WD4000半导体晶圆表面三维形貌测量设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。
测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
WD4000半导体晶圆表面三维形貌测量设备可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。非接触厚度、三维维纳形貌一体测量：集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，WD4000半导体晶圆表面三维形貌测量设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
部分技术规格
| 品牌 | CHOTEST中图仪器 |
| 型号 | ED4000 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
测量范围 | 150μm~2000μm |
扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
测量原理 | 白光干涉 |
干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
可测样品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
膜厚测量系统 | |
测量范围 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可测厚度 | 0.4um |
红外干涉测量系统 | |
光源 | SLED |
测量范围 | 37-1850um |
晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
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