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S29GL128P11TFIV10

S29GL128P11TFIV10

  • 厂商:

    CYPRESS(赛普拉斯)

  • 封装:

    TSOP56_14X18.4MM

  • 描述:

    128Mbit,3V,采用90nm MirrorBit工艺技术的页面闪存

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S29GL128P11TFIV10 数据手册
S29GL128P11TFIV10
物料型号: - S29GL01GP - S29GL512P - S29GL256P - S29GL128P

器件简介: 赛普拉斯(Cypress)S29GL系列是采用90纳米MirrorBit工艺技术制造的嵌入式闪存产品。这些设备提供1Gbit、512Mbit、256Mbit和128Mbit的存储容量,并且是3.0伏特单电源供电。它们具有快速的页面访问时间(25纳秒)和随机访问时间(最快90纳秒),适用于需要高密度、高性能和低功耗的嵌入式应用。

引脚分配: - A25-A0:地址输入引脚,根据型号不同,地址线数量有所变化。 - DQ14-DQ0:数据输入/输出引脚。 - DQ15/A-1:数据输入/输出或字节模式下的最低位地址输入。 - CE#:芯片使能。 - OE#:输出使能。 - WE#:写使能。 - VIO:多功能I/O输入,用于确定所有输入电平和输出。 - Vcc:电源。 - Vss:地。 - RY/BY#:就绪/忙信号输出,指示编程或擦除周期的完成。 - BYTE#:数据总线宽度选择。 - RESET#:硬件复位输入。 - WP#/ACC:写保护/加速输入。

参数特性: - 工作电压:2.7-3.6V - 数据保留时间:典型值20年 - 增强的多功能I/O控制 - 提供的封装:56引脚TSOP、64球FBGA - 编程/擦除操作的挂起和恢复命令 - 90纳米MirrorBit工艺技术 - 8字/16字节的页面读取缓冲 - 编程和擦除操作状态位

功能详解: - 支持单3V读/编程/擦除 - 20年数据保留 - 增强的多功能I/O控制 - 提供多种封装选项 - 编程和擦除操作可挂起和恢复 - 支持CFI(通用闪存接口)

应用信息: S29GL系列闪存产品适用于需要高存储密度、快速数据访问和高可靠性的应用,如工业控制、汽车电子、医疗设备和高端消费电子产品。

封装信息: - 56引脚TSOP封装 - 64球加固BGA封装
S29GL128P11TFIV10 价格&库存

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