DP3407Q

数据手册：

DP3407Q 数据手册

DP3407Q

物料型号：DP3407Q

器件简介：DP3407Q是一款P沟道增强型场效应晶体管，使用沟道功率LV MOSFET技术，具有高速开关和低导通电阻特性。

引脚分配：文档中未明确列出引脚分配，但根据SOT-23-3L封装的常规布局，可能是G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。

参数特性： - 漏源电压（VDs）最大-30V - 栅源电压（VGs）最大±20V - 漏电流（ID）最大-4.1A（25°C时） - 总功耗（P0）最大1.5W - 热阻（RBJA）82℃/W - 工作温度范围（TJ, TSTG）-55℃至+150℃

功能详解：DP3407Q具有低导通电阻和高速开关特性，适用于需要快速响应和低功耗的应用场景。

应用信息：适用于电池保护、负载开关和电源管理等。

封装信息：SOT-23-3L，每卷3000个。

DP3407Q 价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“DP3407Q”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货