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高速ADC

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随着计算机技术、通信技术和微电子技术的高速发展，大大促进了ADC技术的发展，ADC作为模拟量与数据量接口的关键部件，广泛应用于各领域，在信息技术中起着重要作用。

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高速ADC简介

　　随着计算机技术、通信技术和微电子技术的高速发展，大大促进了ADC技术的发展，ADC作为模拟量与数据量接口的关键部件，广泛应用于各领域，在信息技术中起着重要作用。ADC同计算机一样，经历了低速到高速的发展过程。ADC的低速（转换时间大于300uS ）结构有积分型、斜坡型、跟踪型;ADC的中速（转换时间在1uS-300uS ）结构有逐次逼近型;ADC的高速（转换时间小于于1uS）结构有闪烁型、分区式以及高分辨率结构的∑-△型。这些不同的结构满足了实际应用的广泛性和多样性的需求，其中高速ADC已成为决定诸如雷达、通信、电子对抗、航天航空、导弹、测控、地展、医疗、仪器仪表、图象、高性能控制器及数字通信系统等现代化电子设备性能的重要环节。

高速ADC百科

　　基本原理：

　　目前的高速ADC主要采用了以下两种结构形式。一种是全并行结构，也叫Flash结构。这种结构的ADC至少有2“-1个比较器，例如，一个八位ADC就至少有255个比较器。当ADC分辨率增加时，不仅电路体积庞大，而且功耗猛增，也易出现“火花码’，，因而一般用于分辨率较低的ADC，如六位、八位ADC.另一种结构形式称为分区式结构或折叠式结构，如两步法、多步法。其电路结构主要包含了S/H（或T/H）放大器、Flash A/D转换器、时标电路及数字误差校正电路等。分区式结构ADC克服了纯Flash结构ADC随着分辨率增加，电路体积庞大、功耗猛增的缺点但又带来另一个问题，即差分放大器和其中与第二次转换处理输入电压有关的电路引入的误差，这些误差将超过转换器允许的误差，因此必须引入数字误差校正。

　　 image:bk070533-1.jpg

　　当前又有一种叫作“流水线”的结构，它也是基于Flash结构的多步转换结构（分区式），它是SAR和Flash两种相结合的一种结构。这种结构实际上是牺牲ADC的速度来换取精度，因此适于较高精度的高速ADC.

　　怎样挑选一个高速ADC

　　高速ADC的性能特性对整个信号处理链路的设计影响巨大。系统设计师在考虑ADC对基带影响的同时，还必须考虑对射频（RF）和数字电路系统的影响。由于ADC位于模拟和数字区域之间，评价和选择的责任常常落在系统设计师身上，而系统设计师并不都是ADC专家。

　　还有一些重要因素用户在最初选择高性能ADC时常常忽视。他们可能要等到最初设计样机将要完成时才能知道所有系统级结果，而此时已不太可能再选择另外的ADC。

　　影响很多无线通信系统的重要因素之一就是低输入信号电平时的失真度。大多数无线传输到达ADC的信号电平远低于满标度输入范围。为确保多路传输信号的功率同时汇集到ADC输入时不发生压缩，信号链路的前端增益被设计成稍微低于ADC的满标度范围。然而，几乎所有高速ADC都保证其SFDR性能在输入电平从满标度的 -1dB。此外，大多数数据表都有宽输入幅度范围内典型的SFDR图。用户应该仔细观察该曲线，核实运行是否稳定和是否可预知。低输入幅度上存在任何大步进或锯齿特性都表明ADC转移函数中的系统非线性。由于转移函数线性度和低输入电平失真密切相关，对最大积分非线性（INL）有严格保证的ADC在低输入幅度上一般会有更稳定的失真性能。

　　选择对INL、差分非线性（DNL）、SNR和SFDR等所有关键性能规格具保证最小或最大值限制的ADC是非常重要。这些规格在应用的整个工作温度范围内应该得到保证。用户特别需要留意这些关键参数是否仅在小温度范围内或室温下才能保证。高速ADC内部的精确运算放大器和快速比较器如果设计得不够坚固，它们在温度变化时可能会发生很大的变化。选择没有宽温度范围内保证限制的ADC会给设计带来不必要的风险。

