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DMP1007UCB9 P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP1007UCB9

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP1007UCB9
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-WLB1515-9

--- 产品详情 ---

DMP1007UCB9 

产品简介
DIODES 的 DMP1007UCB9 这款第三代横向 MOSFET (LD-MOS) 旨在最大限度地减少通态损耗并实现超快开关，使其成为高效电力传输的理想选择。它采用芯片级封装 (CSP)，通过将低热阻抗与每占位面积的最小 RDS(ON) 相结合来提高功率密度。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMP1007UCB9
名称                P 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                U-WLB1515-9

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 8 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9.1 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.2 nC
CISS Typ (pF) 900 pF

 

主要特征
品质因数最低的 LD-MOS 技术：
RDS(ON) = 5.7mΩ，最大限度降低通态损耗
Qg = 8.2nC，用于超快速开关
VGS(TH) = -0.6V（典型值）低导通电位
封装尺寸为 1.5mm x 1.5mm 的 CSP
薄型高度 = 0.60mm
栅极ESD保护

 

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