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TGF2023-2-02 分立式功率 GaN

型号: TGF2023-2-02

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 18,000
  • 增益(分贝) 21
  • 饱和度(dBm) 40.1
  • PAE (%) 73.3
  • 电压(伏) 12 至 32
  • Idq (毫安) 50 至 250

--- 产品详情 ---

TGF2023-2-02

产品简介
Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-02 通常提供 40.1 dBm 的饱和输出功率,在 3 GHz 时具有 21 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 73.3%,这使得 TGF2023-2-02 适合高效应用。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 18,000
增益(分贝) 21
饱和度(dBm) 40.1
PAE (%) 73.3
电压(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 50 至 250

 

主要特征
频率范围:直流至 18 GHz
3 GHz 时标称 Psat 为 40.1 dBm
73.3% 最大 PAE
21 dB 标称功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 50 - 250 mA
芯片尺寸:0.82 x 0.92 x 0.10 毫米

 

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