E2PROM存储器存储单元的损坏主要是由频繁的写操作造成的。若要解决问题,首先耍避免对同一单元进行频繁的擦写,降低存储单元损坏的可能;其次当某些单元损坏时,读写控制器应该能够跳过这些损坏的单元,保证系统能继续正常工作。本文设计的E2PROM控制器具有这两个方面的功能。
2020-07-22 17:32:521065 就基本的 SSD 存储单元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受欢迎的,不过,QLC 最终将取代它们。在 I/O 方面,有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:353275 在芯片设计时,通常需要用到各种类型的存储单元,用以临时或者永久地存储数据。根据应用场合的不同,所用到的存储单元也不同。本文对常见的几个存储单元进行了介绍,并简述了其工作原理和特点。需要特别
2022-12-02 17:36:241953 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 编辑
24C02串行E2PROM的读写
2012-08-10 14:07:14
`<p><font face="Verdana">三极管的三种工作状态</font&
2008-07-14 10:23:22
不同外,其工作原理都是相同的。 二、晶体三极管的三种工作状态 三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压Ube小于
2020-12-25 15:24:23
三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于
2019-03-05 07:00:00
三种启动模式对应的存储介质均是芯片内置的,它们分别是:1)用户闪存 = 芯片内置的Flash。2)SRAM = 芯片内置的RAM区,就是内存啦。3)系统存储器 = 芯片内部一块特定的区域,芯片出厂时在这个区域预置了一段Bootloader,就是通常说的ISP程序。这个区域的内容在...
2021-07-22 08:33:03
Teledyne e2v为系统设计师提供的定制方案处理器功耗的背景知识三种调整处理器系统功耗的方法
2021-01-01 06:04:09
存储位元与存储单元是什么含义?数据通信的方式可以分为哪几种呢?
2022-01-21 07:17:58
仅作为学习记录,大佬请跳过。这些东西都是存储器关键词:RAM和ROM两大类ROM——PROM、EPROM、E2PROM、FLASH1、RAM、ROM对电脑来说,RAM是内存,ROM是硬盘2、PROM
2021-12-10 06:46:06
设存储器读/写周期为 0.5us, CPU在1us内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理? 两次刷新的最大时间间隔是多少? 对全部存储单元刷新遍所需的实际刷新时间是多少?
2021-10-26 07:05:19
AT24C02串行E2PROM的工作原理与读写
2012-07-31 21:47:47
0A0H,10H,01H,02H,03H,04H,05H,06HEND[size=+1] 读写子程序如下:[size=+1];写串行E2PROM子程序EEPW; R3=10100000(命令1010+器件
2020-07-14 18:17:19
相关寄存器 :EEDR数据寄存器(用来存储要发送的或者是接受的数据)。地址寄存器EEAR:E2Prom的内部地址。EECR:控制寄存器。位0,读使能位。位1写使能位。位2主写使能位。位3中断就绪
2013-05-13 22:55:34
板上接了一块 FT24C32A 的E2PROM, 挂在在 I2C2, SCL-->PB10, SDA-->PB11, 写数据地址是16位,2字节同样的代码在F4上读写正常
2022-09-14 10:11:34
。FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。2.1 FRAM存储单元结构FRAM
2014-04-25 13:46:28
各位大神帮帮忙,,,下面是E2PROM单字节读写操作,主要想问下C语言相关知识,单个字节是如何转十进制字符串格式的(就是main函数里面加问好注释的那里)?例程看不懂,网上搜索了也是一知半解,谁能
2017-08-01 22:54:55
1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分) A.正确B.错误 FLASH可保存 上电后不知道是啥2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间
2021-07-22 08:57:49
判断题:DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1
2017-08-23 09:29:31
方式边界对齐的数据存放方法主存的基本结构和工作过程存储系统的层次结构半导体存储器静态MOS存储器 SRAM静态MOS存储单元静态MOS存储器的结构动态MOS存储器 DRAM四管动态MOS存储元的工作
2021-07-28 07:59:20
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构Nand flash的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解:图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
QSPI特点QSPI三种工作模式
2020-12-31 06:36:55
请教Arm专家大侠: SOC内SRAM各存储单元, 其“每次上电冷启动后、还未写入应用数据前的初始状态数据”是否是由其硬件电路保证总是一样的(全0或全1)?不会随机变化(有时为0有时为1)? 能否从硬件原理角度简单说明下? 谢谢。
2022-08-19 15:37:40
SRAM+E2PROM存储卡。RAM容量:64KB。E2PROM容量:64KB。输入输出点数:4096点。输入输出元件数:8192点。程序容量:1000 k步QD64D2用户手册。处理速度
2021-09-01 07:02:40
STM32三种启动模式对应的存储介质是什么?
