完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
LMG5200器件集成了80V，10A驱动器和GaN半桥功率级，采用增强模式氮化镓（GaN）FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaNFET，它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。
GaN FET在功率转换方面的优势显着，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容C ISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数.LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。
该器件的输入与TTL逻辑兼容，无论VCC电压如何，都能够承受高达12V的输入电压。专有的自举电压钳位置技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口并更为出色，进一步提升了分立式GaN FET的优势。对于具有高频，高效操作及尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与TPS53632G控制器搭配使用时，LMG5200能够直接将48V电压转换为负载点电压（0.5-1.5V）。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| Configuration |
| VDS (Max) (V) |
| ID (Max) (A) |
| RDS (on) (Milliohm) |
| Coss (pF) |
| VCC (V) |
| Logic Level |
| Prop Delay (ns) |
| Control Method |
| LMG5200 | LMG3410 |
|---|---|
| Half Bridge Power Stage | Single-Channel Power Stage |
| 80 | 600 |
| 10 | 12 |
| 15 | 70 |
| 266 | 71 |
| 5 | 12 |
| 3V to 5V CMOS and TTL | 3V to 5V CMOS and TTL |
| 29.5 | 20 |
| External | External |
关注我们的微信
下载发烧友APP
德赢Vwin官网 观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
德赢Vwin官网 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
