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QPD2018D 分立式 GaAs 芯片

GaAs PHEMT 分立式 芯片
型号： QPD2018D

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 20,000
  • 增益（分贝） 14
  • OP1dB (dBm 22
  • 饱和度(dBm) 22
  • 噪声系数（分贝） 1个
  • PAE （%） 55
  • 电压（伏） 8个
  • Idq （毫安） 29
  • 包装（毫米） 0.41 x 0.34 x 0.10

--- 产品详情 ---

QPD2018D

产品简介
Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2018D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um 功率 pHEMT 生产工艺设计。该工艺采用先进技术，可在高漏极偏压工作条件下优化微波功率和效率。
QPD2018D 通常在 P1dB 时提供 22dBm 的输出功率，在 1dB 压缩时具有 14dB 的增益和 55% 的功率附加效率。这种性能使 QPD2018D 适合高效应用。带有氮化硅的保护涂层提供了一定程度的环境稳健性和防刮擦保护。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 20,000
增益（分贝） 14
OP1dB (dBm) 22
饱和度(dBm) 22
噪声系数（分贝） 1个
PAE （%） 55
电压（伏） 8个
Idq （毫安） 29
包装（毫米） 0.41 x 0.34 x 0.10

 

主要特征
频率范围：DC - 20 GHz
典型输出功率 P1dB：22 dBm
12 GHz 时的典型增益：14 dB
12 GHz 时的典型 PAE：55%
12 GHz 时的典型 NF：1 dB
无过孔
芯片尺寸：0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

 

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