电子元器件的发展及特点根据检索，元器件的发展普遍的提法是：电子元器件发展阶段已经历了以电子管为核心的经典电子元器件时代、以半导体分立器件为核心的小型化电子元器件时代，现时已进入以高频和高速处理集成电路为核心的微电子元器件时代。
2013-07-09 10:03:20
3688 随着IGBT技术的发展，IGBT已经从工业扩展到消费电子应用，成为未来10年发展最迅速的功率半导体器件；而在中国市场，轨道交通、家电节能、风力发电、太阳能光伏和电力电子等应用更是引爆了IGBT应用市场。
2013-09-24 10:15:022057 IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。
2014-08-05 09:42:432065 受无人驾驶概念近年走红的影响，激光雷达技术被科技行业提及的次数也渐渐频繁。随着技术不断成熟，成本的持续、快速地降低，激光雷达将迎来产业规模化发展阶段，极大地推动无人驾驶汽车上市进度。
2017-01-20 16:45:362696 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。
2023-09-22 16:54:103337 
随着高通、瑞芯微、全志等芯片厂商推出各自的VR一体机芯片方案，国产VR一体机将进入快速发展阶段，有望跻身世界前列。
2017-02-20 13:52:581890 我国拥有着最大的功率半导体市场，国内厂商在IGBT等高端器件在技术上与国际大公司相比还有着一些差距。从市场上看，虽然英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商目前占有绝对的市场优势，但国内IGBT也在国产进程中呈显出强势崛起的姿态。
2021-10-09 08:00:003151 `大家一起上传IGBT并联应用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19:45
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01:13
和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT模块散热器的发展与应用 1概述 电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动
2012-06-19 11:17:58
IGBT模块散热器的应用 随着电力电子技术的快速发展,以及当前电子设备对高性能、高可靠性、大功率元器件的要求不断提高，单位体积内的热耗散程度越来越高,导致发热量和温度急剧上升。由于热驱动
2012-06-20 14:58:40
轴心。IGBT为控制10A以上大电流的芯片原料，可应用在电动车、汽车、电梯等用电量较大的产品上，可控制流通或阻断电流。2011年市场规模达9亿美元。 超快速IGBT的发展突出公司重点推荐国际整流器IR
2012-03-19 15:16:42
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
生产成本，缩小封装体积。目前RC IGBT已成为各大IGBT生产商的研发热点。早期的RC IGBT中FRD的性能难以优化，只有英飞凌推出小功率的1200V RC IGBT用于对FRD要求不高的电磁炉
2015-12-24 18:23:36
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
的需求，推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展，功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展，性能也越来越改善。大致来讲，功率器件的发展，体现在如下方面：1．器件能够快速恢复，以满足越来越高
2018-05-08 10:08:40
现有国产IGBT免费申请送样，规格1200V/25A，试用后只需提供试用报告即可。有需要的请与我联系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
现在大家对国产IGBT的认识如何？觉得可以采用吗？
2014-05-26 09:46:24
国产模拟芯片产业该如何发展？
2021-01-06 07:21:44
国产的电子元器件与进口的元器件相差有多大？
2016-02-27 23:01:08
保护，风机过载、缺相、压缩机延时等保护功能。 步入式快速温变老化试验箱作为模拟环境试验设备被各行各业广泛使用，它能模拟自然环境中的温湿度的变化，恒定温湿度。随着科学技术不断地蓬勃发展，突飞猛进的给快速
2017-10-30 17:14:58
、LED照明系统等。 在国产化进程上华润微、士兰微、新洁能、捷捷微电的MOSFET ，以及比亚迪微电子、斯达半导体、士兰微的IGBT进入与国际10大原厂混战的阶段，具备局部优势。 关注原理、关注参数、关注应用，是元器件选型三要素。 来源：我爱方案网
2022-06-28 10:26:31
性能。过流、过热和欠压检测是IPM中常见的三种自我保护功能。在本文中，我们将介绍该技术的一些基本概念，并了解IPM如何从可用的IGBT器件中获得最佳性能。 功率 BJT、MOSFET 和 IGBT
2023-02-24 15:29:54
在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括
2009-09-23 19:36:41
作为国家科技重大专项——智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化项目的中国北车永济电机公司以其研制的3300V IGBT器件产品，日前中标国家智能电网项目，成为我国首个高压大功率IGBT产品批量
2015-01-30 10:18:37
