S25FS128SDSNFI100，MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
特征密集
–128 Mbits（16 Mbytes）
–256 Mbits（32 Mbytes）
串行外围接口（SPI）
–SPI时钟极性和相位模式0和3
–双倍数据速率（DDR）选项
–扩展寻址：24位或32位地址选项
–串行命令子集和封装与S25FL-A兼容，
S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列
–多I/O命令子集和封装与S25FL-P兼容，
和S25FL-S SPI系列
阅读
–命令：正常、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O
–模式：突发包裹、连续（XIP）、QPI
–串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于配置信息程序
–256或512字节页面编程缓冲区
–程序暂停和恢复擦除
–混合行业选项
–八个4千字节扇区和一个32千字节扇区的物理集合地址空间的顶部或底部以及64千字节
–统一扇区选项
–统一64 kbyte或256 kbyte块，以实现软件兼容性具有更高的密度和未来的设备
–擦除挂起并恢复
–擦除状态评估
–任何扇区上至少100000个程序擦除周期
–20年数据保留，典型安全功能
–1024字节的一次性程序（OTP）阵列
–块保护：
–状态寄存器位，用于控制对程序或擦除连续的扇区范围
–硬件和软件控制选项
–高级行业保护（ASP）
–由引导代码或密码控制的单个扇区保护
–读取访问的密码控制选项技术
–跨度65 nm MirrorBit技术与Eclipse™ 建筑学
电源电压
–1.7V至2.0V
温度范围
–工业（0°C至+85°C）
–汽车（-40°C至+105°C）
包装（所有无铅）
–8导联SOIC 208 mil（SOC008）-仅限FS128S
–WSON 6x5 mm（WND008）-仅限FS128S
–WSON 6x8 mm（WNH008）-仅限FS256S
–16引线SOIC 300 mil（仅限SO3016-FS256S）
–BGA-24 6x8毫米
–5x5球（FAB024）占地面积
–4x6球（FAC024）占地面积
–已知良好模具和已知测试模具
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
