资料介绍
微光光照强度对单晶硅 (c - Si) 太阳电池效率的影响 光的辐射测量中 ,经常采用下列两个物理量 : 光照通量 ———单位时间内以辐射方式发送、传递、或接收的能量。 单位是 W 或 mW. 辐照度 ———单位面积上的光照通量 ,简称光强。 单位是 W/ m2 。地面太阳电池标准测试条件是 :辐照度为 1000 W/ m2 、光谱为 AM1、电池温度为 25 ℃。 但是 ,目前对室内条件下的太阳电池测试没有一个标准 ,把太阳电池的室内测试条件定义为 :辐照度在 1~1000 W/ m2 范围内、光谱为 AM1. 5、电池温度 25 ℃,并把这个条件中的光照强度定义为微光光照强度 ,简称微光照强度。 室内的温差比室外要小得多。 因此 ,在考虑室内微光照强度对太阳电池效率的影响时 ,温度变化的因素可以忽略不计。 光照强度不同时 ,单晶硅 (c - Si) 太阳电池的最佳工作点也不同。 当强度增大时 ,短路电流就线性增大 ,而开路电压也按对数关系增大。 低光照强度时 ,串联电阻的影响相对来说并不显著 ,但旁路电阻的漏电流大小可以与光电流相比较 ,因此会大大地影响开路电压 V oc和填充因数 FF[2 ] 。 在高光照强度时旁路电阻不太重要 ,串联电阻起着明显的作用。 由于 V oc和 FF 的变化 ,随着光照强度增强 ,效率也随着提高 ,但是当光强增加到高注入阶段 ,效率会达到饱和甚至减小。 [3 ] 单晶硅(c - Si) 太阳电池的微光照强度 - 效率曲线如图 1.
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