WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三维形貌 、单层膜厚 、多层膜厚 。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等参数， 同时生成 Mapping 图； 采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像， 显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图， 高效分析表面形貌 、粗糙度及相关 3D 参数； 基于白光干涉图的 光谱分析仪， 通过数值七点相移算法计算， 达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度， 实现膜厚测量功能； 红外传感器发出的探测光在 Wafer不同表面反射并形成干涉， 由此计算出两表面间的距离（即厚度）， 可 适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度 。该传感器可用于测量不同材料的厚度， 包括碳化硅 、蓝宝石 、氮化镓 、硅等。
WD4000无图晶圆几何量测系统可广泛应用于衬底制造 、 晶圆制造 、及封装工艺检测 、3C 电子玻璃 屏及其精密配件、光学加工 、显示面板 、MEMS 器件等超精密加工行业 。可测各类包括从光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物体表面， 从纳米到微米级别工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微观几何轮廓 、曲率等， 提供依据 SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT 四大国内外标准共计 300 余种 2D 、3D 参数作为评价标准。
产品优势
1、非接触厚度 、三维维纳形貌一体测量
WD4000无图晶圆几何量测系统集成厚度测量模组和三维形貌 、粗糙度测量模组， 使用一台机器便可完成厚度 、TTV 、LTV、
BOW 、 WARP 、粗糙度 、及三维形貌的测量。
2、高精度厚度测量技术
采用高分辨率光谱共焦对射技术对 Wafer 进行高效扫描 。
搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘， 晶圆规格最大可支持至 12 寸 。
采 用 Mapping 跟随技术， 可编程包含多点 、 线 、 面的自动测量 。
3、高精度三维形貌测量技术
采用光学白光干涉技术 、精密 Z 向扫描模块和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率高可到 0. 1nm；
隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声， 获得高测量重复性 。
机器视觉技术检测图像 Mark 点， 虚拟夹具摆正样品， 可对多点形貌进行自动化连续测量 。
4、大行程高速龙门结构平台
大行程龙门结构 (400x400 x75mm)， 移动速度 500mm/s。
高精度花岗岩基座和横梁， 整体结构稳定 、 可靠 。
关键运动机构采用高精度直线导轨导引 、AC 伺服直驱电机驱动， 搭配分辨率 0. 1μm 的光栅
系统， 保证设备的高精度 、 高效率 。
5、操作简单 、轻松无忧
集 成 XYZ 三个方向位移调整功能的操纵手柄， 可快速完成载物台平移 、 Z 向聚焦等测量前
准工作。
具备双重防撞设计， 避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况 。
具备电动物镜切换功能， 让观察变得快速和简单 。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
部分技术规格
型号 | WD4200 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 、氮化镓 、磷化 镓、锗、磷化铟、铌 酸 锂 、蓝宝石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等 |
| 测量范围 | 150μm~2000μm |
| 测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
| 测量原理 | 白光干涉 |
| 测量视场 | 0.96mm×0.96mm |
| 可测样品反射率 | 0.05%~ 100% |
| 测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大 类300余种参数 |
系统规格 | |
| 晶圆尺寸 | 4" 、6" 、8" 、 12" |
| 晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
| X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
| 工作台负载 | ≤5kg |
| 外形尺寸 | 1500× 1500×2000mm |
| 总重量 | 约 2000kg |
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