资料介绍
TheISSI IS61WV51232Axx/Bxx and IS64WV51232Bxx are high-speed, 16M-bit staticRAMsorganized as 512K words by 32 bits. It is fabricated using ISSI‘s high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields highperformance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipationcanbe reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE and OE. Theactive LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. The device is packaged in the JEDEC standard 90-ball BGA (8mm x 13mm).
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