物料型号：2SC3356K
器件简介：NPN型硅高频低噪声射频晶体管，采用硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声系数、高动态范围和理想的电流特性，主要用于VHF、UHF和CATV的高频宽带低噪声放大器。
引脚分配：1. Base (基极) 2. Emitter (发射极) 3. Collector (集电极)
参数特性：
- 增益：|S21|^2典型值为11dB @ VCE=10V, IC=20mA, f=1GHz
- 噪声系数：NF典型值为1.5dB @ VCE=10V, IC=7mA, f=1GHz
绝对最大额定值：
- 集-基击穿电压 VCBO: 20V
- 集-射击穿电压 VCEO: 12V
- 发-基击穿电压 VEBO: 3V
- 集电极电流 IC: 100mA
- 集电极功耗 PD: 200mW
- 结温 Ti: 150°C
- 存储温度 Tstg: -65°C ~ +150°C
hFE电流增益分类：
- R24: hFE 90-140
- R25: hFE 130-180
封装信息：SC-59
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