资料介绍
特性
• 单电压读写操作
- 1.65-1.95V
• 串行接口架构
- 采用类SPI串行命令结构的半字节宽复用I/O
- 模式0和模式3
- x1/x2/x4串行外设接口(Serial Peripheral
Interface,SPI)协议
• 高速时钟频率
- 最高104 MHz
• 突发模式
- 连续线性突发
- 8/16/32/64字节带折回线性突发
• 超高可靠性
- 可擦写次数:100,000次(最小值)
- 数据保存时间大于100年
• 低功耗:
- 读操作工作电流:15 mA(104 MHz时的典
型值)
- 待机电流:8 µA(典型值)
• 页编程
- x1或x4模式下每页256字节
• 写操作结束检测
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
• 灵活的擦除功能
- 均一4 KB扇区
- 4个8 KB顶部和底部参数覆盖块
- 1个32 KB顶部和底部覆盖块
- 均一64 KB覆盖块
• 写暂停
- 暂停编程或擦除操作以访问另一个块/扇区
• 软件复位(RST)模式
• 软件写保护
- 独立块锁定
- 64 KB块、2个32 KB块和8个8 KB参数块
• 安全ID
- 可一次性编程(One-Time Programmable,
OTP)的2 KB安全ID
- 出厂前预编程的64位惟一标识符
- 用户可编程区域
• 温度范围
- 工业级:-40°C至+85°C
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行闪存
- 基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O(SQI)闪存
- 基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行闪存
- 基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行闪存
- 基于SST39WF400B下的4 Mb(x16)多用途闪存
- 基于SST39WF800B下的8 Mb(x16)多用途闪存
- 从SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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