--- 产品参数 ---
- 型号 STD10NF10T4
- 品牌 ST意法
- 封装 TO-252
- VDS 100V
- ID 13A
- Rds On 115 mOhms
- PD 50W
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: Yes
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: STD10NF10T4
包装数: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 6.2 mm
单位重量: 330 mg
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