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Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of
MOSFET:Power MOSFET is the key sem
iconduct
orcomponent for
high frequency DC/DCconver te rs. Because fast switching
le ads to less switching loss, dv/dt on the drain of the
MOSFET becomes higher and higher. However, high dv/dt
cancause the MOSFET to turn on without a normal trigger
signal on the gate, and possibly results in more power
dissipation. There are several possible modes of such
undesired turn-on[1][2]. The most common mode is related to
the parasitic capacitance and inductance. In this paper, an
analy tical appro ach is proposed to study the influence of
theses parasitic on the spurious turn-on voltage.
high frequency DC/DCconver te rs. Because fast switching
le ads to less switching loss, dv/dt on the drain of the
MOSFET becomes higher and higher. However, high dv/dt
cancause the MOSFET to turn on without a normal trigger
signal on the gate, and possibly results in more power
dissipation. There are several possible modes of such
undesired turn-on[1][2]. The most common mode is related to
the parasitic capacitance and inductance. In this paper, an
analy tical appro ach is proposed to study the influence of
theses parasitic on the spurious turn-on voltage.
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