近年来随着物联网、智能手机、汽车电子、医疗电子等产业的快速发展，对陀螺仪、加速度传感器、MEMS麦克风等传感器件的需求不断增加，传感器产业进入快速发展阶段。传感器市场的需求方向是什么?未来的技术走向如何?中国传感器产业的优劣势何在?应如何健康发展?日前，各方专家就上述问题进行了深入探讨。
2020-04-23 06:34:13
全是海外企业，市场份额高达 60%以上，我国功率半导体国产替代进程目前仍然处于初步阶段。图：全球功率器件需求按区域分布占比来源：IDC，东兴证券研究所图：全球功率半导体市场格局来源：IHS Markit
2022-11-11 11:50:23
中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创，70年代逐渐成长，80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段，21世纪初中国加入WTO，为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子
2023-04-14 13:46:39
按照大功率 igbt 驱动保护电路能够完成的功能来分类，可以将大功率 igbt 驱动保护电 路分为以下三种类型：单一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的首选功率开关器件，因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的首选功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。 在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率
2012-12-08 12:34:45
详情见附件大功率IGBT驱动的技术特点及发展趋势分析1 引言由于igbt具有开关频率高、导通功耗小及门极控制方便等特点，在大功率变换系统中得到广泛的应用。在igbt应用中，除其本身的技术水平以外
2021-04-20 10:34:14
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
寻求国产器件推荐，工作温区在-55～150℃，压力100kPa～35MPa之间绝压，表压都有需求
2022-08-18 10:06:13
`上世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段
2017-02-13 21:56:16
小IGBT居中居中，几十KHz简单，功耗小表 1 IGBT和其他高压器件的能能对比IGBT自20世纪70年代末发明以来，经过30余年的发展，几乎已成为逆变、电机驱动等应用中的不二选择，是新能源领域如
2015-12-24 18:13:54
电子元器件正进入以新型电子元器件为主体的新一代元器件时代，它将基本上取代传统元器件，电子元器件由原来只为适应整机的小型化及新工艺要求为主的改进，变成以满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求为主，而且是成套满足的产业化发展阶段。
2019-10-15 09:02:25
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
据最新消息获悉，TrendForce在最新调查中预测，未来全球LED智能路灯市场会进入快速发展阶段。截止到2024年，将以8.2%的复合年增长率增长。
2020-10-23 11:13:11
。这些器件主要有电力场控晶体管(即功率MOSFET)、绝缘栅极双极晶体管(IGT或IGBT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)等。电力电子器件的最新发展现代电力电子器件仍然在向
2017-11-07 11:11:09
高频全控型器件不断问世，并得到迅速发展。这些器件主要有电力场控晶体管(即功率MOSFET)、绝缘栅极双极晶体管(IGT或IGBT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)等。 电力
2017-05-25 14:10:51
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00:47
前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在"将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争更低功耗"的指导
2019-07-08 06:09:02
服务介绍随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大，这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间。测试周期：根据标准、试验条件及被测样品量确定
2022-05-25 14:26:58
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括计算机领
2009-04-27 17:04:38
24 蓄电池的四个发展阶段
1、普通铅酸蓄电池 在50年代，生产的铅蓄电池叫普通电池，当时的产品用户启用时都要有“初充电”工艺环节。
2009-10-29 14:15:40999 针对目前PWM 逆变器中广泛使用的IGBT，提出了一种快速损耗计算方法。该方法只需已知所使用的IGBT 器件在额定状态下的特性参数，就可以快速估算各种条件下的功率损耗。该方法的计算
2011-09-01 16:42:33111 《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制