2022-01-27 07:00:03
浅识STM32的三种boot模式文章目录浅识STM32的三种boot模式任务摘要一、认识boot1.三种BOOT模式介绍2.开发BOOT模式选择3.STM32三种启动模式4.三种模式的存储地址二
2021-12-10 07:46:37
接触arm不久现在不知道该如何下手,具体的设计步骤是什么,需要进行哪些配置?目前选用Atmel的AT25512串行SPI EEPROM连接到ARM的SPI0接口,暂时只要实现对E2PROM的简单读写就好,希望有好朋友赐教。
2016-05-13 11:34:24
niosii编译提示on-chip menmory 存储单元不够,怎么解决?
2015-01-18 09:31:43
主存中存储单元地址是如何进行分配的?存储芯片的容量有多大?
2021-10-19 08:25:52
4.2.1.主存中存储单元地址的分配:存储字长:存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数,即存储器中的MDR的位数。字(word) : 若干个字节组成一一个”字” ( word)。一
2021-07-28 06:43:06
介绍一下引脚的三种状态
2022-01-14 07:12:14
硬件连接这里连接的MCU引脚是IIC-SCL——Pb8IIC_SDA——PB9打算实现的效果从24C64的E2PROM中的一个地址中写入一个字节,在串口上面打印出来刚刚写入的那个字节;然后再从E2中
2022-01-11 06:27:03
基于Keil C的AT24C02串行E2PROM的编程AT24C02是美国Atmel公司的低功耗CMOS型E2PROM,内含256×8位存储空间,具有工作电压宽(2.5~5.5
2009-08-18 17:13:25
大家好,有人能告诉我,如果我可以使用内部闪存像内部E2PROM?谢谢你,Doralice
2020-05-15 12:28:22
E2PROM。但我不知道该怎么做?我已经研究了相关文件到E2PROM,AN2015。它使用一个数组来存储写入E2PROM的数据。然而,当要写入大量数据时,这是不实际的。有没有人知道其他方法将校准数据下载
2018-12-03 11:43:14
从串口接收的数据想要存储到一个64k外部数据存储器里面怎么做呢? 另外,就是如何把三种波形都存储起来,想调用的时候,就按键就可以调用出来呢?
2019-07-02 03:06:44
怎么把单片机存储单元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
本人菜鸟一枚,最近思考一个问题。带有E2PROM的设备连接在电脑上,做怎样的设计才能使E2PROM中存贮的数据不会被篡改呢。我感觉连接在电脑上好不安全0.0。有大神能指导一下吗
2016-08-01 16:44:01
关于MCU的存储方面,以前基本上用内置的E2PROM,或者是外置的NOR?Flash?就可以了。但随着物联网的兴起,MCU的应用越来越广泛了,逐渐的MCU会涉及到大容量的存储需求,用来存储音频,图片
2019-10-10 16:55:02
通过串口向 PC 机发送电压值,通过串口接收系统配置参数并保存到 E2PROM 中。设备硬件部分主要由电源部分、控制器单元、串口部分、存储单元组成,系统框图如图 1 所示 :设计任务及要求1...
2021-12-21 06:16:09
有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?又如何去实现它呢?
2021-04-08 06:57:25
一般单片机都有内部E2PROM,可以保存运行中数据,掉电数据不消失,STM32有类似这样的东西吗?
2020-04-08 02:25:38
请问在F28M35中,是否在FLASH中存在一个区域被划为E2PROM,请问该如何使用这片区域,有多大,谢谢
2018-11-08 09:54:59
如何用单片机让三极管出现三种不同的电平状态?
