氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码： NVTS）正式宣布其发货数量已超过四千万颗，终端市场故障率为零。
2022-03-28 09:27:48
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半壁江山。在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yole development预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变
2019-05-06 10:04:10
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
的3.25eV和氮化镓的3.4eV。而氧化镓的击穿场强理论上可以达到8eV/cm，是氮化镓的2.5倍，是碳化硅的3倍多。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电
2023-03-15 11:09:59
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题：一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性？二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
工艺，以制造出可预测性能特性和故障率的可复制氮化镓器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 计划，WBST计划严重倾向于军事应用，不计成本地追求所需性能，但是，随着化合物半导体提供商不断完善其生
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射频半导体产品攻破0.04美元/瓦难关，射频能量市场将会迎来大量机会。在商用微波炉、汽车照明和点火、等离子照明灯等设备市场，射频能量器件出货量可能在数亿规模，销售额可达
2018-02-12 15:11:38
耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、硅基氮化镓（GaN on Si）、砷化镓（GaAs）射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅双极单元和模块
2017-08-14 14:41:32
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
功率半导体器件概述功率半导体器件基本概念功率半导体器件（Power Semiconductor Device）又称电力电子器件（Power Electronic Device）。1940年贝尔实验室
2019-02-26 17:04:37
Canaccord Genuity预计，到2025年，电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50％或更多。本文将探讨氮化镓（GaN）电子器件，也涉及到一点碳化硅（SiC），在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
推广应用和推广碳中和”的政策。日本大坂大学的森勇介教授，一直在从事高品质的半导体研究，这一次，我们就氮化镓的研发情况、研究成果对未来的应用前景产生的影响，森教授进行了访谈。目前，功率半导体的应用广泛，其
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升级产品，导通电阻更小，只有 125 毫欧，是氮化镓功率芯片IC。型号2：AON6268丝印：6268属性：分立半导体产品 - 晶体管封装：DFN-8参数FET 类型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
主要代理国产品牌一些半导体器件：士兰微:MCUMOSIPM数明：门级驱动，隔离非隔离驱动杰华特宇力：MCU3PAK :运放，ldo微盟:电源管理美浦森：MOS纳芯微 ：隔离接口，驱动还有TI的一些物料 等等详情请联系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
电子元器件互联网平台的高速发展，可以为客户提供一站式服务，很低的成本吸引和触及需求多样采购但量很小的客户，如设计样机采购，小批量生产采购，甚至创客研发产品的元器件采购等。因此半导体原厂与新兴的电子
2018-08-15 14:56:50
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课，氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
安森美半导体电源方案部（PSG）加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容，针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000，是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
带半导体，相比常规的硅材料，开关速度更快，具有更高的耐压。在降低电阻的同时，还能提供更高的过电压保护能力，防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS，氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
；第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用，性能质量获得客户的高度认可。
输出VBUS开关管均来自威兆半导体
2023-06-16 14:05:50
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
群“芯”闪耀的半导体行业行业全接触——电子技术与半导体行业 半导体半导体是指常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。主要的半导体材料有硅、锗、砷化镓、硅锗复合材料等。半导体器件可以通过结构和材料上
2008-09-23 15:43:09
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氧化物半导体（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段
2019-04-13 22:28:48
半导体的应用层出不穷。包括氮化镓和碳化硅的功率器件，未来也会发挥重要作用，这里面我就不多说了，“国家机密，以人民的名义”。（2）5G通讯硅材料作为通讯材料的老大哥，干到现在，真是有些干不动了，即便使出
2017-05-15 17:09:48
的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类
2016-11-27 22:34:51
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
，共同开发氮化镓功率器件。之后，两家企业还与富达投资（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投资1.5亿美元，推动公司的产品研发和市场推广。另外，公司还与车规半导体重要原厂瑞萨
2023-03-03 16:48:40
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说，当你笔记本电脑的电源变热时，其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量，并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料，它的发热量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
纳微半导体今日正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:141758 氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
2023-02-08 17:41:29446 于高功率、高速光电元件。例如，氮化镓可用于紫光激光二极管，并且可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情况下产生紫光(405nm)激光。
2023-09-13 16:41:45863
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