2011-11-09 18:03:370 大功率IGBT驱动技术的现状与发展
2012-06-06 11:52:236113 
本文为你介绍led照明光源的发展，经历的几个发展阶段，led现状的处于的现状，以及led照明未来的展望。
2012-08-13 11:36:263456 目前国际功率半导体器件的主流主品功率MOS器件只是近年来才有所涉及，且主要为平面栅结构的VDMOS器件，IGBT还处于研发阶段。
2017-09-20 17:46:5944 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效应？ IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器（单电源驱动器）。门集-电极之间的耦合，在于IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通（门集电压尖峰），这是潜在的危险。 当上半桥的I
2017-10-26 16:52:4614 中国电信集团公司电信科技委主任韦乐平表示，SDN渡过炒作期，进入理性发展阶段；NFV化已开始落地，但征程依然艰难。
2018-04-09 16:30:114294 自问世以来,已经经过了几个不同的发展阶段。驱动每个阶段发展的因素都是工艺技术和应用需求。正是这些驱动因素，导致器件的特性和工具发生了明显的变化。
2018-05-26 01:52:005354 
据业内人士透露，包括HUD、仪表板和娱乐显示器背光以及后视镜在内的汽车零件市场Mini LED汽车应用，将在2019年进入高速发展阶段。
2019-03-21 15:24:211315 随着我国居民生活水平不断提高、政策扶持力度增强，国内医疗器械行业整体步入高速发展阶段。据EvaluateMedTech的测算，全球医疗器械市场规模将从2016年的3980亿美元增长至2022
2019-06-07 17:34:001368 移动通信网络步入“四世同堂”阶段，未来将是4G与5G网络长期共存、协调发展的局面。
2019-08-02 11:47:12373 华为轮值董事长郭平是这一观点的坚定支持者，他不只一次在行业会议上这么说。郭平代表华为，显然，华为也认为5G即将进入下一个发展阶段。支撑这一观点的依据是：3GPP R16标准正式冻结，将进一步推动5G
2020-08-25 09:08:03542 中国医疗信息化建设始于上世纪80年代，至今经历了四个发展阶段，即医院管理信息化（HIS）阶段、以电子病历系统为核心的临床信息化建设阶段、医院信息平台和数据中心建设阶段、临床诊疗数据的智慧应用阶段。
2020-10-09 15:39:048914 
前言： 随着全球制造业向中国的转移，我国功率半导体市场占世界市场的50％以上，是全球最大的IGBT市场。 但IGBT产品严重依赖进口，在中高端领域更是90％以上的IGBT器件依赖进口，IGBT国产
2020-10-19 16:56:388939 10月22日，工信部信息通信发展司司长闻库在国新办发布会上表示，未来三年中国5G仍处于上升发展阶段，需要保持战略定力。
2020-10-23 12:15:271351 除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。
2021-05-24 06:07:0013963 
已迈过产业萌芽和培育阶段，进入以市场为主导的产业快速发展阶段，并会在未来2年，迎来更快速增长。 4G/5G FWA 已成为运营商发展家宽业务的主要选择之一 经过近五年多的高速发展，4G/5G FWA
2020-11-18 10:52:242051 近些年是国内功率半导体器件迅猛发展的良好时机，国产半导体企业在MOSFET ，IGBT及SiC等产品领域的优秀表现吸引了越来越多的电力电子产品大厂的关注和应用。绝缘栅双极型晶体管IGBT
2020-12-04 10:41:494788 封装技术已从单芯片封装开始，发展到多芯片封装/模块、三维封装等阶段，目前正在经历系统级封装与三维集成的发展阶段。
2021-01-10 10:44:392221 在经过了较为粗放的发展之后，光伏已经走进了精细高效发展阶段。转换效率更高的单晶取代多晶就是非常明显的例子。 光伏支架作为可明显增加发电量的组成部分，也成为了光伏发展下一阶段的重点。其原理也非常简单
2021-03-04 15:52:39914 随着智能电网、汽车电气化等应用领域的发展，功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展，功率分立器件的演进路径基本为二极管→晶闸管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。
2021-03-29 15:27:077347 
展望“十四五”，我国数字经济将步入高速发展阶段，新型基础建设将激发潜在的活力和动力。在当前的形势下，移动转售行业迫切需要加强赋能数字化转型的能力，提升在信息产业链中的参与度和贡献值。对此，陈家春提出以下三点建议。
2021-03-31 16:09:511846 可以已验证的、可重复利用的、具有某种确定功能的、具有自主知识产权功能的设计模块，其与芯片制造工艺无关，可以移植到不同的集成电路工艺中。随着在我国对集成电路的重视程度提高，EDA/IP产业进入快速发展阶段。
2021-06-12 09:01:002024 回顾科技革命的发展历程，每一个技术突破、技术研发的“闪光点”，都代表着人类世界的转型升级，代表着新领域、新产业的诞生与发展。如今，随着一线研究学者的不断攻坚、不断探索，生物科研领域迈入至一个全新的发展阶段：AlphaFold2不仅完成了98.5%人类蛋白结构预测，并且做成数据集免费开源。
2021-08-06 18:17:31411 IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术(通信电源技术2019第七期)-该文档为基于IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看
