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微系统中的IPD是什么样的?IPD技术分类和市场分析资料概述

2018-09-06 | docx | 0.85 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  随着有源器件集成度不断提高,越来越多的功能被集成到单片上,这对集成无源元件形成很大的压力,无线产品射频部分尤其明显。在PCB板上,无源电子元件占91%的数量、41%的面积和29%的焊点,占安装成本的55%,占体积的70%。在过去的几年中,SMD电感和电容的密度得到了明显改进。目前市场上购买的大都是01005(250μm×125μm本征区域) SMD电感和电容元件,使用更小尺寸的SMD无源元件无疑是降低系统整体尺寸的好方法,但是必须以保证成本效益为前提。此时的问题是,01005 SMD的组装成本仍然居高不下(4倍于0201部件),而01005部件所使用的元件价格也相当高(4倍于0201部件)。


  2.IPD技术分类

  目前可用的集成无源器件技术有3大类,分别是薄膜技术、低温共烧陶瓷技术(LTCC)、基于高密度互连(HDI)的延伸技术和其他印制电路板(PCB)技术。

  薄膜IPD技术,基于光刻、CVD沉积、磁控溅射等工艺,膜厚一般在1um以下,可以将无源器件尺寸缩小一个数量级。

  薄膜IPD技术一般有两种类型,一种是利用传统半导体工艺在硅衬底上同时制作无源和有源元件。采用这种方法工艺均匀性和一致性最好,制成的无源元件的精度最高,但是存在有源器件和无源器件之间的串扰。还有一种就是采用SIP或者CHipLet焊接技术将制作好的IC芯片和无源元件集成到一个封装架构内,实现三维形式的系统级封装。实际上这种技术主要是为了减小有源元件和无源元件协同设计的设计难度。

  LTCC是典型的厚膜IPD技术,广泛运用在民用通信、军用电子中。然而陶瓷基板烧结时收缩严重,难以形成高精度埋置元件;厚膜印刷典型线宽在几十um,而且公差情况不佳,集成度有待提高;需要900°C左右的烧结温度,有源器件如IC芯片无法埋置在基板内,难以实现有源元件和无源元件的混合集成。

  HDI和PCB技术通常用于数字系统。

  综上所述,在适于射频集成的多中技术中,薄膜无源集成技术通常能够提过优良的元件精度和功能密度,以及集成度高、体积小和重量轻的产品,成为无源集成技术发展的主流方向。

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