神有
凌
力
特
尔LT8705芯片各管脚的具体定义(各管脚是干嘛用的),能发一份给我吗?谢谢
2015-11-06 17:31:48
IGBT/功率
MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机
驱动器和其它系统中的开关元件。
栅极是每个器件的电气隔离控制端。
MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
影响边沿速率。如图4所示,
高端导通电阻和外部串联电阻REXT构成充电路径中的
栅极电阻,低端导通电阻和REXT构成放电路径中的
栅极电阻。图4. 具有
MOSFET输出级和功率器件作为电容的
栅极
驱动器的RC电路
2018-11-01 11:35:35
新年伊始,设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我讨论了高电流
栅极
驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速
栅极
驱动器可以实现相同的效果。高速
栅极
驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
高速
栅极
驱动器可以实现相同的效果。高速
栅极
驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,对于大多数类型的FET是固有的。它由p-
n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
高频率变压器的设计要点
2009-11-19 11:54:24
23
本文讲述了一种运用于功率型
MOSFET和IGBT 设计性能自举式
栅极
驱动电路的系统方法,适用于
高频率,大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程师们都能从中获益
2009-12-03 14:05:33
256
MOSFET
驱动器与
MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与
MOSFET
栅极电荷和工作
频率相关的
MOSFET
驱动器功耗。还将讨论如何根据
MOSFET所需的导通和截止时间将
MOSFET
驱动器的
2010-06-11 15:23:20
212
MAX15054 高边
MOSFET
驱动器,用于HB LED
驱动器和DC-DC应用 概述 MAX15054是高边、n
沟道
MOSFET
驱动器,高压应用中可工作在较高的开关
频率
2010-01-28 08:43:04
1653
Linear
推出高速同步
MOSFET
驱动器凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation)
推出高速同步
MOSFET
驱动器LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中
驱动
高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16
865
凌力尔特
推出高速同步
MOSFET
驱动器LTC4449 凌力尔特(Linear)
推出高速同步
MOSFET
驱动器LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中
驱动
高端和低端 N
沟道功率
MOSFET而设计。
2010-02-04 08:40:55
1260
Diodes公司
推出ZXGD3005E6 10A
栅极
驱动器,在电源、太阳能逆变器和马达
驱动电路中,实现超快速的功率
MOSFET及 IGBT负载切换
2011-03-25 11:29:47
1088
东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,
推出单通道高边N
沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(
MOSFET)
栅极
驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:36
1787
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新
推出的DGD21xx系列包括六款半桥
栅极
驱动器及六款高/低侧600V
栅极
驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率
MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:23
1402
的
栅极
驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在
驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压
MOSFET以及应用。许多设计者因此转向
MOSFET
驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:05
22
。其内部充电泵全面增强了外部 N
沟道
MOSFET开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω
栅极
驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地
驱动
栅极电容很大的
MOSFET,非常适合
高频开关和静态开关应用。
2017-09-11 09:36:58
2795
LTC7004 强大的 1Ω
栅极
驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地
驱动
栅极电容很大的
MOSFET,非常适合
高频开关和静态开关应用。
2017-09-18 10:49:38
4776
安森美半导体NCP51530
MOSFET
栅极
驱动器是
高频、700V、2A高侧和低侧
驱动器,适用于交流/直流电源和逆变器。NCP51530可在较高工作
频率下提供同类最佳的传播延迟、低静态电流和低开关电流。这些NCP51530
驱动器适用于在
高频下工作的高效电源。
2019-10-03 09:32:00
3247
栅极
驱动器可以
驱动开关电源如
MOSFET,JFET等,因为如
MOSFET有个
栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时
MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:00
19390
来源:罗姆半导体社区
栅极
驱动器的作用
栅极
驱动器可以
驱动开关电源如
MOSFET,JFET等,因为
MOSFET有个
栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18
987
摘要 IGBT/功率
MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机
驱动器和其它系统中的开关元件。
栅极是每个器件的电气隔离控制端。
MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:38
20
6A N
沟道
MOSFET
栅极
驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作
2021-03-19 01:44:18
1
用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N
沟道
MOSFET
驱动器具有强大的
栅极
驱动
2021-03-19 07:15:03
2
AN53-微功耗
高端
MOSFET
驱动器
2021-05-09 08:28:40
6
LTC1693:高速单/双N
沟道
MOSFET
驱动器数据表
2021-05-19 16:35:07
5
LT1158:半桥N
沟道功率
MOSFET
驱动器数据表
2021-05-20 18:32:19
3
LTC4441:N
沟道
MOSFET
栅极
驱动器数据表
2021-05-26 08:42:54
5
ADI隔离
栅极
驱动器和WOLFSPEED SiC
MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30
ROHM不仅提供电机
驱动器IC,还提供适用于电机
驱动的非隔离型
栅极
驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率
MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型
栅极
驱动器,再介绍ROHM超级结
MOSFET
2021-08-09 14:30:51
2408
MOSFET和IGBT
栅极
驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:17
63
LN8362 是一款可
驱动
高端和低端 N
沟道
MOSFET
栅极
驱动芯片,可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
2022-06-23 14:20:26
11813
MOSFET
驱动器是一款
高频高电压
栅极
驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达100V的电源电压来
驱动两个N
沟道
MOSFET。强大的
驱动能力降低了具高
栅极电容
MOSFET中的开关损耗。针对
2022-10-25 09:19:34
1345
栅极
驱动参考 1.PWM直接
驱动2.双极Totem-Pole
驱动器3.
MOSFETTotem-Pole
驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接
驱动在电源应用中,
驱动主开关
2023-02-23 15:59:00
17
高侧非隔离
栅极
驱动1.适用于P
沟道的高侧
驱动器2.适用于N
沟道的高侧直接
驱动器1.适用于P
沟道的高侧
驱动器高侧非隔离
栅极
驱动可按照所
驱动的器件类型或涉及的
驱动电路类型来分类。相应地,无论是
2023-02-23 15:35:24
1
LTC7001 是一款快速、高压侧 N
沟道
MOSFET
栅极
驱动器,选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N
沟道
MOSFET开关的内部充电泵,因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45
514
介绍 在设计电源开关系统(例如电机
驱动器或电源)时,设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求?什么是最好的
MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器?以及哪种
栅极
驱动器IC 最适合
2023-07-24 15:51:43
0
在电机
驱动系统中,
栅极
驱动器或“预
驱动器” IC常与N
沟道功率
MOSFET一起使用,以提供
驱动电机所需的大电流。在选择
驱动器IC、
MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时,有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻,将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34
808
意法半导体(下文为ST)的功率
MOSFET和IGBT
栅极
驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36
578
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