2021-09-22 12:39:1950 元宇宙是最近科技圈和资本圈大热的话题。许多科技巨头都开始局部元宇宙，元宇宙是虚拟世界和现实世界融合的载体，那么元宇宙的发展阶段是怎么样的呢？ 元宇宙或将发展为三个阶段： 1.社区+游戏 社区+游戏
2021-11-03 17:39:363083 据市场反馈，应用于高压的超结MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已经停止了车用IGBT的接单，英飞凌、ST等IGBT交期超过了一年。根据富昌电子2022Q2市场行情报告，功率器件（MOSFET，IGBT）多数货期在30~60周，且仍有上升的趋势。
2022-07-28 09:24:443204 长盈精密：“消费电子+新能源”双轮驱动公司步入发展新阶段
2022-11-17 13:06:57237 该阶段也称为“互联网+制造”，是智能制造的第二个发展阶段。随着互联网技术在上世纪末开始普遍应用，为制造业注入新的活力，通过连接制造过程的人、物、环境、数据和流程，网络推动了制造要素的协同以及相关社会资源的共享与集成，重构了制造业形态与模式，加速制造业向第二个阶段发展。
2022-11-23 14:49:492145 IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应
管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-15 16:26:3234 什么是IGBT 所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件其具有自关断的特征。 简单
2023-02-22 15:01:420 的耐压范围为20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的
高电压，因此是电力电子领域的理想开关器件。
根据英飞凌的技术，IGBT的发展可划分为三个阶段。第一阶段是第一代和第二代IGBT所代表的平面栅极型IGBT。由于功率器
件产品不追求制程，所以这类产品仍然畅销，但第一代产品已
2023-02-23 15:55:491 IGBT应用领域和IGBT烧结银工艺自20世纪80年代末开始工业化应用以来，IGBT发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOS和GTR，还在消费类电子应用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的众多
2022-04-13 15:33:13695 
IGBT是一种功率器件，在功率逆变器中承担功率转换和能量传输的功能。它是逆变器的心脏。同时，IGBT也是功率逆变器中最不可靠的元件之一。它对器件的温度、电压和电流非常敏感。稍有超出，就会变得无能
2023-03-30 10:29:45992 
）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432103 
森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13355 
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494677 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
2023-09-07 09:55:521086 
IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度, 车辆加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 半导体（Semiconductor）是现代电子信息社会的物理基石，并已成为推动各种革命性变革和创新的强大驱动力，这点已是当前的社会共识。而功率器件正是半导体大产业的细分类别之一，在从电网、高铁等高
2023-10-31 09:19:08372 
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 德赢Vwin官网
网站提供《隔离驱动IGBT等功率器件的技巧.doc》资料免费下载
2023-11-14 14:21:590 随着云计算、虚拟化技术的发展，网卡也随之发展，从功能和硬件结构上基本可划分为4个阶段。
2023-12-19 16:37:57284 
。 在同期举办的2023电源行业配套品牌颁奖晚会上，宏微科技凭借先进的技术实力和创新的产品能力，荣获“ 国产功率器件行业卓越奖 ”、 “ 功率器件-IGBT行业优秀奖 ” 双料大奖。 世纪电源网是电源行业有影响力的技术交流 平 台，此次评选通过
2023-12-26 20:00:02304 
今日，备受关注的优必选正式登陆港交所，宣告中国机器人技术领域取得新突破。这标志着人形机器人产业将进入全新的发展阶段。
2023-12-29 17:11:12416 在第十四届亚洲电源技术发展论坛上，龙腾半导体以其卓越的品质、出色的市场表现和技术创新能力，荣获了“国产功率器件行业卓越奖”。这一荣誉不仅是对龙腾半导体的肯定，更是对其在推动国产功率器件行业发展中的突出贡献的认可。
2024-01-04 15:35:33257 IGBT是一种高性能功率半导体器件，常用于驱动大功率负载的电路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两个器件构成。它结合
2024-01-12 14:43:521681
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论