适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 10 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8400 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 90 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
- 4A 内部有源米勒钳位
- 发生故障时的 400mA 软关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。
UCC21750-Q1 具有高级保护功能 功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为）和稳健性。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
