功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的新型宽带隙（WBG） 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
2022-07-29 08:07:58
281 
仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:221424 设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有祼片外形尺寸小、导热和热管理性能优异、开关损耗
2023-10-12 16:18:562054 
随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限，进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43949 
的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。汽车电气化推动碳化硅市场快速成长汽车半导体市场快速增长汽车IC快速增长，成半导体增长亮点。根据IC Insights数据
2019-05-06 10:04:10
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
扮演着关键的角色。与此同时，美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划，该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动，力求
2017-08-15 17:47:34
数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
随着科技创新的发展，汽车电子已经成为汽车控制系统中最为重要的支撑基础。汽车电气化标志者汽车产业革命开始。随着新能源车、无人驾驶、车载信息系统技术日渐成熟，未来汽车产业将沿着智能化、网络化及深度
2020-12-16 11:31:13
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
和电流的新型半导体器件，为电力电子技术带来了决定性的积极变化。SiC具有宽带隙、高导热性和高抗电场破坏能力，有助于降低功率损耗。除航空航天领域外，一个特定的应用领域是电动汽车，其中对更大的紧凑性、高
2022-06-13 11:27:24
说到功率转换电子器件，每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件通常被认为是接近完美的器件。不过，想要达到“完美”，只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
如何确保高度电气化的汽车维持足够的电源？
2021-05-14 06:39:29
安森美半导体已成为主要汽车半导体技术的一个全球领袖。 安森美半导体是自动驾驶系统的图像传感器、电源管理和互通互联领域的一个公认的佼佼者。此外，公司的广泛电源方案组合，包括模块和碳化硅（SiC）/氮化镓
2018-10-11 14:33:43
组的不良放电性能？如何监测 BMS 系统？在牵引逆变器中使用碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）车载设备有何优势？如何防止牵引逆变器过热？为何需要温度传感器来确保牵引逆变器系统的可靠性？
2021-06-17 10:40:11
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
近年来，汽车电气化是大势所趋，汽车电气化不只是引入纯电动汽车，还是不断地用电控技术取代传统机械部件和机械继电器，或者在某些情况下引入新的功能。
2019-08-08 07:06:53
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
什么是宽带隙半导体材料
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可
2010-03-04 10:32:487180 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235966 
1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006599 基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。
2019-06-13 11:45:004280 作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1
2020-09-07 09:56:5918960 
电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。
2020-10-17 11:01:068441 中国第三代半导体正迎来发展的窗口期。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
2020-11-26 10:15:082213 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261558 ，基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:088029 
德赢Vwin官网
网报道(文/李诚)碳化硅与氮化镓同属于第三代半导体材料，均已被列入十四五发展规划纲要。碳化硅与氮化镓相比，碳化硅的耐压等级更高，可使用的平台也更广。尤其是在新能源汽车领域，碳化硅高效、耐高压的特性被越来越多的车企认可，市场发展前景逐渐明朗。
2022-01-26 10:43:143232 众所周知，与硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等宽带隙 （WBG） 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:541815 
在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛，被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161162 宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
2022-07-27 15:11:441427 使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06:461597 
宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803 功率半导体是实现节能世界的关键。碳化硅和氮化镓等新技术可实现更高的功率效率、更小的外形尺寸和更轻的重量。尤其是碳化硅是一种宽带隙材料，能够克服传统硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09499 近年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙（WBG）半导体受到了广泛关注。这两种化合物都可以承受比硅更高的频率、更高的电压和更复杂的电子产品。SiC 和 GaN 功率器件的采用现在是不可否认
2022-08-05 14:51:33839 
碳化硅技术有望为更智能的电源设计提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷却要求。 宽带隙 (WBG) 半导体技术在电力电子行业中的广泛采用持续增长。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN
2022-08-08 09:52:41313 
汽车和工业电子产品需要高性能的解决方案，在降低设备尺寸的同时提供能源效率和可靠性。近年来，随着成本的下降，氮化镓 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 器件等宽带隙半导体已成为这些应用中越来越受欢迎的硅开关替代品。
2022-08-09 08:02:01578 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-08 17:04:031474 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-09 09:10:55841 氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:063748 针对要求最严苛的功率开关应用的功率分立元件和模块的封装趋势，从而引入改进的半导体器件。即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙类型，将显着提高功率开关应用的性能，尤其是汽车牵引逆变器
2022-11-16 10:57:40642 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显优于硅基器件。氮化镓晶体可以在各种衬底上生长
2022-12-09 09:54:061328 一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:359779 了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:251008 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）被称为“宽带隙半导体”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341411 氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。
2023-02-13 16:49:567419 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时，它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而，它也有好处。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:550 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于紫外发光二极管的碳化硅上的氮化铝镓编号：JFKJ-21-1173作者：华林科纳 一直在使用碳化硅（碳化硅）衬底生长氮化铝(AlGaN)结构，针对278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 此外，氧化镓的导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。
2023-03-20 11:13:12797 在半导体材料领域，碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中，碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性，其耐高频耐高温的性能，是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53574 硅（Si）是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓 （GaAs）、氮化镓 （GaN）、硅锗 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我们稍后将回到最后一项。
2023-05-24 11:26:142280 近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。
2023-06-15 14:46:47622 
文章来源：PowerElectronicsNews在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但1891年碳化硅(SiC)的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅
2023-04-06 16:16:34409 
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-07-11 09:20:02309 如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23561 早前，纳微半导体率先凭借氮化镓功率芯片产品，踩准氮化镓在充电器和电源适配器应用爆发的节奏，成为氮化镓领域的头部企业。同时，纳微也不断开发氮化镓和碳化硅产品线，拓展新兴应用市场。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191774 
氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22:081033 
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:541024 
碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08773 “电动汽车和可再生能源的快速增长正在使功率半导体市场发生重大变化，”国家仪器公司SET部门副总裁兼技术负责人Frank Heidemann表示，“这种转变推动了对提高效率的需求，特别是在汽车领域，从而引发了碳化硅和氮化镓等宽带隙技术的出现。”
2023-08-14 11:30:13546 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221423 市场需求。最初，汽车动力半导体市场主要由硅IGBT和MOSFET主导，而SiC和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体的机会仅限于早期采用者，如特斯拉。
2023-09-28 11:23:20604 
作为第三代功率半导体的绝世双胞胎，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体，是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。
氮化
2023-10-07 16:21:18560 
碳化硅如何革新电气化趋势
2023-11-27 17:42:14506 
碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:511389 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18834 在这个电子产品更新换代速度惊人的时代，半导体市场的前景无疑是光明的。新型功率半导体材料，比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，因其独特的优势正成为行业内的热门话题。
2024-04-07 11:37:11371 
对环境的影，推动了一系列能够显著提升效率并加快电气化转变的产品的问世。功率半导体技术近年来快速进步，配备了碳化硅(SiC)MOSFET的电动汽车(EV)如今能够行驶
2024-04-24 11:48:00379 
在电力电子领域，纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术，已成为行业内的佼佼者。近日，该公司受邀参加6月11日至13日在德国纽伦堡举行的PCIM 2024电力电子展，并在“纳微芯球”展台上展示其最新技术成果。
2024-05-30 14:43:08354 纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:44704
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论