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DMPH3010LPSQ 175°C P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMPH3010LPSQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMPH3010LPSQ
  • 名称 175°C P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 POWERDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMPH3010LPSQ  

产品简介
DIODES 的 DMPH3010LPSQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMPH3010LPSQ
名称                  175°C P 沟道增强型 MOSFET
产地                   台湾
封装                    POWERDI®5060-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低导通电阻
开关速度快


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