物料型号：HMC682LP6C / 682LP6CE
器件简介：
- HMC682LP6C(e) 是一款高线性度、双通道下变频器，集成了本振放大器，采用6x6 SMT QFN封装，覆盖1.7 - 2.2 GHz频段。
- 适用于3G和4G GSM/CDMA应用，具有+25 dBm的高输入IP3性能和0 dBm的本振驱动。
- RF端口可以接受广泛的输入信号电平，典型转换增益为6 dB。
- 60 - 400 MHz的中频响应满足各种GSM/CDMA接收频率计划。
引脚分配：
- RF1, RF2：混频器的RF输入。
- TAP1, TAP2：内部RF巴伦的中心抽头，需要通过外部电容连接到交流地。
- GND：接地引脚，必须连接到RF地。
- BIAS1, BIAS2：混频器核心的偏置引脚。
- Vcc1, Vcc_BAL2, Vcc_AMP2, Vcc2, Vcc_AMP1, Vcc_BAL1：电源电压引脚。
- N/C：无连接引脚，可以连接到RF地而不影响性能。
- IND1, IND2：IF放大器的电流源电感。
- IF2P, IF2N, IF1P, IF1N：差分IF输出和IF放大器的直流偏置。
- BIAS_ADJ1, BIAS_ADJ2：通过外部电阻调整LO缓冲放大器电流。
- LO2, LO1：混频器的LO输入。
- LO_SEL：控制电压，用于选择LO1或LO2。
参数特性：
- 频率范围：RF 1.7-2.2 GHz，LO 1.4-2.0 GHz，IF 0.06-0.40 GHz。
- 转换增益：典型值6 dB。
- 噪声系数(SSB)：典型值12 dB。
- 本振到RF隔离：最小17 dB，典型值25 dB。
- 本振到IF隔离：最小15 dB，典型值22 dB。
- RF到IF隔离：最小15 dB，典型值30 dB。
- 输入IP3：典型值25 dBm。
- 1 dB压缩点：典型值15 dBm。
- 通道间隔离：典型值55 dB。
- 本振驱动输入电平：典型值-3到+3 dBm。
- 电源电流(icc)：典型值450 mA，最大值550 mA。
功能详解：
- 该下变频器具有高输入IP3和低本振驱动特性，适用于基站和中继器，以及双密度接收器。
- 提供高通道隔离和良好的RF/IF/LO隔离性能。
- 支持RoHS，符合环保要求。
应用信息：
- 适用于蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G的混频器和下变频器。
- 基站和中继器的理想选择。
- 适用于GSM、CDMA和OFDM应用。
封装信息：
- 40引脚6x6mm SMT封装，封装体材料为低应力注塑塑料，引脚镀锡/铅焊料或100%哑光锡，MSL等级为1。
绝对最大额定值：
- RF/IF输入(Vcc= +5V)：+15 dBm
- LO驱动(Vcc=+5V)：+6 dBm
- Vcc(LO或IF)：5.5V
- 通道温度：12.5°C
- 连续Pdiss (T=85°C)：4.42W
- 热阻(通道到地垫片)：9.05°C/W
- 存储温度：-65至150°C
- 工作温度：-40至+85°C
评估PCB材料清单：
- 包含PCB安装SMA连接器、2mm垂直Molex 8pc连接器、不同封装的电感器和电容器、变压器、HMC682LP6C(E)等组件。
应用电路：
- 提供了详细的应用电路图，包括电源、IF放大器、混频器等部分的连接方式。
封装图：
- 提供了顶部视图和底部视图，以及封装尺寸和引脚间距。
注意事项：
- 所有接地点和接地板必须焊接到PCB RF地。
- 参考Hittite应用说明中的建议布线图案。
购买信息：
- 提供了购买价格、交货和下单信息，以及应用支持联系方式。
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