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氧化镓

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氧化镓资讯

什么是第四代半导体？

第四代半导体我们其实叫超禁带半导体，它分两个方向，一是超窄禁带，禁带宽度（指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量）在零点几电子伏特（eV），比超窄...

2022-08-22 标签：半导体功率器件氧化镓 1.6万 0

氧化镓制造功率元件，比SiC更出色？

　　与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开...

2012-04-18 标签：SiC 功率元件氧化镓 9059 0

志在替代第三代半导体材料，氧化镓目前有没有这个实力？

韩国政府在近日宣称将加大非硅功率半导体在本土的发展，用于电动汽车和其他对功效和耐用性要求较高的技术。该计划将支持5种以上的半导体在2025年实现本土商业...

2021-04-10 标签：半导体氧化镓 7457 0

中国领跑第四代半导体材料，氧化镓专利居全球首位

德赢Vwin官网网报道（文/李宁远）半导体材料的突破一直是推动半导体行业发展的一大助力，为了满足日益多元化的芯片需求，半导体材料从以硅、锗为代表的第一代半导体...

2023-04-02 标签：半导体材料氧化镓第四代半导体 7172 0

第四代半导体材料氧化镓的优势与发展进程

德赢Vwin官网网报道(文/程文智)这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。...

2022-01-01 标签：半导体材料氧化镓 4290 0

4英寸氧化镓单晶生长与性能分析

本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶，晶体外形完整，通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线分析确认晶体结晶质量较高。采用湿法刻蚀的方法，研究了晶体...

2022-11-24 标签：晶体单晶氧化镓 3100 0

氧化镓产业化更进一步，本土初创企业成果涌现

德赢Vwin官网网报道（文/梁浩斌）氧化镓被认为是在碳化硅和氮化镓后的下一代半导体材料，而对于氧化镓的重要性，去年8月美国商务部工业和安全局的文件中披露，将对...

2023-11-06 标签：氧化镓 2136 0

谈谈热门的氧化镓

超宽带隙半导体有望成为大功率晶体管高效的超高压功率转换设备(电压20kv)需要比硅的能隙大得多的半导体。宽带隙(WBG)半导体碳化硅(SiC)已经...

2022-12-19 标签：变压器 IC 电感器 1922 0

国内氧化镓半导体又有新进展，距离量产还有多远？

德赢Vwin官网网报道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体之后，氧化镓被视为是下一代半导体的最佳材料之一。氧化镓具有多种同分异构体，其中β-Ga...

2022-12-28 标签：氧化镓 1918 0

外交部回应公布对镓锗出口管制

外交部回应公布对镓锗出口管制突发，中国商务部正式宣布将在8月1日起，对镓、锗等半导体关键原材料实施出口管制。对此我国外交部回应公布对镓锗出口管制是中方...

2023-07-04 标签：半导体氮化镓光刻机 1891 0

日本氧化镓的新进展

FLOSFIA 的氧化镓功率器件使用一种称为α-Ga2O3的材料。氧化镓具有不同晶形的β-Ga2O3，结构更稳定。然而，由于α型在带隙等特性方面优越（S...

2022-07-28 标签：半导体材料新材料氧化镓 1656 0

基于晶圆级高导热异质集成衬底实现最高截止频率氧化镓射频器件

氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN，不仅可在更高场强、更高工作电压下工作，大幅度提升输出功率密度，还可以实现在高...

2023-11-15 标签：晶圆 SiC 射频器件 1536 0

武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组和斯洛伐克科学院Filip Gucmann课题组合作，在国际权威期刊《Small》上发表了题为“Phase-Dep...

2023-12-25 标签：太阳能电池二极管氧化镓 1358 0

6英寸β型氧化镓单晶成功制备

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单...

2023-12-29 标签：功率器件 SiC GaN 1340 0

厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展

另一方面，作者也通过高分辨X射线光电子能谱与密度泛函理论（DFT）计算对(AlxGa1-x)2O3的电子结构进行了深入的研究，并从电子结构和能带的角度分...

2023-07-04 标签：半导体光电探测器氧化镓 1229 0

IDM龙头降价！晶圆代工大厂最新解读

近日，北京镓和半导体有限公司（以下简称“镓和半导体”）正式宣布完成六千五百万元A轮融资，由凯石资本领投，海通证券、正为资本、盈添投资跟投。

2023-08-02 标签：半导体晶圆 IDM 1051 0

三菱电机加速开发高性能低损耗氧化镓功率半导体

三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性...

2023-08-02 标签：晶圆三菱电机功率半导体 1050 0

日本研发出氧化镓的低成本制法

这种作方法属于“有机金属化学气相沉积（MOCVD）法”，通过在密闭装置内充满气体状原料，在基板上制造出氧化镓的晶体。该方法与现有的“氢化物气相外延（HV...

2023-10-12 标签：晶体功率半导体氧化镓 1015 0

北京镓和首次发布4英寸面氧化镓单晶衬底参数并实现小批量生产

近日，“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”在济南召开。大会技术委员会委员北京镓和半导体有限公司创始人、董事长、南京邮电大学唐为华教授率领镓和...

2023-10-25 标签：半导体探测器氧化镓 976 0

第四代半导体制备连获突破，氧化镓将与碳化硅直接竞争？

此外，氧化镓的导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗。数据显示...

2023-03-20 标签：新能源汽车碳化硅氧化镓 969 0

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