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Toshiba推车用低导通电阻功率MOSFET
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2018-12-03 14:27:05
为实现高压开关，功率MOSFET应如何串联连接
因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在总芯片面积相等的情况下，如把几个低压MOSFET串联连接，比1个高耐压MOSFET的导通电阻低。
2010-05-25 08:16:05
170
170功率MOSFET(PowerMOSFET)的基本知识
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数
2010-06-07 08:22:4840
40Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MO
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090
1090Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器，设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696
696导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912
4912Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181448
1448IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746
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瑞萨电子推出新款低导通电阻MOSFET产品
瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939
939SiC MOSFET是具有低导通电阻和紧凑的芯片
安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728
3728ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
2020-06-22 15:54:12771
771
降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法
在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之
2022-03-17 09:35:332873
2873东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD)，以实现低导通电阻和高可靠性。东芝
2022-12-12 18:01:531070
1070资料下载 | 低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）产品参考资料
。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471
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Toshiba推出小巧轻薄型共漏极MOSFET，具有极低导通电阻，适合快速充电设备
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，这是一款额定电流为20A的12V
2023-05-19 10:20:07719
719平面栅和沟槽栅的MOSFET的导通电阻构成
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021461
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Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22320
320昕感科技推出超低导通电阻的SiC MOSFET器件
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316
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工商网监
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