2023-10-10 06:56:03
我能在ISR中使用E2PROM吗??我得到了错误…
2019-10-10 10:46:34
进程类型进程的三种状态
2021-04-02 07:06:39
针对基于SRAM工艺的器件的下载配置问题,本文介绍采用AT89S2051单片机配合串行E2PROM存储器,实现CPLD/FPGA器件的被动串行(PS)模式的下载配置。
2021-04-13 06:25:40
与单片机内部E2PROM中的密码是否相同,如密码相同则开锁、执行开锁动作、输出开锁信号、进入正常状态,否则继续等待用户开锁(为防止非法用户恶意多次试探密码,可在程序中设置当连续三次输入错误密码后自动报警
2018-07-19 02:04:41
。鉴于以往单片机的内部程序存储器不能由单片机自身修改,要完成修改密码功能,多采用片外串行E2PROM实现。宏基公司生产的STC89系列单片机,高速、低功耗、新增在系统/在应用可编程(ISP,IAP
2009-10-23 09:58:47
现象:单片机采用硬件I2C读取E2PROM,当单片机复位时,会有概率出现再无法与E2PROM通信,此时SCL为高,SDA一直为低。原因:当单片机正在和E2PROM通信,如果主正好发生打算发第9个时钟
2017-08-29 20:17:26
一款实用的串行E2PROM读写软件
2006-04-26 16:53:13101 内置Reset WDT 电路的串行E2PROM一概述CSI24Cxxx 是集E2PROM 存储器, 精确复位控制器和看门狗定时器三种流行功能于一体的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042 4K 和CSI24C021/022
2008-07-20 18:14:3535 CAT24Cxxx是集E2PROM存储器, 精确复位控制器和看门狗定时器三种流行功能于一体的芯片。CAT24C161/162(16K),CAT24C081/082(8K),CAT24C041/042(4K)和CAT24C021/022(2K) 主要作为I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353 E2PROM 是较常用的存储器件。但在特殊的场合,其可靠性或其使用寿命对系统的正常运行有很大影响。为此介绍了I2C 总线及E2PROM 的工作原理,提出了一种具有较高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析,设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础上增加了一个MOS管,使误差降为原来的4%,
2010-07-05 14:50:4822 功放管的三种工作状态低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。它们
2006-04-17 23:21:503005 低电压甲乙类开关电流存储单元
引言 开关电流存储单元是电流模式采样数据信号处理系统的基本单元电路,其性能的优
2007-08-15 16:06:29563 AT93C46 E2PROM存储器各引脚功能及管脚电压
概述:AT
2008-10-10 14:57:367732 内带E2PROM的数字电位器
数字控制电位器(DCP)是一种可由外部微处理器等来自由设定阻值的可变电阻器。与机械式电位器不同,它没有可动部分,因
2009-07-29 15:23:291774 功放三极管的三种工作状态工作状态
低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。
它们各有特点:
 
2009-09-17 08:29:1113331 三态MOS动态存储单元电路
2009-10-10 18:45:491213 功放管的三种工作状态
低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。
它们各有特点:
2009-12-02 11:05:342497 熔丝型PROM的存储单元
2009-12-04 12:25:262228 使用FAMOS管的存储单元
2009-12-04 12:27:29875 E2PROM的存储单元
2009-12-04 13:03:571468 六管NMOS静态存储单元
2009-12-04 15:30:036567 四管动态MOS存储单元
2009-12-04 16:34:142284 单管动态MOS存储单元
2009-12-04 16:50:243757 基于SPI方式DSP外部E2PROM接口设计
0 引 言
近年来,随着DSP技术的普及、高性能DSP芯片的出现,DSP已越来越多地被广大的工程师所接受,
2010-01-06 14:10:531910 电子专业单片机相关知识学习教材资料——ARM基础应用实验04E2PROM存储器
2016-09-13 17:23:280 应用于超低电压下的SRAM存储单元设计_刘冰燕
2017-01-07 21:39:440 使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 。O工P存储器的种类很多,很多是基于熔丝和反熔丝,本文介绍的O工P存储器基于反熔丝结构。在反熔丝O工P存储器中,通过对选中单元的编程改变了存储单元内部的结构。理想的读机制下,没有编程的存储单元读取时会读出0,而通过编程的存储单元在读取时会读出1。反
2017-11-07 11:45:2111 本文档的主要内容详细介绍的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用资料详解。
2019-06-14 17:44:0010 存储单元的作用:可以进行读写操作以及存放数据。
2020-03-22 17:34:004034 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元,再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中,存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282 等。 静态存储单元(SRAM)的典型结构: T5、T6、T7、T8都是门控管,只要栅极高电平,这些管子就工作在可变电阻区当作开关。 其中存储单元通过T5、T6和数据线(位线)相连;数据线又通过T7、T8和再经输入/输出缓冲电路和输入/输出线相连接,以实现信息的传递和交换。写入
2020-12-02 14:31:302182 数据必须首先在计算机内被表示,然后才能被计算机处理。计算机表示数据的部件主要是存储设备;而存储数据的具体单位是存储单元;因此,了解存储单元的结构是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269 闪速存储器(Flash Memory)又称闪存(Flash),是一种非易失性存储器,用存储单元阈值的高低表示数据。浮栅(Floating Gate )场效应管(见图5-80)是Flash存储单元采用的主要技术。
2022-08-08 15:46:001076 使用的存储单元可以执行1013次写/读操作,大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间,并且写入等待时间为零。 因此,无需等待写入完成序列。
2022-11-17 15:31:27573
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