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标签 > 安世半导体

安世半导体动态

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安世半导体简介

  安世半导体(中国)有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容诗宗,公司经营范围包括:研究、设计、开发和测试半导体技术软件、集成电路、电子元配件和其他电子产品;生产和销售半导体、新型电子元器件:片式元器件(微小型表面贴装元器件:片式二极管、片式三极管);销售自产产品,研发成果转让,上述产品的批发、进出口和佣金代理(拍卖除外),并提供相关的技术咨询、技术服务、售后服务、仓储服务等。

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安世半导体技术

安世半导体P沟道LFPAK56 MOSFET特性概述

Nexperia(安世半导体)将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器,支持有刷直流电动机(最大电压48 V、最小电...

2024-07-25 标签:MOSFET安世半导体 657 0

48V系统中更智能的BMS设计方案教您降本增效

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48V电池系统,常见于两轮电动车和轻度混合动力电动车(MHEV),配备了48V的储能单元,用于捕获再生能量并为车辆的48V电子系统提供动力。这一系统的核...

2024-03-27 标签:电池管理系统bmsNexperia 2063 0

安世半导体与三菱电机建立战略合作伙伴关系

两家公司宣布,安世半导体与三菱电机株式会社已建立战略合作伙伴关系,共同开发SiC MOSFET。为了满足对高效分立功率半导体日益增长的需求,并提高SiC...

2023-11-15 标签:半导体三菱电机功率半导体 883 0

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

近年来,我国年工业生产总值不断提高,但能耗比却居高不下,高能耗比已成为制约我国经济发展的瓶颈,为此国家投入大量资金支持节能降耗项目,变频调速技术已越来越...

2023-10-27 标签:IGBT晶体管马达 421 0

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

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近年来,我国年工业生产总值不断提高,但能耗比却居高不下,高能耗比已成为制约我国经济发展的瓶颈

2023-10-19 标签:变频器IGBT晶体管 431 0

安世|如何选择符合应用散热要求的半导体封装

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焊线封装器件中的主要散热通道是从结参考点到印刷电路板(PCB)上的焊点,如图1所示。按照一阶近似的简单算法,次要功耗通道的影响(如图所示)在热阻计算中可...

2023-09-22 标签:PCB印刷电路板封装 602 0

半导体器件散热性能的仿真实验

半导体器件散热性能的仿真实验

为了满足应用的散热要求,设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中, Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道...

2023-09-07 标签:封装仿真散热性能 966 0

IGBTs给高功率带来了更多的选择

IGBTs给高功率带来了更多的选择

绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日,事实上,通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起,IGBT成为了中压和高压(...

2023-07-20 标签:IGBT晶体管SiC 800 0

安世半导体恒定电流LED驱动器介绍 经济高效、可靠

安世半导体恒定电流LED驱动器介绍 经济高效、可靠

Nexperia(安世半导体)的线性恒定电流 LED 驱动器是一种简单可靠的解决方案,它可以驱动高达 250 mA 的功率 LED, 因此能够支持不断增...

2021-02-17 标签:led驱动器led驱动器 4895 0

要提高功率密度,除改进晶圆技术之外,还要提升封装性能

要提高功率密度,除改进晶圆技术之外,还要提升封装性能

安世半导体发布了LFPAK88,这是一款8mm x 8mm封装,针对较高功率的应用而设计,可取代体积更大的D²PAK和D²PAK-7封装。

2019-11-21 标签:晶圆封装LFPAK 2459 0

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安世半导体资讯

安世半导体荣获2024行家极光奖年度优秀产品奖

在2024年12月12日落幕的行家说三代半年会上,行业内上下游主流企业及行业精英汇聚深圳,共同探讨行业趋势,深化交流合作。安世半导体作为其中的重要一员,...

2024-12-17 标签:场效应管FETGaN 304 0

安世半导体推出微型无引脚逻辑IC

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日发布了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些...

2024-12-17 标签:封装逻辑IC安世半导体 110 0

安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CC...

2024-12-12 标签:MOSFET功率MOSFETNexperia 390 0

安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻

IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟...

2024-12-09 标签:IGBT功率半导体Nexperia 191 0

安世半导体将举行理想二极管与负载开关线上研讨会

在物联网系统的复杂电源架构中,安世半导体理想二极管和负载开关可以协同工作,以实现高效的电源路径管理。理想二极管较传统二极管的卓越特性有哪些?负载开关如何...

2024-12-03 标签:负载开关理想二极管安世半导体 129 0

安世半导体与德国汽车零件供应商达成合作

来源:集邦化合物半导体 近日,安世半导体宣布与德国汽车供应商KOSTAL(科世达)建立战略合作伙伴关系,旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)...

2024-11-08 标签:汽车零件安世半导体 410 0

安世半导体携多款先进产品和解决方案亮相PCIM Asia 2024

8月28日至30日,全球领先的半导体解决方案提供商安世半导体在PCIM Asia 2024展会上大放异彩,展示了其强大的技术实力与创新成果。此次参展,安...

2024-09-03 标签:MOSFETIGBT安世半导体 570 0

安世半导体斥资2亿美元扩产德国基地,聚焦宽禁带半导体技术

在全球半导体产业日新月异的今天,芯片制造商Nexperia(安世半导体)再次展现了其前瞻性的战略布局。近日,该公司宣布将投资高达2亿美元,用于在德国汉堡...

2024-06-29 标签:SiC宽禁带半导体安世半导体 541 0

安世半导体宣布2亿美元投资,加速宽禁带半导体研发与生产

在全球半导体市场日新月异的今天,荷兰半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日迈出了重大的一步。这家以技术创新和产品质量著称的公司宣布,计划投资高达...

2024-06-28 标签:碳化硅宽禁带半导体安世半导体 591 0

安世半导体Nexperia将在汉堡投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)

半导体制造商Nexperia(安世半导体)近日宣布,计划投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 标签:SiC碳化硅Nexperia 882 0

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