　　解决方案的尺寸要求也很关键，因为都市基站设计的PCB面积非常有限。由于使用QFN等小型扁平IC封装缩减小了ADC本身的面积，总体解决方案面积实际上可能大得多。仔细察看所推荐的电路会发现很多高速ADC都需要大量电容值很大的电容器（如10μF），这些电容器比ADC占用的PCB面积大得多。由于存在封装连接线寄生电感，很多高速ADC需要此类大外部电容器旁路电源和内部基准电路系统。要在最终产品中实现小体积，就要求ADC不仅采用小型封装，而且还要使这些大的外部旁路电容器尺寸和数量最小化。

　　技术趋势

　　除了新颖的电路设计技术，工艺的进步在低功率高速ADC的开发中同样重要。特别值得一提的是，由于数字技术最初的驱使，硅技术工艺不断调整，采用CMOS工艺制造的ADC也因此受益匪浅。

　　就模拟电路设计而言，CMOS工艺调整的关键优势在于更低的功率和更高的速度运作。与仅消耗动态功率的传统数字CMOS电路不同，ADC消耗的大部分功率都是静态电流用来偏置放大器和比较器等模拟电路引起的。对给定的模拟偏置电流，更短的通道长度（L）工艺为晶体管提供更高的跨导（gm），这是器件性能的一个关键衡量指标。更小的晶体管尺寸也使器件的寄生电容更小。在高速ADC的每一种流水线级上，精确运算放大器等关键电路的模拟稳定速度极大程度上由晶体管gm决定。因此，在给定总偏置电流情况下，缩短L会使工作速度更快。另一个好处是，电源电压通常随着L缩短而降低，因此即使模拟偏置电流保持不变，总体功耗也会降低。通过工艺精细程度的调整，ADC设计师可以灵活地在给定功率级别上提高速度或在给定速度时降低功率。

　　然而，模拟电路的工艺调整存在一个严重的缺点。由于降低了电源电压，ADC的满标度输入范围也必须降低，以便为运算放大器等模拟电路系统提供足够的电压空间。更小的输入范围导致更低的信号功率，SNR会随着工艺调整而下降。低功率、高性能设计方案的挑战还在于降低ADC产生的噪声，以保持足够的信噪比。

　　凌力尔特低功率高性能ADC介绍

　　很明显，低功率、高性能是市场上用户的主要要求。为满足市场需求，凌特公司新近推出了几个高速ADC系列。

　　LTC2224/2222/2223是引脚兼容的3.3V 12位135/105/80Msps ADC，并为欠采样而优化。LTC2224系列在输入频率高达140MHz时具有超过67.5dB的SNR和80dB的SFDR，而在135Msps时仅消耗630mW功率。该高度优化的跟踪与保持设计对高达400MHz的输入频率持续保持超过65dB的SNR和75dB的SFDR，在低功率时具有极佳的欠采样性能。图2概括了LTC2224的高频性能。即使是那些消耗功率高得多的器件也极少在高输入频率时具有如此的欠采样性能。如图3所示，就12位ADC而言，该ADC转移函数的线性度也很高，可与很多14位器件媲美。如同干净的转移函数预料，小输入幅度时的失真性能也相当稳定。LTC2224系列非常适合要求低功率和卓越欠采样性能的WCDMA PA线性化应用。

　　图2

　　国产高速ADC/DAC怎么样

　　求教国内现在有量产的高速ADC（500Msps以上）和DAC（1Gsps以上）吗？没有量产的话哪几家研究所或科研机构有能力流片？

　　查到昆腾微电子和瑞丰电子有量产，但貌似是翻版的。有微电子所得同学了解情况吗？

　　看你用什么工艺，SiGe BiCMOS比较容易达到，国外量产的如ADI、TI的数据转换芯片上Gs/s的基本就是用该工艺。学术研究除外（学术上可以做到40Gs/s了）

　　另外AD/DA指标不是Foundry定的，看你用什么架构，可以做多高。

　　如果是自己设计的话，能做的地方挺多的，如smic、tmsc等，可以去官网查一下提供的工艺。

　　如果是找别人设计的话，或者做研究，研究所如无锡的58所、石家庄的13所、微电子所、重庆的24所等等都可以。

　　最后，不量产就走MPW，比较便宜。

　　总之，这些都要自己去联系，官网会给出代理商或所内的联系方式。

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