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DMNH3010LK3 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMNH3010LK3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMNH3010LK3
  • 名称 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252 (DPAK)

--- 产品详情 ---

DMNH3010LK3 

产品简介
DIODES 的 DMNH3010LK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMNH3010LK3
名称                175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                TO252 (DPAK)

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 55 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低导通电阻
开关速度快

 

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