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DMN2022UNS 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN2022UNS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2022UNS
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®3333-8

--- 产品详情 ---

DMN2022UNS 

产品简介
DIODES 的 DMN2022UNS 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2022UNS
名称               双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地               台湾
封装               POWERDI®3333-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
CISS Typ (pF) 1870 pF

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
互补对 MOSFET
ESD 保护高达 2kV


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